Захват и газовыделение дейтерия при ионном внедрении в вольфрам

• Автор: Гаспарян, Юрий Микаэлович
• Шифр специальности: 01.04.08
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2009
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 125 с. : ил.

Оглавление
Введение

1 Обзор литературы

1.1 Взаимодействие ионов водорода с твердым телом

1.1.1 Общие определения

1.1.2 Захват водорода в металлы из газа и пучка ионов

1.1.3 Проницаемость водорода через металлы

1.1.4 Моделирование поведения водорода в твердом теле

1.2 Методы исследования захвата водорода

1.3 Захват водорода в вольфраме

1.3.1 Фундаментальные параметры вольфрама

1.3.2 Дефекты в вольфраме
1.3.3 Транспорт водорода в объем
1.3.4 Интегральные зависимости
1.4 Влияние углеродных покрытий на взаимодействие водорода
материалами
1.4.1 Особенности взаимодействия ионов водорода с углеродом
1.4.2 Влияние углеродных покрытий на проницаемость через металлы
2 Описание установок и методов исследования
2.1 Медион
2.2 ТДС-стенд
2.3 PERMEX
2.4 Анализ ионным пучком МэВных энергий
2.5 SAXS
2.6 FEI Helios

5.5 Выводы к Главе
Заключение ц
Литература

Список сокращений:
ОПМ - обращенный к плазме материалы ТЯР - термоядерный реактор ТТ - твердое тело
ТДС - термодесорбционная спектроскопия
РЭМ - растровый электронный микроскоп
МЯР - метод ядерных реакций
POP - резерфордовское обратное рассеяние
ACM - атомный силовой микроскоп
РФЭС - рентгеновская фото-электронная спектроскопия
ВИМС - вторично-ионная масс-спектрометрия
ЭДС - энерго-дисперсионная спектроскопия
ПЭМ - просвечивающий электронный микроскоп

Еще один процесс, характерный для углеродных материалов, - это химическое распыление. Это явление наблюдается при повышенных температурах и приводит к повышенной скорости распыления, за счет выделения летучих углеводородных соединений. На данный момент это явление достаточно хорошо изучено, существуют модели [71-73], описывающие элементарные процессы и основные закономерности, наблюдаемые в экспериментах. Коэффициент химического распыления зависит от материала, температуры и энергии налетающих ионов. На рис. 1.14 приведены характерные зависимости коэффициента распыления от температуры и энергии падающих ионов дейтерия. Обе зависимости имеют максимум, который достигается при температуре 800 К и энергии 200 эВ/Б, соответственно. Положение несколько меняется в зависимости от остальных параметров. Увеличение плотности потока ионов приводит к уменьшению

0.01
РеШегШт ипра<Д епегду (кеУ)

Рис. 1.14. Зависимость химического распыления от энергии ионов (при комнатной температуре и темпераутере максимальной скорости распыления [74]) и от температуры (для ионов Н+, Б+, Т+ с энергией 100 эВ [71])
коэффициента распыления [71] и сдвигу температуры максимума распыления в область больших температур [71].