Процессы реконструкции и взаимодействия с кислородом чистой (100) поверхности соединений АIII BV

• Автор: Уустаре, Теэт Оттович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1982
• Место защиты: Тарту
• Количество страниц: 159 c. : ил

1. Введение
2. Структура чистых (100) поверхностей полупроводниковых соединений типа А^ В** и их взаимодействие
с кислородом ( обзор литературы )
2.1. Реконструкция чистой поверхности
2.2. Механизмы реконструкции поверхности
2.3. Общая характеристика процесса адсорбции на поверхности
2.4. Адсорбция кислорода на (НО) поверхности
2.5. Адсорбция кислорода на (100) поверхности
2.6. Влияние термической обработки на покрытую кислородом поверхность
3. Методика и аппаратура экспериментальных исследований ,
3.1. Методы получения чистой поверхности
3.2. Дифракция электронов низкой энергии
3.3. Оже-электронная спектроскопия
3.4. Определение истинного вида Оже-линий
3.5. Экспериментальная установка
3.6. Регистрация линий Оже-электронов двухсекторным анализатором тормозящего поля
3.7. Мягкая рентгеновская спектроскопия потенциалов возбуждения

4. Структура чистой (100) поверхности соединений типа

4.1. Результаты исследования методом ДЭНЭ
4.2. Общие закономерности реконструкции чистой (100) поверхности
4.3. Модели структур поверхности
5. Исследование методами ДЭНЭ и ОЭС адсорбции кислорода на (100) поверхности полупроводниковых соединений типа А'"ВУ и влияния отжига на структуру адсорбционных слоев
5.1. Результаты исследования методом ДЭНЭ
5.2. Результаты исследования методом ОЭС
5.3. Анализ результатов
5.4. Выводы
6. Выводы
7. Литература
8. Приложение

I. ВВЕДЕНИЕ
Поверхность привлекает внимание исследователей с тех пор, когда стало ясно, что она является не только геометрической границей вещества, но и областью твердого тела, физические и химические свойства которой резко отличаются от объемных и через которую осуществляется взаимодействие твердого тела с окружающей средой. Однако, возможность получения достоверных данных о свойствах поверхности твердого тела возникла лишь в последние два десятилетия, благодаря развитию экспериментальной техники. И в то же время возможность определения и контроля поверхностных свойств приобрела огромную практическую ценность для решения конкретных технологических задач в различных отраслях промышленности. Интегральная и планарная полупроводниковые технологии, эмиссионная электроника, создание пленочных оптических покрытий и твердотельных электролюминесцентных индикаторов, повышение коро-зионостойкости материалов, катализ - это далеко не полный перечень областей, в которых результаты исследования поверхности уже внесли большой практический вклад и дальнейший прогресс которых немыслим без прогресса в исследовании поверхности. Решая одновременно фундаментальные и прикладные задачи, новая и актуальная область науки - физика поверхности находится сейчас на этапе интенсивного развития: собираются данные о свойствах поверхности и о их изменении в процессах, протенающих на поверхности при различных внешних взаимодействиях и в то же время принимаются первые попытки установления закономерностей в наблюдаемых явлениях, формулируются выводы и обобщения.

ветственно. Условия возникновения дифракционных максимумов можно наглядно иллюстрировать с помощью сферы Эвальда. Дифрагированные лучи возникают в направлениях, определяемых пересечением сферы Эвальда с прямыми обратной решетки (рис.
5.1 а). Если расположить кристалл в центре кривизны квазисферического люминесцентного экрана, то в местах падения на экран дифрагированных лучей возникают дифракционные рефлексы, которые согласно вышеуказанному представляют собой изображение обратной решетки кристалла. Рефлексы обозначаются парой чисел (Ьк), соответствующей индексам вектора обратной решетки Из рис. 3.1а можно определить изменение геометрии дифракционной картины при изменении энергии падающих электронов: при увеличении энергии рефлексы сближаются к рефлексу (00). Реконструкция поверхности способствующая увеличению стороны элементарной ячейки в т раз приводит к появлению в дифракционной картине т-4 дополнительных рефлексов между рефлексами от идеальной поверхности (основных рефлексов). При сохранении индексов основных рефлексов эти дополнительные рефлексы будут иметь дробные индексы Ь/(т-4).
Дифракционная картина от упорядоченной поверхностной структуры, наблюдаемая с помощью идеального инструмента должна состоять мз четких рефлексов и фона с нулевой интенсивностью между ними. Квазисферические сетки, используемые для выделения упругоотраженных электронов в реальном дифрактометре имеют, однако, конечную прозрачность, вследствие чего в реальных дифракционных картинах появляется фон от неупруго рассеянных электронов. Отношение интенсивностей рефлексов и