Дефекты и проводимость ионно-имплантированного аморфного кремния
- Автор:
Рязанцев, Иван Александрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1984
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
183 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Спиновые и фотогальванические эффекты в полупроводниковых гетероструктурах | Тарасенко, Сергей Анатольевич | 2008 |
| Оптические исследования точечных дефектов в ионно-имплантированном GaAs и GaAs, полученном низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксией | Куницын, Александр Евгеньевич | 2002 |
| Фотоэлектрические преобразователи энергии на основе антимонида галлия и твердых растворов GaInAsSb | Сорокина, Светлана Валерьевна | 1999 |