Кристаллизационные волны в He4

• Автор: Паршин, Александр Яковлевич
• Шифр специальности: 01.04.09
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1983
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 165 c. : ил

ГЛАВА I. ПОВЕРХНОСТЬ КЛАССИЧЕСКОГО КРИСТАЛЛА II
1.1. Поверхностная энергия II
1.2. Упругие свойства поверхности
1.3. Структура поверхности при Т = О
1.4. Взаимодействие дефектов поверхности
1.5. Структура поверхности при Т Ф 0
1.6. Некоторые вопросы кинетики роста
1.7. Выводы
ГЛАВА 2. ПОВЕРХНОСТЬ КВАНТОВОГО КРИСТАЛЛА
2.1. Квантовошероховатое состояние
2.2. Когерентная кристаллизация
2.3. Кристаллизационные волны
2.4. Поверхности больших индексов Миллера
2.5. Прохождение звука через квантовошероховатую поверхность
2.6. Выводы
ГЛАВА 3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ МЕТОДИКА
3.1. Оптический криостат
3.2. Методика выращивания кристаллов
3.3. Методы возбуждения кристаллизационных волн
3.4. Выводы

ГЛАВА 4. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ПО
4.1. Визуальные наблюдения ПО
4.2. Спектр кристаллизационных волн 1Г7
4.3. Затухание кристаллизационных волн
4.4. Обсуждение результатов и некоторые перспективы
4.5. Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

Огромное разнообразие используемых в современной технике кристаллов, как природных, так и искусственных, сильно затрудняет поиск общих закономерностей, управляющих ростом совершенных кристаллов. Пожалуй, единственное достаточно общее утверждение, относящееся к этой области физики, состоит в том, что чем выше качество кристалла, тем медленнее он должен расти. Такое утверждение вполне согласуется как с повседневной практикой, так и с общими концепциями статистической физики. В самом деле, для того чтобы при росте кристалла в нем "замораживалось" как можно меньше дефектов, необходимо, чтобы процесс роста происходил в условиях, как можно более близких к полному равновесию, а это и означает обычно, что скорость роста должна быть как можно меньше.
Сформулированное утверждение отражает одну из наиболее серьезных трудностей, связанных с проблемой выращивания совершенных монокристаллов. Было бы чрезвычайно важно, как в научном, так и в практическом отношении, найти"опровергающий пример", т.е. пример кристалла, который бы. мог расти с достаточно большой скоростью в условиях, сколь угодно близких к равновесию. Это требование можно уточнить следующим образом. Применительно к задаче о росте кристалла степень отклонения от равновесия можно характеризовать величиной 6Д разности химических потенциалов кристалла и среды, из которой кристалл растет. Требование, согласно которому скорость роста V остается конечной при сколь угодно малых <Р/л. , означает, что кинетический коэффициент роста Д , определяемый соотношением
(I)

Рис. 6. Энергетическая зона изолированного излома.