Моделирование электронной структуры квантовых точек Ge B Si
- Автор:
Ненашев, Алексей Владимирович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2004
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
242 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Синтез III-N микро- и наноструктур методом МОГФЭ на подложках сапфира и кремния | Рожавская, Мария Михайловна | 2014 |
| Полупроводниковые InGaAsP/InP ( λ =1.5-1.6 мкм) лазеры с оптическими периодическими неоднородностями | Кучинский, Владимир Ильич | 1998 |
| Электрические и газочувствительные характеристики полупроводниковых сенсоров диоксида азота на основе тонких пленок WO3 | Рудов, Фёдор Валентинович | 2012 |