Генерационно-рекомбинационные эффекты горячих носителей заряда в компенсированных полупроводниках

• Автор: Воробьев, Юрий Васильевич
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1983
• Место защиты: Киев
• Количество страниц: 367 c. : ил

ГЛАВА I. Межпримесное взаимодействие и его роль в процессах генерации и захвата горячих носителей заряда в компенсированном полупроводнике
§ I. Особенности энергетического спектра и рекомбинационных характеристик, обусловленные наличием примесных комплексов
§ 2. Влияние донорно-акцепторного взаимодействия на равновесную электропроводность высокоомного компенсированного полупроводника § 3. Эффект модуляции сечений захвата носителей заряда на примесные центры и его влияние на неравновесные процессы
§ 4. Оже-процессы с участием связанных носителей заряда
ГЛАВА II.Горячие оже-электроны и процессы ионизации
примесных центров
§ I. Проявление ионизационных процессов в кинетике заполнения примесных центров электронами при низкотемпературном возбуждении
§ 2. Влияние электрического поля на процессы ионизации примесных центров оже-электронами § 3. Оже-возбуждение фотопроводимости
§ 4. Влияние ионизационных процессов на ход энергети ческой релаксации горячих электронов
ГЛАВА III.Влияние электрического поля на релаксацию горячих электронов в полупроводнике с неэквивалентными долинами зоны проводимости
§ I. Энергетическая зависимость скорости остывания горячего электрона в полупроводнике с неэквивалентными долинами

§ 2. Влияние электрического поля на процессы релаксации. "Убегание" электронов в верхние долины зоны проводимости в полупроводнике типа G-afls .
§ 3. Проявление особенностей релаксационного процесса в ионизационных эффектах
§ 4. Некоторые параметры электронов высоких энергий
в полупроводнике с неэквивалентными долинами
Глава IV.Особенности влияния электрического поля на
генерацию и рекомбинацию носителей заряда с
участием примесных уровней в компенсированном
полупроводнике
§ I. Влияние электрического поля на процессы захвата носителей заряда в компенсированном полупроводнике. Полевая перезарядка примесных
уровней
§ 2. Исследование оптической ионизации примесных
центров в электрическом поле
§ 3. Фотопроводимость высокоомного компенсированного полупроводника в сильном однородном электрическом поле
§ 4. Проявление межпримесного взаимодействия в генерационно-рекомбинационных полевых эффектах
Глава V. Захват и рекомбинация носителей заряда в условиях доменной неустойчивости электрического тока в высокоомном компенсированном полупроводнике
§ I. Методы исследования образцов с высокополевыми
доменами
§ 2. Механизмы N -образности ВАХ компенсированного полупроводника в условиях оптического возбуждения
§ 3.Исследование процессов формирования высокополевых областей в компенсированных кристаллах . 197 § 4. "Электронные" и "дырочные" рекомбинационные
домены
Глава VТ. Процессы тепловой релаксации при оптическом
возбуждении горячих носителей заряда
§ I. Кинетика тепловыделения в кристалле при различных способах возбуждения
§ 2. Методика исследования кинетики тепловой релаксации при импульсном оптическом возбуждении
§ 3. Способы определения энергетических и кинетических характеристик полупроводника, основанные на изучении тепловой релаксации
§ 4. Некоторые результаты экспериментального исследования эффектов релаксационного и рекомбинационного нагрева
Глава VП .Некоторые способы и устройства обработки оптической информации, использующие эффекты горячих носителей в высокоомном компенсированном полупроводнике
§ I. Сканирование изображений с помощью полупроводникового кристалла с движущимся высокополевым
доменом
§ 2. Сканирующий приемник излучения с теневым
штрихом
§ 3. Одномерное разложение изображений при сканировании движущейся границей "свет-тень"
§ 4. Одномерное и двумерное разложение изображений на однородном кристалле при помощи быстро движущегося светового луча
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА
ПРИЛОЖЕНИЕ

безызлучательным. Таким образом, модуляция сечений здесь проявляется отрицательным образом - через увеличение доли безызлучательных переходов и уменьшение интенсивности излучения.
Полоса люминесценции 0,8 эВ, давно и по настоящее время обсуждаемая в литературе [62-67] и не имеющая до сих пор однозначной трактовки, связывается нами [62, 67 ] с захватом дырки на уровень Ар с участием возбужденного состояния акцепторного центра, расположенного вблизи V -зоны (воздерживаясь здесь от подробного анализа обширной литературы по этой полосе, отметим лишь, что при коротковолновой границе ~ 0,85 эВ она просто "не вписывается" в переход электрона на уровень А2 с уровня мелкого донора [63] или с возбужденного состояния, лежащего ниже дна с-зоны; в пользу дырочного механизма этой полосы свидетельствует ее эффективное возбуждение в области Ил) сг 1,15 эВ, где свет генерирует главным образом дырки [ 67 ] . На этой полосе эффект модуляции сечения .и связанный с ним эффект "превращения" одних центров в другие также сказывается негативно: подсветка, вызывающая накопление электронов на Д-уровнях, ослабляет и ее интенсивность (рис.1.10). Это означает, что образующиеся при такой подсветке комплексы с уровнями А]-и Др заполненными электронами (рис.1.1,а), которые в силу своего отрицательного заряда обладают наибольшим сечением захвата дырок, захватывают их безызлучательно. Отсюда следует, что в излучении участвуют лишь уровни Ар принадлежащие изолированным акцеп-