Моделирование электронной структуры квантовых точек Ge B Si
- Автор:
Ненашев, Алексей Владимирович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2004
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
242 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Гетероструктуры в системе твердых растворов InGaAsP и лазеры на их основе | Тарасов, Илья Сергеевич | 2002 |
| Резонансное и брэгговское рассеяние быстрых электронов от совершенных поверхностей InAs и GaAs в дифракции на отражение | Мансуров, Владимир Геннадьевич | 2000 |
| Влияние атомарного водорода на свойства тонких эпитаксиальных слоев n-GaAs и структур на их основе | Торхов, Николай Анатольевич | 2007 |