Фазовые диаграммы, трикритические точки и оптические свойства сегнетоэлектриков группы А V В VI С VII

• Автор: Герзанич, Емельян Иванович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1983
• Место защиты: Ужгород
• Количество страниц: 380 c. : ил

О ГЛАВЛЕНИЕ

ГЛАВА I МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ СЕГНЕТО-ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СВОЙСТВ КРИС -ТАЛЛОВ В УСЛОВИЯХ ГВДРОСТАТИЧЕСКИХ ДАВЛЕНИЙ

1.1 Установка высокого давления для оптических и электрофизических исследований

1.2 Камеры высокого давления с фиксируемым зажимом и внешней поддержкой. Малогабаритный- и гидропресс усилием 200 х 400 Т

1.3 Методика исследований оптических и электрофизических свойств кристаллов

1.3.1 Измерение оптических свойств и электропроводности

1.3.2 Измерение спонтанной поляризации и диэлектрической проницаемости

1.4 Подбор и приготовление образцов для исследований

СВОДКА РЕЗУЛЬТАТОВ ПО ГЛАВЕ I

ГЛАВА 2 ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ И р-Т-зс ДИАГРАММЫ

2.1 Некоторые свойства сегнетоэлектрика-полупроводника при фазовых переходах
2.1.1 Фазовые переходы второго рода
2.1.2 Фазовые переходы первого рода
2.1.3 Поведение ширины запрещенной зоны при фазовых переходах первого и второго рода
2.1.4 Влияние гидростатического давления на фазовые переходы
2.2 Сегнетоэлектрический фазовый переход и мягкая мода
2.3 Тип и характер фазовых переходов в сегнетоэлектриках
группы АУВУ1СУП
2.4 Изменение симметрии и природа низкотемпературного фазового перехода в SbSI
у ут уп
2.5 Фазовые диаграммы сегнетоэлектриков группы A BJ-43
СВОДКА РЕЗУЛЬТАТОВ ПО ГЛАВЕ
ГЛАВА 3 ВЛИЯНИЕ ГИДРОСТАТИЧЕСКОГО ДАВЛЕНИЯ НА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
3.1 Диэлектрическая проницаемость, диэлектрические потери
и коэрцитивное поле монокристаллов SbSI
3.2 Диэлектрические свойства примесных кристаллов SbSI
и твердых растворов si . Особая точка
3.3 Сегнетоэлектрические свойства кристаллов SbSI и твердых растворов Bi^Sb^-xSl
3.4 Диэлектрические и сегнетоэлектрические свойства твердых растворов As^sb^
3.5 Диэлектрические и сегнетоэлектрические свойства твердых растворов SbSBrl^ и <эЬ9еэс5л_эс1
3.6 Влияние гидростатического давления на мягкую моду в сегнетоэлектриках группы AySy-*byn, Параметр Грюнайзена
СВОДКА РЕЗУЛЬТАТОВ ПО ГЛАВЕ
ГЛАВА 4 ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
4.1 Край поглощения и оптические переходы в сегнето « электриках группы АУВУ10УП
4.1.1 Непрямые оптические переходы в SbSI, SbSBr и
BiSBr
4.1.2 Правило Урбаха и прямые оптические переходы в SbSI
4.2 Спектры отражения и зонная структура сегнетоэлектриков группы АУВУ1СУП
4.3 Влияние всестороннего сжатия на край поглощения,
спектры отражения и зонную структуру сегнетоэлектри-ков группы АУВУ-*-СУ^
4.4 Оптическая анизотропия и показатели преломленияSbSl
4.5 Поляризация света в области фазового перехода SbSl
и структура сосуществующих фаз
СВОДКА РЕЗУЛЬТАТОВ ПО ГЛАВЕ
ГЛАВА 5 ТРИКРИТИЧЕСКИЕ ТОЧКИ
5.1 Диэлектрические свойства и трикритическая точка в
SbSl
5.2 Оптические свойства вблизи трикритической точки
SbSÎ
5.3 Структура сосуществующих фаз вблизи трикритической точки SbST
5.4 Влияние гидростатического давления на эффект Керна-Харбеке в SbST
5.5 Трикритические точки в сегнетоэлектрических твердых
растворах группы АУВУ^СУ^
СВОДКА РЕЗУЛЬТАТОВ ПО ГЛАВЕ
ГЛАЗА 6 СЕГНЕТОПОЛУПРОВОДНИКОВНЕ ТВЕРДЫЕ РАСТВОРИ ГРУППЫ
дУвУ1сУП и ж ПРАКТИЧЕСКОЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ
5.1 Влияния изоморфного замещения на температуру Кюри, диэлектрическую проницаемость, спонтанную поляризацию и ширину запрещенной зоны
6.2 Влияние концентрации примеси и гидростатического давления на фазовые переходы в сегнетоэлектриках группы
6.3 АУВУ-^СУ^ ( термодинамическое описание)
6.3 Влияние изоморфного замещения и гидростатического давления на свободную энергию твердых растворов
группы АУВУ1СУП
6.4 Влияние одноосной механической деформации на электропроводность и диэлектрическую проницаемость SbSl

рая схематически представлена на рис. II. Ячейка размещалась на столике микроскопа. Внутри ячейки циркулировала вода, которая подавалась из термостата. В отверстие ячейки свободно входил объектив микроскопа, с помощью которого осуществлялось наблюдение и фотографирование поверхности кристалла. Последний находился на дне ячейки в среде силиконового масла, для хорошего теплового контакта.
Другое приспособление, сконструированное нами для изучения явления поляризации и измерения пропускания света отдельными полосами сосуществующих фаз, представляло собой трехоконный цилиндрический сосуд, в объеме которого циркулировала термостатируемая жидкость (рис.12). Ячейка крепилась на оптической скамье с по -мощью стойки (8). С одной стороны ячейки находился монохроматор, а с другой - микроскоп в сочетании с анализатором и ФЭУ. Хорошее термостатирование криоталла достигалось тем, что он крепился на выступе корпуса (3) из бериллиевой бронзы, который также термо-статировался. Объем (2), внутри которого находился образец, также был соединен с термостатом.
1.3.2 ИЗМЕРЕНИЕ СПОНТАННОЙ ПОЛЯРИЗАЦИИ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ
Спонтанная поляризация Р и коэрцитивное поле определялись по насыщенным петлям диэлектрического гистерезиса, по методу изобар и изотерм. Исследование петель гистерезиса осуществлялось с помощью как обычной [771, так и модифицированной [78-81] схем Сойера-Тауэра. В первом случае спонтанная поляризация регистрировалась стрелочным прибором МВЛ-2М. Осциллограф ЭО-7 служил индикатором существования петли и одновременно индикатором степени компенсации петли гистерезиса. Такой способ определения Р гарантировал точность £ 1%, На вертикально отклоняющие пластины элек-