Получение и исследование гетероструктур и приборов на основе твердых растворов InGaAsP
- Автор:
Ахмедов, Давронали
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1982
- Место защиты:
Ленинград
- Количество страниц:
148 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Переход металл-изолятор в пленочных структурах на основе оксидов переходных металлов | Стефанович, Генрих Болеславович | 1997 |
| Особенности дефектной структуры полупроводниковых материалов, связанные с упругой анизотропией | Подрезов, Анатолий Аркадьевич | 1983 |
| Изовалентное легирование : Управление электронными свойствами слоев GaAs и GaSb путем воздействия на систему примесей, точечных дефектов и наноразмерных кластеров | Чалдышев, Владимир Викторович | 1999 |