Процессы переноса в реальных кристаллах во внешних полях

• Автор: Корнюшин, Юрий Васильевич
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1983
• Место защиты: Киев
• Количество страниц: 253 c. : ил

Глава I. Некоторые вопросы теории электропроводности неоднородных проводников
§ I. Постановка задачи об электропроводности кристалла с дефектами
§ 2. Элементарная теория галъваномагнитных эффектов в неоднородном проводнике
§ 3. Вклад включений и полостей в электропроводность
Глава 2. Приложения изложенной теории электропроводности неоднородных проводников к кристаллам с дефектами
§ I. Влияние дислоканий на электропроводность металлов
1. Хаотическое расположение .дислокаций
2. Упорядоченное расположение дислокаций
3. Неоднородное локально-хаотическое расположение дислокапий
§ 2. Влияние дефектов на электропроводность полупроводников с простой зонной структурой
1. Неоднородное локально-хаотическое расположение заряженных точечных несовершенств
2. Экранирование деформационного потенциала
3. Экранированный деформационный потенциал краевой дислокации
4. Электростатический потенциал заряженной краевой дислокации
5. Хаотическое расположение заряженных краевых дислокаций
6. Неоднородное локально-хаотическое расположение дислокаций
§ 3. Изменение электропроводности в результате дислокационноного старения
1. Металлы
2. Полупроводники
§ 4. Электропроводность проводников, содержащих некоторые другие вицы дефектов
1. Точечные несовершенства и пары Френкеля в металлах
2. Опенка вклада границ зерен и ячеек
3. Оценка вклада плоских дислокационных скоплений
4. Оценка вклада деформаций вокруг клиновидных трещин
5. Учет расщепления дислокаций
Глава 3, Развитие теории электропроводности неоднородных проводников и ее приложения
§ I. Ограниченность изложенной теории
§ 2. Слоисто-неоднородные системы
1. Постановка задачи
2. Слоисто-неоднородные проводники
3. Зависимость поля Холла и поперечного магнетосопротивления от магнитного поля
4. Некоторые замечания о зависимости электропроводности неоднородных проводников от магнитного поля
5. Случай слабых магнитных полей
§ 3. Приложения теории слоисто-неоднородных систем к некоторым задачам
1. Условие квазиравновесности
2. Акустоэлектрические эффекты в металлах
3. Акустогальваномагнитные эффекты в полупроводниках
4. Нарушение закона Ома в примесных полупроводниках в негреющих полях
§ 4. Модели пространственно-неоднородных проводников, допускающие точные решения
§ 5. Интерпретация экспериментальных данных по электропроводности деформированного электронного кремния
1. Условия проведения эксперимента
2. Малая плотность дислокаций
3. Существенно неоднородный полудроЕодник
4. Инверсия тина проводимости т?5
5. Выводы
§ 6. Многодолинные полупроводники
1. Постановка задачи. Общая теория
2. Заряженные точечные несовершенства
3. Винтовые дислокации в кремнии
4. Неоднородное локально-хаотическое расположение винтовых дислокаций
5. Численные опенки для винтовых дислокаиии в кремнии
§ 7. Теория нормального скин-эффекта в неоднородных проводниках
1. Постановка задачи
2. Модель поверхностного слоя
3. Теория возмущений Т44
4. Приложение результатов теории возмущений к частным видам неоднородности
5. Особенности скин-эффекта в многодоменных ферромагнетиках J3I
6. Особенности скин-эффекта в оцноцоменных ферромагнетиках
Глава 4. Диффузионная кинетика макродефектов и атомов примеси в условиях электронагрева
§ I. Введение
§ 2. Диффузионный механизм изменения дефектов в ансамбле в условиях изотермического электронагрева
1. Постановка задачи. Общая теория
2. Приложение к дислокационным петлям

С учетом (2.2.20) легко заметить, что часть С£1 удовлетворяет уравнению
Это уравнение тождественно уравнению для экранированного электростатического потенциала, который без учета экранирования имеет виц ( 1 - кТ/е С ) . Заметим, что в формуле (2.2.21) второе
ном полупроводнике с простой зонной структурой экранированный деформационный потенциал состоит из неэкранированного потенциала
го слагаемого - экранированного потенциала у . Неэкранирован-ная малая часть деформационного потенциала в большинстве случаев оказывается несущественной. В частности, рассматриваемое неэкра-нированное слагаемое сказывается на величине поправки к кинетическим коэффициентам, обусловленной наличием дислокаций, не более чем на [ кТ(1цЬ<1А/Яж)/еС] * 100$ , что при комнатной температуре и С = Ю В не превышает 2,5$
3. Экранированный деформационный потенциал краевой дислокации
Деформационный потенциал краевой дислокации на расстояниях от оси дислокации, больших радиуса ядра дислокации (но меньших радиуса экранирования Дебая-Гюккеля), обратно пропорционален расстоянию от оси дислокации. Поэтому развиваемая здесь теория явлений переноса справедлива на таких расстояниях У от оси дислокации, при которых справедливо неравенство I т ^ У , т.е. теория применима на расстояниях от оси дислокации, больших длины свободного пробега при рассеянии на фононах. Ввиду того что доле дисло-
(2.2.22)
слагаемое содержит малый множитель кТ/еС . Действительно, при

комнатной температуре кТ = 2,5.10 эВ , при С = 10 В получается кТ/еС = 2.5.10-3. Таким образом, видим, что е монодоляр-
% кТ/еС
, содержащего малый множитель к'Т/еС , и основно-