Гетероэпитаксия ZnTe, CdTe и твердых растворов CdHgTe на подложках GaAs и Si
- Автор:
Якушев, Максим Витальевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2011
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
251 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs : Разработка и применение | Вилисов, Анатолий Александрович | 2001 |
| Электронная микроскопия полупроводников с учетом реальных закономерностей освещения образца и рассеяния электронов | Боргардт, Николай Иванович | 1999 |
| Моделирование и расчет тепловых, электрических свойств сегнетоэлектрических и полупроводниковых материалов твердотельной электроники | Казаров, Бениамин Агопович | 2007 |