Моделирование электрических и оптических характеристик светоизлучающих диодов на основе многокомпонентных гетероструктур AlGaInN
- Автор:
Рабинович, Олег Игоревич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2008
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
215 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Инфракрасная полупроводниковая оптоэлектроника с использованием гетероструктур из арсенида индия и твердых растворов на его основе | Матвеев, Борис Анатольевич | 2010 |
| Анизотропия магнитооптического поглощения в полупроводниковых многоямных квантовых структурах с примесными молекулами | Евстифеев, Василий Викторович | 2005 |
| Особенности формирования и физические свойства наноразмерных структур на основе висмута | Хрипунов, Юрий Вадимович | 2012 |