Моделирование электронной структуры квантовых точек Ge B Si
- Автор:
Ненашев, Алексей Владимирович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2004
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
242 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Спектроскопия адмиттанса полупроводниковых гетероструктур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN | Кучерова, Ольга Владимировна | 2011 |
| Особенности излучательной рекомбинации низкоразмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs и GaAs/AlGaAs | Кудряшов, Игорь Вениаминович | 2000 |
| Эффекты спин-орбитального взаимодействия в двумерных полупроводниковых системах | Голуб, Леонид Евгеньевич | 2006 |