Оптимизация технологических условий эпитаксиального роста толстых слоев нитрида галлия
- Автор:
Вороненков, Владислав Валерьевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2014
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
174 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Резонансные состояния в деформированных полупроводниках | Одноблюдов, Максим Анатольевич | 1998 |
| Взаимная диффузия в GexSi1-x/Si гетероструктурах, выращенных методом МЛЭ | Кеслер, Валерий Геннадьевич | 2005 |
| Физические основы оптимизации нитридных полупроводниковых гетероструктур для их применения в высокоэффективных светодиодных устройствах | Бугров, Владислав Евгеньевич | 2013 |