Гетероэпитаксия ZnTe, CdTe и твердых растворов CdHgTe на подложках GaAs и Si
- Автор:
Якушев, Максим Витальевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2011
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
251 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Транспортные явления в объёмном Ge и наноструктурах на основе Si, GaAs и InAs, перспективных для генерации ТГц излучения | Папроцкий Станислав Константинович | 2015 |
| Расчет энергетических характеристик гетероструктур и барьеров Шоттки, сформированных на политипах карбида кремния | Посредник, Олеся Валерьевна | 2005 |
| Фотоэлектрическая спектроскопия гетероструктур с квантовыми точками GaAs/InAs | Морозов, Сергей Вячеславович | 2002 |