Получение и исследование гетероструктур и приборов на основе твердых растворов InGaAsP

• Автор: Ахмедов, Давронали
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1982
• Место защиты: Ленинград
• Количество страниц: 148 c. : ил

Глава I - ЧЕТВЕРНЫЕ ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ 1пв&ДзР ... Ю
§ 1.1.1. Многокомпонентные твердые растворы на
основе соединений А^В^
§ 1.1.2. Физико-химические свойства твердых растворов 1пРа.РзР
§ 1.2. Методы получения твердых растворов 1п6аДвР
§ 1.2.1. Метод жидкостной эпитаксии
§ 1.2.2. Метод газовой и молекулярной эпитаксии
§ 1.3. Приборы на основе гегероструктур твердых
растворов ТпРаАвР
§ 1.3.1. Излучательные приборы на основе твердых
растворов 1п&аАьР
а) Гетеролазеры в системе ТпРа-АзР - 1пР'• • 2.&
б) Гетеролазеры в системе ХлРаДзР-6-лД$
и ХпРа.Д$Р-РаАзР
в) Светодиоды в системе 1пРа.А$Р
и ЪпРсиДзР-РаАзР
§ 1.3.2. Фотоприемники на основе твердых растворов
ХпРсиАзР
Глава II - ПОЛУЧЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ
твердых растворов ХпРсиДзР} ХлРаР и 1п Рай в
§ 2.1. Установка для выращивания эпитаксиальных
слоев твердых растворов X п Ра. А$ Р? ХлРаР и Хп РаАв
§ 2.2 § 2.3 § 2.4 § 2.5 § 2
Глава III § 3
§ 3
§ 3
§ 3
. Методика выращивания твердых растворов
IfffazAsP, Zrt &clP и Z/iPclA-S
. Электронно-зондовый метод контроля параметров полупроводниковых гетероструктур
. Особенности выращивания эпитаксиальных
слоев ZnPaPsP ж ТпРаР на подложках GclAs. . . Особенности выращивания эпитаксиальных слоев ZnPaAs и Zr>£<*-ÆsP на подложках ZnP
. Получение многослойных гетероструктур на основе твердых растворов ZrtëaAsP на подложках trvP
- ИССЛЕДОВАНИЕ ЛКШНЕСЦЕНТНЫХ СВОЙСТВ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ ТВЕРДЫХ растворов ZnG&AsP И ПРИБОРОВ НА ИХ ОСНОВЕ
. Методика регистрации и исследования спектральных характеристик излучения эпитаксиальных твердых растворов ХпGolAsР, IriGrz^P
И Tn&CLpS
. Влияние величины несоответствия постоянных решетки и коэффициентов термического расширения на люминесцентные свойства гетероструктур ZrtPü'P - 6-a-As
. Влияние внутренних деформаций на поляризацию излучения в гетеролазерных структурах
Zn&a-AiP - ZnP
. Показатель преломления твердых растворов
ZnG-a,AsP

§ 3.5. Гетеролазеры в системе 1п&гъАзР - Р • • •
§ 3.6. Гетеролазеры 1пба-РзР - 1/гР с гофрированным волноводом /
§ 3.7. Гетерофоготранзисторы в системе
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

тероструктурах в режиме отраженных и вторичных электронов (ОЭ и
ВЭ) возникают трудности. Несмотря на высокое разрешение, как в
о о
ОЭ, так и во ВЭ (соответственно -~ЮОО А и 70 А), границы гете-роэпигаксиальных слоев не видны в случае малой разности среднего атомного номера в слоях. Травление скола в выявляющем травителе дает ограниченную информацию, не позволяя установить толщины и распределение состава тонких слоев, наличие переходных слоев. Методика наблюдения структуры на косом шлифе с малым утлом трудоемка, гак как требует тщательной полировки поверхности и сложной интерпретации получаемых результатов.
Наиболее удобной методикой оказываетсян на наш взгляд, селективное химическое травление с последующим наблюдением карты профиля травления в режиме ОЭ или ВЭ [бб] . Эта методика позволяет не только измерять толщины тонких эпитаксиальных слоев, составляющих гетероструктуру, но и легко получать наглядную качественную информацию о распределении одного из основных компонентов в эпитаксиальных слоях. Этот метод дает требуемую информацию даже при минимальном различии контактирующих материалов. Установив зависимость скорости травления твердых растворов от концентрации основных компонентов, состава травителя и ориентации поверхности травления, можно определить содержание элементов в тонких ( d ~ о,4 мкм ) эпитаксиальных слоях многослойной гетеросгрук-туры, что недоступно даже рентгеновскому микроанализу.
Приведем краткое описание методики. Одиночную, либо многослойную гегеросгруктуру, выращенную на подложке (100) или (III) скалывают по плоскости (ОП) или (011). Затем поверхность скола обрабатывают в селективном травителе, где скорость травления зависит от содержания одного из основных компонентов. После травления производится вторичное скалывание по плоскостям (011) или (011), гак, что плоскость второго скола была перпендикулярна трав-