Моделирование электронной структуры квантовых точек Ge B Si
- Автор:
Ненашев, Алексей Владимирович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2004
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
242 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Механизмы излучательной рекомбинации в гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами | Кудряшов, Владимир Евгеньевич | 2001 |
| Экситон-электронное взаимодействие в модулированно-легированных квантовых ямах на основе полупроводников А2В6 | Астахов, Георгий Владимирович | 2000 |
| Спектры электронных локальных состояний в фотопроводнике поливинилкарбазоле, применяемом в электрофотографии | Газиев, Закир Абдумажидович | 1983 |