Моделирование электрических и оптических характеристик светоизлучающих диодов на основе многокомпонентных гетероструктур AlGaInN
- Автор:
Рабинович, Олег Игоревич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2008
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
215 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Влияние встроенных электрических полей на перенос носителей заряда в излучающих структурах InGaN/GaN | Копьев, Виктор Васильевич | 2019 |
| Электрооптические свойства спиральной смектической С-фазы жидкого кристалла | Асланов, Меджид Ахад оглы | 1984 |
| Формирование тонких пленок и наноструктур в системе Mn/Si(111) | Азатьян, Сергей Геннадьевич | 2008 |