Получение и исследование гетероструктур и приборов на основе твердых растворов InGaAsP
- Автор:
Ахмедов, Давронали
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1982
- Место защиты:
Ленинград
- Количество страниц:
148 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Образование и свойства электрически активных кислородосодержащих дефектов в термообработанных и облученных кристаллах германия | Литвинов, Валентин Вадимович | 1985 |
| Электронные и фотоэлектрические явления в гетероструктурах типа A??B??/A?B? с барьером Шоттки | Котов, Геннадий Иванович | 2015 |
| Импульсные процессы в электронных и оптоэлектронных полупроводниковых структурах, работающих в режиме большого сигнала на СВЧ | Вайтекунас Фердинандас | 2015 |