Генерационно-рекомбинационные эффекты горячих носителей заряда в компенсированных полупроводниках
- Автор:
Воробьев, Юрий Васильевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
1983
- Место защиты:
Киев
- Количество страниц:
367 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Полупроводниковые сетчатые наноструктурированные композиты на основе диоксида олова, полученные золь-гель методом, для газовых сенсоров | Грачева, Ирина Евгеньевна | 2009 |
| Моделирование процессов термического выглаживания и разупорядочения поверхности полупроводников | Казанцев, Дмитрий Михайлович | 2018 |
| Накопление дефектов в облучаемом ионами кремнии при пониженной плотности каскадов смещений | Азаров, Александр Юрьевич | 2004 |