Селективная лазерная спектроскопия активированных кристаллов и стекол

• Автор: Басиев, Тасолтан Тазретович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1983
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 401 c. : ил

ГЛАВА I. СОЗДАНИЕ ВЫСОКОЭФФЕКТИВНЫХ ПЕРЕСТРАИВАЕМЫХ ЛАЗЕРОВ НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛОВ ЬіР С ^ и РгГ

ЦЕНТРАМИ ОКРАСКИ.

1.1 Твердотельные перестраиваемые лазеры на электронно-колебательных переходах собственных и примесных центров (обзор литературы)

1.2 Генерационные характеристики перестраиваемых лазеров на центрах окраски

в кристаллах

1.2.1 Перестраиваемые лазеры на Гг ЦО в кристаллах

с повышенным ресурсом работы

1.2.2 Генерация на /2*ДО с предварительной фотоионизацией в канале лазерной накачки

1.2.3 Эффективные перестраиваемые лазеры на основе крис таллов

1.3 Лазерно-люминесцентный спектрометр для нестационарной селективной спектроскопии активированных твердых тел
Глава II. ИССЛЕДОВАНИЕ СПЕКТРАЛЬНЫХ И РЕЛАКСАЦИОННЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ЛОКАЛЬНЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ ПРИМЕСЕЙ В СТРУКТУРН0-РАЗУП0РЯД0ЧЕННЫХ МАТРИЦАХ
2.1 Селективные методы в спектроскопии активированных сред
2.2 Штарковская структура неоднородноуширенных спектров. Дисперсия расщеплений. Корреляция энергий различных электронных переходов
2.2.1 Селективная спектроскопия неоднородноуширенных полос люминесценции
2.2.2 Селективная спектроскопия неоднородноуширенных абсорбционных полос
2.3 Структура электронно-колебательных переходов при
неоднородном уширении спектров
2.4 Однородное уширение неоднородноуширенных спектров и его температурная зависимость
2.5 Дисперсия скоростей распада метастабильного состояния и вероятностей излучательных и безызлуча-тельных переходов в коллективе опектрально-неэквивалентных оптических центров
Глава III. СТАТИЧЕСКИЙ ДОНОР-АКЦЕПТОРНЫЙ ПЕРЕНОС ЭНЕРГИИ ЭЛЕКТРОННОГО ВОЗБУЖДЕНИЯ ПРИМЕСНЫХ ИОНОВ В НЕУПОРЯДОЧЕННЫХ СРЕДАХ
3.1 Вопросы теории статического переноса в неупорядоченной среде
3.2 Кросс-релаксационное тушащее взаимодействие иоР з+
нов 'Ь** и пространственное распределение активаторов в Ьі- Ьа--фосфатном стекле
3.3 Донор-акцепторные взаимодействия ионов Шв
стекле
ГЛАВА ІУ. Динамика донор-донорной миграции электронных возбуждений в неупорядоченных средах. Спектрально-селективная миграция
4.1 Перенос энергии в паре взаимодействующих ионов
(анализ теоретических моделей)
4.2 Спектрально-селективная низкотемпературная миграция с участием фононов

4.3 Спектрально-селективная резонансная миграция
энергии
Глава V. СПЖТРАЛЬНО-НЮЕЛЕКТИВНАЯ ОБРАТИМАЯ МИГРАЦИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ ВОЗБУЖДЕНИЙ В НЕУПОРЯДОЧЕННЫХ СРЕДАХ
5.1 Анализ теоретических моделей спектралъно-неселек-тивной обратимой миграции энергии
5.2 Анализ результатов машинного моделирования спектральной миграции
5.3 Экспериментальное исследование высокотемпературной спектральной миграции энергии в разупорядоченной
стеклообразной среде с примесями
5.3.1 Упорядоченная и неупорядоченная стадии кинетики миграции. Квадруполь-квадрупольное взаимодейстг~ 34вие ионов кц
5.3.2 Нестационарная и диффузионная стадии кинетики миграции. Диполь-дипольное взаимодействие ионов
У1*+
ЗАКЛЮЧЕНИЕ. ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОШ
ПРИЛОЖЕНИЯ
I. Оптические свойства и термоустойчивость центров
окраски в и Г
/“7
г центров окраски в кристаллах ЫР
при селективном лазерном возбуждении
3. Применение кристаллов Ы Р с центрами окраски
в качестве пассивных лазерных затворов
ЛИТЕРАТУРА

лах "паразитных" каналов захвата свободных электронов (например, на остаточных примесях) приводит к постоянному подавлению канала образования /# ЦО.
Обратимся снова к схеме (1.2.3). Здесь мы пока не рассматривали процесс прямой рекомбинации ЦО и электронов с образованием нейтральных г% центров. Однако обнаружение и исследование такого процесса может иметь важное практическое значение для регенерации фотоустойчивых, но термически нестабильных лазерных кристаллов с ЦО в исходное стабильное состояние
(с /•? центрами). Это также важно и для увеличения фотостабильности лазеров, генерирующих непосредственно на нейтральных /&
ЦО.
Измерение длинноволновой границы для процессов одно - и двухступенчатой фотоионизации /•£ и /ц центров окраски в ЫР
позволяет составить примерную схему расположения их уровней в запрещенной зоне, как это показано на рис.1.2.2. Как показали эксперименты (и видно из рис.1.2.2.), реальная возможность селективной фотоионизации Рк ЦО при монохроматической или бихро-матической накачке позволяет создать некоторую концентрацию свободных электронов.
На рис.1.2.1а и 1.2.16 кривыми 3 представлены опектры поглощения активных областей кристаллов после воздействия на них излучения третьей гармоники неодимового лазера с параметрами излучения: Л = 0,354 мкм, = 15 но, Ри = 0,025 МВт,
$ = 25 Гц. Исчезновение полосы с Лт = 0,96 мкм (на рис. 1.2.16) объясняется распадом ЦО в результате прямой фото-ионизации одного из трех локализованных на них электронов, что приводит к дополнительному образованию нейтральных /~1 центров: