Генерационно-рекомбинационные эффекты горячих носителей заряда в компенсированных полупроводниках
- Автор:
Воробьев, Юрий Васильевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
1983
- Место защиты:
Киев
- Количество страниц:
367 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование структуры частиц веществ наноразмерной дисперсности | Дудин, Александр Александрович | 2011 |
| Электронные состояния на поверхности GaAs с адсорбированными слоями цезия и сурьмы | Журавлев, Андрей Григорьевич | 2010 |
| Светодиоды и фотоприемники для средней ИК-области спектра на основе изопериодных гетероструктур II типа в системе GaSb-InAs | Стоянов Николай Деев | 2005 |