Пикосекундная суперлюминесценция и ее влияние на изменение прозрачности GaAs

• Автор: Агеева, Надежда Николаевна
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2005
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 139 с. : ил.

§ 1. Краткое содержание диссертации
§2. Краткий обзор
§3. Основные положения, выносимые на защиту
ГЛАВА I ЛАЗЕРНЫЙ ПИКОСЕКУНДНЫЙ КОМПЛЕКС
§1.1. Структура лазерного комплекса
§1.2. Задающий лазер
§1.3. Система усиления
§1.4. Генерация второй гармоники
§1.5. Генератор пикосекундного светового континуума
§1.6. Параметрические генераторы света бегущей волны
§1.7. Спектрофотометрическая схема
§1.8. Автоматизированная система регистрации и управления
§1.9. Методика обработки данных и управления экспериментом
ГЛАВА 2 "УНИВЕРСАЛЬНОЕ" ОСТАТОЧНОЕ ПРОСВЕТЛЕНИЕ
АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ ПОСЛЕ НАКАЧКИ МОЩНЫМ ПИКОСЕКУНДНЫМ ИМПУЛЬСОМ СВЕТА
ГЛАВА 3 ПИКОСЕКУНДНАЯ СУПЕРЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ
ГЛАВА 4 НАПРАВЛЕННОСТЬ ПИКОСЕКУНДНОЙ СУПЕРЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ
ГЛАВА 5 ВЛИЯНИЕ ВНУТРИЗОННОГО ПОГЛОЩЕНИЯ СВЕТА НА ОБРАТИМОЕ ПИКОСЕКУНДНОЕ ПРОСВЕТЛЕНИЕ АРСЕНИДА! ГАЛЛИЯ
ГЛАВА 6 АНОМАЛЬНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ОБРАТИМОГО ПРОСВЕТЛЕНИЯ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ ОТ ЭНЕРГИИ КВАНТА ВОЗБУЖДАЮЩЕГО ПИКОСЕКУНДНОГО ИМПУЛЬСА СВЕТА
ГЛАВА 7 ВЛИЯНИЕ ПРЕДВАРИТЕЛЬНОГО ПРОСВЕТЛЕНИЯ
ОаАя НА ОБРАТИМОЕ ИЗМЕНЕНИЕ ПРОЗРАЧНОСТИ
ГЛАВА 8 РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ МЕЖДУ ДОЛИНАМИ И СУЖЕНИЕ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПРИ ПИКОСЕКУНДНОЙ СУПЕРЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ В ваАз ЗАКЛЮЧЕНИЕ ЛИТЕРАТУРА

Исследование сверхбыстрых процессов в полупроводниках и полупроводниковых гетероструктурах является одним из актуальных направлений физики полупроводников. Возможность для таких исследований создает, прежде всего, развитие пико - и фемтосекундной лазерной техники [1-3] и, что было особенно важно для выполнения настоящей диссертационной работы, развитие техники параметрической генерации сверхкоротких импульсов света [4]. Благодаря такому прогрессу лазерной физики в огромной мере расширились возможности возбуждения сверхбыстрых процессов в полупроводниках и исследования этих процессов со сверхвысоким разрешением во
* времени, в частности, методами сверхбыстрой оптической спектроскопии[4]. Поясним, что в тексте диссертации приставка "сверх-" означает, что не медленнее, чем в пикосекундном диапазоне времен. Значительно возросла эффективность исследований сверхбыстрых взаимодействий неравновесных носителей заряда между собой, с фононами, фотонами и т.д. [5]. Чтобы представить многообразие экспериментально и теоретически исследуемых сверхбыстрых процессов в полупроводниках назовем лишь некоторые из них. Это,
• например, излучательная рекомбинация носителей заряда [6], комбинационное рассеяние света с участием элементарных коллективных возбуждений (плазмонов и продольных оптических фононов) [7,8], внутризонная релаксация высокоэнергетичных носителей [9,10], эффект узкого фононного горла [11,12], дефазирование межзонной и внутризонной поляризаций, междолин-ные переходы носителей с участием фононов, оптический эффект Штарка, фотонное эхо, возбуждение когерентных фононов, осцилляции Блоха [5] и т.д.
Предлагаемая диссертационная работа относится к ещё одной области исследований сверхбыстрых процессов в полупроводниках. Это исследова-ние интенсивной пикосекундной суперлюминесценции и её сверхбыстрого взаимодействия с плотной электронно-дырочной плазмой в прямозонном по-

=®-г
0/Г,
| —^р]Дег1»аЁ]

&Г&А!
дялгх)
шу'лфжшгш-
/¥Л?&
Рис.1.13. Функциональная схема системы регистрации данных и управления лазерным комплексом. ФП] - ФПз - фотоприемники, УВХ1 - УВХ4 - устройства выборки-хранения, АЦП - аналого-цифровой преобразователь, ШД* - ШД* - шаговые двигатели, У,, У2 - усилители, ЭР[, ЭР2 - электрореле.