Оптимизация технологических условий эпитаксиального роста толстых слоев нитрида галлия
- Автор:
Вороненков, Владислав Валерьевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2014
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
174 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование легированных монокристаллов CdCr2Se4 и создание на их основе поверхностно-барьерных структур типа шоттки | Меркулов, Александр Иванович | 1980 |
| Выращивание, структурные особенности и свойства монокристаллов кремния с заданной двойниковой структурой | Афанасова, Ирина Владимировна | 2003 |
| Исследование неизотермической электрической релаксации заряда в кристаллах природного алмаза | Питиримов, Алексей Николаевич | 1998 |