Генерационно-рекомбинационные эффекты горячих носителей заряда в компенсированных полупроводниках
- Автор:
Воробьев, Юрий Васильевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
1983
- Место защиты:
Киев
- Количество страниц:
367 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Генерационно-рекомбинационные эффекты горячих носителей заряда в компенсированных полупроводниках», автор — Воробьев, Юрий Васильевич, относится к типу: докторская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Киев в 1983 году. Объем работы: 367 c. : ил. Внутренний код товара: 01004026054. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Структура и свойства поверхностных реконструкций Si(111)33-Bi и Si(111)33-Au, модифицированных атомами металлов | Яковлев Алексей Андреевич | 2016 |
| Атомно-молекулярные и электронные процессы на поверхности полупроводников, помещенных в диссоциированные газы | Мосин, Юрий Викторович | 1998 |
| Квантовые кинетические явления в дырочном газе размерно-квантованной валентной зоны германия | Неверов, Владимир Николаевич | 2013 |