Исследование эффективности InxGa1-xN/GaN светодиодов
- Автор:
Ефремов, Артем Александрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2005
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
104 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование особенностей акустических, магнитных и электрических свойств магнитного полупроводника La0,825 Sr0,175 MnO3 вблизи структурных и магнитного фазовых переходов | Булатов, Альберт Рунарович | 2002 |
| Разработка и исследование гетероструктур InGaAsP/InР легированных различными примесями для высокоэффективных излучателей | Гацоев, Казбек Аркадьевич | 1983 |
| Влияние подпороговых мод на шум интенсивности излучения полупроводникового лазера | Усачев, Павел Анатольевич | 2001 |