Исследование эффективности InxGa1-xN/GaN светодиодов

• Автор: Ефремов, Артем Александрович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2005
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 104 с. : ил.

ф Введение
Глава 1. Исследование механизма уменьшении квантовой эффективности электролюминесценции и механизма потерь на безызлуча-тельную рекомбинацию в In.iGai.xN/GaN светодиодных структурах ^ при высоких уровнях инжекцни
1.1. Обзор литературы
1.1.1. Общие сведения о 1пхСа].хЫ/СаН светодиодной структуре
1.1.2. Механизм протекания тока в 1пхОа1.хЫ/СаЫ структуре
1.1.3. Механизм уменьшения эффективности электролюминесценции 1пхОа|.х/ОаЫ структуре с ростом уровня инжекции
Ф 1.1.4. Постановка задачи
1.2. Методика эксперимента
1.2.1. Описание измерительной установки
1.2.2. Исследуемые структуры
1.3. Туннельно-рекомбинационные токи и эффективность электролюминесценции 1по20ао.8/СаЫ светодиодов
1.3.1. Экспериментальные данные
1.3.2. Туннелирование и инжекция в светодиодной структуре с lnGaN/GaN квантовой ямой. Туннельно-рекомбинационная модель избыточного тока в светодиодных структурах
1.3.3. Туннельно-рекомбинационный ток при 11 > Пиннинг уровня Ф Ферми на гетерогранице ГпСаМЛЗаЫ и подавление инжекции в 1пСаЫ
квантовую яму
1.3.4. Возможные причины инжекционных потерь в светодиоде
1.3.5. Заключение
1.4. Влияние состояний на границах раздела на емкость 1пОаЫ/СаИ светодиодных структур
1.4.1. Экспериментальные данные
1.4.2. Емкость и вид С(1))-характеристики /з-и-гстсроструктуры с локализованными состояниями на интерфейсе
ф 1.4.3. Заключение
1.5. Неоднородность инжекции носителей заряда и деградация светоди-
** одных структур

1.5.1. Экспериментальные данные
1.5.2. Влияние врожденных и индуцированных электрическим стресф сом состояний гетсрограниц на избыточные токи
1.5.3. Влияние дизайнар-п -гетероструктуры на однородность свечения
по площади рабочих светодиодов в стационарном режиме
1.5.4. Распределение ЭЛ по площади в импульсном режиме до и после деградации
1.5.5. Заключение
1.6. Выводы главы
Глава 2. Исследование влияния перегрева активного слоя InxGa|.^N/GaN светодиодной структуры на эффективность голубых ^ ^ 1п*Са1.х1Ч/Са1Ч светодиодов
• 2.1. Обзор литературы
2.1.1. Определение температуры активной области светодиода
2.1.2. Варианты упаковок промышленных светодиодов
2.1.3. Постановка задачи
2.2.'Влияние джоулева разогрева на эффективность
светодиода
2.3. Тепловая модель светодиода...;
2.4. Влияние температуры радиатора на яркость и деградацию светодиода
2.5. Исследование величины перегрева активной области промышленных светодиодов
2.6. Обеспечение отвода тепла в мощных светодиодах
2.7. Выводы главы
Глава 3. Исследование влияния поглощения и рассеяния света, генерируемого в 1п1Са|.*1Ч активной области, на вывод света из светоди- ^ одной структуры и эффективность голубого светодиода
3.1. Обзор л итературы
3.1.1. Показатель преломления
3.1.2. Коэффициент ослабления света
^ 3.1.3. Анализ хода лучей в Оа!4 светодиодной структуре

3.1.4. Увеличение эффективности выхода света из СаЫ светодиодных структур
3.1.5. Методы текстурироваиия поверхности светодиодных структур на основе нитрида галлия
3.1.6. Постановка задачи
3.2. Методика эксперимента
3.3. Экспериментальные данные
3.4. Определение коэффициента ослабления света
3.5. Оценка каналов выхода света из исследуемой светодиодной структуры
3.6. Выводы главы
Заключение
Литература
Приложение

Ф Рис. 2.1. Прямое напряжение на светодиоде как функция от температуры печи для
$ различных значений импульсных токов.

Рис 2.2. Температура перехода как функция прямого тока для ваИ ультрафиолетово-' го светодиода.