Гетероэпитаксия ZnTe, CdTe и твердых растворов CdHgTe на подложках GaAs и Si

• Автор: Якушев, Максим Витальевич
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2011
• Место защиты: Новосибирск
• Количество страниц: 251 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение
Глава 1.

In situ методы исследования при гетероэпитаксии соединений А2В6

1.1. Эллипсометрические in situ исследования механизмов роста соединений

1.2. Измерение температуры эллипсометрическим методом

1.3. Определение состава твердого раствора Cdi_zZnzTe

1.3 .1. Метод одноволновой эллипсометрии

1.3.2. Метод спектральной эллипсометрии ,

Выводы к главе Is

Глава 2.
Эпитаксиальный рост соединений AnBVI на подложках.GaAs(112)B
2.1'. Кристаллохимическое рассмотрение взаимодействия компонентов
гетеросистемы ZnSe/GaAs
2.2. Изменение морфологии подложки во время предэпитаксиального отжига
2.3. Образование дефектов кристаллической структуры во время роста пленок

2.4: Зависимость состава гетероперехода ZnSe/GaAs(112)B от условий роста
2.4.1. Резкость гетероперехода ZnSe/GaAs(l 12)В в зависимости от условий
роста
2:4.2. Латеральная однородность гетероперехода ZnSe/GaAs(l 12)В в
зависимости от условий роста
2.5. Модель формирования гетероперехода ZnSe/GaAs( 112)В
2:6.. Оборудование для выращивания слоев А2В6 на подложках из GaAs
2.7. Влияние условий роста на морфологию поверхности CdTe(112)B
Выводы к главе 2
Глава 3.
Формирование структуры поверхности подложки во время ^ предэпитаксиального отжига
3.1. , 'Микроморфология поверхности подложки GaAs(310)
3.2. Морфология поверхности Si(310) ■
3.2.1. Получение атомарно-чистой поверхности Si(310)
3.2.2. Морфология чистой поверхности Si(310)
3.2.2.1. Образование террас (510) на поверхности Si(310)
3.2.3. Морфология поверхности подложки Si(310), отожженной в парах AS4
3.2.3.1. Морфология поверхности подложки Si(310), отожженной в парах AS4 при

низких температурах
3.2.3.2. Морфология поверхности подложки БДЗ10), отожженной в парах Аз4 при
высоких температурах
3.3. Адсорбция теллура и цинка на поверхности 81(310)
3.3.1. Адсорбция теллура
3.3.1.1. Температурный интервал до 200°С
3.3.1.2. Температурный интервал 200 - 450°С
Выводы к главе 3 Глава 4.
Кинетика роста гетероэпитаксиальных структур CdTe/ZnTe/GaAs(310) и CdT e/ZnT e/Si(310)
4.1. ■ Лимитирующие процессы при гетероэпитаксии на вицинальных
поверхностях
4.1.1. Кинетика формирования гетероперехода ZnTe/GaAs(310)
4.1.1.1. Определение скорости роста и плотности пленок на начальных стадиях роста из эллипсометрических измерений in situ
4.1.1.2. Лимитирующие процессы при гетероэпитаксии ZnTe на GaAs(310)
4.1.2. Кинетика формирования гетероперехода ZnTe/Si(310) .
4.1.3. Сравнение кинетики роста ZnTe на подложках GaAs(310) и Si(310)
4.2. Эпитаксия теллуридов цинка и кадмия.
4.2.1. Микроморфология поверхности CdTe(310)
4.2.2. Изучение процессов адсорбции и десорбции теллура на поверхности CdTe(310) методами эллипсометрии и ДЭВЭО
4.2.2.1. Определение теплоты десорбции теллура
4.2.2.2. Изменение реконструкции поверхности CdTe(310) при адсорбции теллура 4.2.23. Фасегироваиие поверхности CdTe(310) при адсорбции теллура Выводы к главе
Глава 5.
Дефекты кристаллического строения в слоях ZnTe и GdTe, выращенных на подложках GaAs(310) и Si(310)
5.1. Антифазные домены
5.2. Дефекты упаковки
5.3. Прорастающие дислокации
5.3.1. Основные положения теории гетероэпитаксиального роста
5.3.2. Дефектообразование при гетероэпитаксии
5.3.3. Плотность прорастающих дислокаций в гетероструктурах Выводы к главе
Глава 6.
Кинетика роста СйНцТе на поверхности (310) (Влияние ориентации подложки на условия выращивания пленок СйН^»Те методом МЛЭ)
6.1. Зависимость минимального давления паров ^ от ориентации подложки
6.2. Зависимость скорости диссоциации молекул Тег от ориентации подложки
6.2.1. ЩТе
6.2.2. СйЩТе
6.3. Влияние ориентации подложки на условия выращивания пленок СсП^Те
методом МЛЭ Выводы к главе 6 Глава 7.
Фотоэлектрические параметры гетероструктур СсІхІ^і-хТе/СаА8(310) и СйхЩі_ хТе/8і(310) и фотоприемных устройств на их основе
7.1. Электрофизические параметры СйхЩьхТе, выращенного на
альтернативных подложках
7.1.1. Нелегированные пленки Сс1хН§і-хТе(310)
7.1.2. Легированные пленки СсЦЗ^і.хТе(310)
7.2. Параметры фоторезисторов из СсЦ-^і_хТе, выращенного на
альтернативиых подложках, и фотоприемных устройств на их основе
7.3. Параметры фотодиодов из Сс1х^і.хТе, выращенного на альтернативных подложках и фотоприемных устройств на их основе
7.3.1. Гетсроструктуры С<іхЩі_хТе/А8(310)
7.3.2. Гетероструктуры СсУЗ^і.хТе/8і(ЗЮ)
7.3.2.1. Средневолновой спектральный диапазон
7.3.2.2. Длинноволновой спектральный диапазон
7.4. Термомеханическая прочность фотоприемников Выводы к главе
Основные выводы и результаты
Заключение
Публикации автора
Список цитированной литературы

Время, сек
1000 3000 5000 7000 9000 11
Время, сек
Рис.1-10. Изменение В процессе роста параметров спектра 'Ртах, ^-тах и А,0 для двух образцов Сс^.^ПгТе, отличающихся по составу. 1- г = 0; 2 - ъ = 0.