Оптимизация технологических условий эпитаксиального роста толстых слоев нитрида галлия
- Автор:
Вороненков, Владислав Валерьевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2014
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
174 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Оптимизация технологических условий эпитаксиального роста толстых слоев нитрида галлия», автор — Вороненков, Владислав Валерьевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Санкт-Петербург в 2014 году. Объем работы: 174 с. : ил.. Внутренний код товара: 01007861286. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование свойств и оптимизация гетероструктур на подложках GaAs и разработка мощных лазеров на их основе: λ =0,78 - 1,3 мкм | Лившиц, Даниил Александрович | 2000 |
| Полупроводниковые гетероструктуры с Ge/Si квантовыми точками для излучающих приборов на основе кремния | Тонких, Александр Александрович | 2005 |
| Интегрально-оптическая абсорбционная спектроскопия полупроводниковых наногетероструктур | Бакшаев, Илья Олегович | 2011 |