Моделирование электронной структуры квантовых точек Ge B Si
- Автор:
Ненашев, Алексей Владимирович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2004
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
242 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Дырочные состояния в кубических полупроводниках и в низкоразмерных полупроводниковых гетероструктурах | Полупанов, Александр Федорович | 2002 |
| Оптические исследования тонких пленок молекулярных органических полупроводников фталоцианинового ряда | Колосько, Анатолий Григорьевич | 2009 |
| Самодифракция и нелинейно-оптические свойства экситонов в коллоидных квантовых точках CdSe/ZnS | Смирнов, Александр Михайлович | 2014 |