Генерационно-рекомбинационные эффекты горячих носителей заряда в компенсированных полупроводниках
- Автор:
Воробьев, Юрий Васильевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
1983
- Место защиты:
Киев
- Количество страниц:
367 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Моделирование устойчивого роста поверхности в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии соединений AIIIBV | Бойко, Андрей Михайлович | 2007 |
| Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (∼10 кэВ/а. е. м. ) и высоких (>1 МэВ/а. е. м. ) энергий, при отжигах до 1050°С. | Неустроев, Ефим Петрович | 2000 |
| Радиационно-индуцированные структурные превращения в графите | Приходько, Кирилл Евгеньевич | 1999 |