Гетерофазные границы в поликристаллических пленках селенида и цирконата-титаната свинца, а также структурах на их основе

• Автор: Петров, Анатолий Арсеньевич
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2008
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 268 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение

Глава 1. Методы диагностики поверхности и границ раздела

1.1 Электронная Оже-спектроскопия

1.2. Ионная Оже-спектроскопия

1.3. Растровая ионная микроскопия

Глава 2. Механизмы фотопроводимости и физико-химические свойства резистивных структур на основе соединений А1УВУ|

2.1. Обзор моделей фотопроводимости

2.2. Физико-химические свойства фоточувствительных пленок А1УВУ1

Глава 3. Технология тонких поликристаллических пленок селенида свинца и гетерофазных структур на их основе
3.1. Материалы, технология и свойства тонких поликристаллических пленок соединений А1УВЛ
3.2. Отжиг в кислородосодержащей среде
Глава 4. Физико-химические свойства пленок селенида свинца прошедших отжиг в кислородосодержащей среде
4.1. Исследования процессов фазообразования в системе РЬ-Бе-О
4.2. Физико-химические свойства пленок селенида свинца прошедших отжиг при температуре 400°С
4.3. Физико-химические свойства пленок селенида свинца прошедших отжиг при температуре 600 °С
4.4 Исследование микроструктуры пленок прошедших высокотемпературный отжиг в кислородосодержащей среде
Глава 5. Электрофизические свойства гетерофазных фоточувствительных пленок селенида свинца
5.1. Исследование темновой и фотопроводимости слоев, прошедших высокотемпературный отжиг в кислородосодержащей среде
5.2. Механизмы электронного транспорта. Модель фотопроводимости
5.3. Влияние процессов сорбции-десорбции на свойства фоточувствительных структур

Глава 6. Свойства и методы получения тонких поликристаллических
6.2. Материалы и технология тонкопленочных сегнетоэлектрических конденсаторов
6.2.1. Методы получения тонких сегнетоэлектрических пленок
6.2.2. Материалы и методы осаждения электродов тонкопленочных
Глава 7. Гетерофазные границы раздела в тонкопленочных структурах на основе металлооксидных сегнетоэлектриков
7.1. Интерфейсные границы раздела в многослойных конденсаторных структурах на основе ЦТС
7.2. Межзеренные границы раздела в наноструктурированных пленках титаната-цирконата свинца. (Механизм старения)
7.3. Механизм сквозной проводимости, в конденсаторных структурах с пленками ЦТС
7.4. Фотоэлектрические свойства структур с сегнетоэлектрическими пленками ЦТС
7.4.1 Изотермическое затухание фототока в структурах ЦТС с избыточным содержанием свинца
7.4.2. Фотопроводимость гетерофазных структур ЦТС-РЬО-ЦТС
7.5 Вклад границ раздела в формирование самополяризованного состояния
пленок ЦТС
6.1. Свойства тонких сегнетоэлектрических пленок

конденсаторов

пленок ЦТС. Заключение Список литературы

Введение
Интерес к исследованиям поверхности и границ раздела возник достаточно давно, а в последние годы стимулируется развитием микро- и нанотехнологии, общей тенденцией к миниатюризации приборов и устройств электроники, проявляющейся в уменьшении толщины рабочих структур, синтезом сложных многослойных и наноструктурированных композиций. Очевидно, что указанная тенденция должна приводить к заметному усилению влияния границ раздела на свойства таких структур, а в ряде случаев, к появлению нового качества, позволяющего создавать приборы и устройства с уникальными свойствами. В первую очередь это относится к объектам наноэлектроники, где влияние границ раздела, в том числе гетерофазных, будет проявляться в большей степени. Одним из наиболее распространенных объектов такого рода являются тонкие поликристаллические пленки полупроводников и диэлектриков широко использующиеся в современной электронике. Их свойства во многом определяются межзеренными границами, изучение свойств которых представляет актуальную научную и практическую задачу.
Прогресс в изучении свойств поверхности и границ раздела связан с необходимостью радикального упрощения сложных реальных систем (создания модельных объектов), однако возникающие проблемы при их получении часто сводят на нет преимущества такого подхода. Создание атомарно-чистых поверхностей или резких границ раздела требует больших усилий и в основном вызывает интерес с фундаментальной точки зрения. Во всех реальных ситуациях фигурирует покрытая поверхность, являющаяся результатом взаимодействия с окружающей средой, когда происходит сорбция инородных атомов, окисление поверхности, и т. п. Собственно гетерофазные границы раздела являются примером такого рода объектов. Влияние границ раздела за счет диффузии и дрейфа носителей заряда может распространяться вглубь объема образца, изменяя его электрофизические свойства, что позволяет применять классические «объемных» методов их исследования - измерение проводимости, емкости, фотоэлектрические исследования. Этому способствует также тот факт, что поверхности на границе раздела взаимодействуют между собой, причем в ряде случаев это взаимодействие приводит к изменению химического состава границы раздела. Образуется гетерофазная граница,

к ЦАП 12 бит Фокус
k ЦАП 12 бит Фокус
Малый транслятор М3
Программируемый микроконтроллер AVR "tiny"
- Малый транслятор
Программируемый микроконтроллер AYR "tiny"
Большой транслятор ЬЗ
МЦАП 16 бит "ТОтклонение У
ЦАП 16 бит Отклонение ХГ

О. 3 X
аз О л X
о S *
8л С—« S о аз fr Я
А с а
2 І >х €-1 “ ч ► Е — о Я <* '§ I « о
£< 5 ё- £ § х
2 2 ев а г X х я
h о. «

с « ч
Преобразователь сигналов
Преобразователь сигналов *
Однонаправленный канал передачи данных с высоковольтной развязкой
Однонаправленный канал передачи данных с высоковольтной развязкой
Команды:
1. Включить / выключить накал катода
2. Включить выключить / высокое напряжение
Регулируемые параметры:
1. Энергия электронов
2. Напряжение на модуляторе пушки
3.2 фокусирующих напряжения
4.2 отклоняющих напряжения
Измеряемые величины
1. Энергия электронов
2. Ток электронной пушки
К электродам электронной пушки
Рис. 1.7. Упрощенная функциональная схема блока управления энергоанализатором.