Оптимизация технологических условий эпитаксиального роста толстых слоев нитрида галлия
- Автор:
Вороненков, Владислав Валерьевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2014
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
174 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Ab initio теория электрон-фононных процессов в полупроводниковых кристаллах | Обухов Сергей Владимирович | 2015 |
| Получение и свойства гетероструктур на основе многокомпонентных антимонидов А3В5 с низкой термодинамической устойчивостью | Когновицкая, Елена Андреевна | 2005 |
| Динамика и устойчивость сильноточных инжекционных систем | Горбатюк, Андрей Васильевич | 2002 |