Генерационно-рекомбинационные эффекты горячих носителей заряда в компенсированных полупроводниках
- Автор:
Воробьев, Юрий Васильевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
1983
- Место защиты:
Киев
- Количество страниц:
367 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Получение и исследование наноструктурированных гибридных материалов InSb-MnSb с высокими критическими температурами | Алам Махмудул | 2013 |
| Субмиллиметровая спектроскопия двумерных полупроводниковых структур в сильном магнитном поле | Сучалкин, Сергей Дорианович | 1998 |
| Комплексное исследование полупроводниковых соединений Cu2-xS с использованием метода ЯКР 63,65Cu | Сафонов, Александр Николаевич | 2007 |