Особенности структуры и электронного строения гидридов переходных металлов и их сплавов

• Автор: Малючков, Олег Тимофеевич
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1983
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 352 c. : ил

Глава I. Научно-методические проблемы анализа структуры гидридов и ее связи с некоторыми характеристиками электронного строения

§ I. Введение

§ 2. Влияние размеров атомов на закономерности

структурных превращений в металлах

1. Ромбические структуры

2. Ромбоэдрические и гексагональные структуры23

3. О возможности вычисления атомных радиусов элементов на основе структурных соответствий и без эмпирических поправок

■ 4, 0 соответствии между атомным объемом и

атомными радиусами

§ 3. О возможности использования значений атомных и молекулярных объемов для оценок изменения некоторых параметров электронного строения

металлов, сплавов, интерметаллидов

§ 4. Влияние размеров атомов на формирование
структуры интерметаллидов. Молекулярные объемы. Молекулярные коэффициенты заполнения
жесткими шарами
§ 5. Разделение молекулярных объемов на собственные, приходящиеся на один атом в молекуле. Зависимость коэффициентов заполнения жесткими

шарами для молекулярных и собственных объемов от соотношения между объемами компонентов для фаз внедрения с ГЦК решеткой матрицы
1. Соединения типа АВ с заполненными октаэдрическими позициями (структуры типа а'аСе.)
2. Соединения типа АВ, атомы компонента В заполняют половину имеющихся тетраэдрических позиций (структуры типа сфалерита)
3. Соединения типа АВ2 с полностью заполненными компонентом В тетраэдрическими позициями
4. Соединения типа АВ3 с полностью заполненными компонентом В тетраэдрическими и октаэдрическими позициями
а) Молекулярный коэффициент заполнения
б) Коэффициенты заполнения жесткими парами собственных объемов матричного и внедренного атомов
§ 6. Коэффициенты заполнения молекулярных и собственных объемов жесткими шарами фаз внедрения типа
АВ с ОЦК решеткой матричного компонента
§ 7. Методика определения собственных объемов атомов в бинарных соединениях с помощью структурных
данных
Выводы к I главе
Глава II. Структурные исследования и анализ изменений некоторых характеристик межатомного взаимодействия в гидридах переходных металлов

§ I. Гидриды палладия и никеля
? 2. Гидриды ванадия, ниобия, тантала, титана, циркония, гафния
1. Общие положения
2. Гидриды ванадия, ниобия, тантала
Б. Особенности строения гидридов титана,циркония, гафния
§ S. Гидриды редкоземельных металлов и иттрия
I. О структурной неустойчивости тригидридов редкоземельных металлов с гранецентриро-ванной кубической решеткой металлической
матрицы
2. Анализ структурных данных гидридов легких
редкоземельных элементов
§ 4. Некоторые особенности электронного строения
гидридов и галогенидов щелочных металлов
Выводы к П главе
Глава III. Диффузия водорода в гидридах переходных металлов
§ I. Особенности диффузии водорода в переходных металлах, требования к методике и ее выбор
§ 2. Результаты экспериментального исследования диффузии водорода в гидридах переходных металлов и их сплавов
1. Система титан-ниобий-водород
2. Система титан-ванадий-водород
3. Система титан-молибден-водород
4. Системы La) Се) Pr} //d — Ц

UJ6- объем, приходящийся на одну молекулу соединения;
R и t радиусы "жестких шаров" матрицы и второго компонента,определяемые из структурных соотношений, причем
В качестве модели молекулы соединения рассмотрим ячейку Вигнера-Зейтца, соответствующую компоненту А в исследуемом соединении. При этом атомы компонента В как указывалось выше располагаются в позициях, соответствующих центрам]заданных пор ячейки. Межатомные расстояния d =s ъ +Я зависят от структурных позиций атомов элемента В. При этом молекулярный объем является функцией межатомного расстояния:
Чв, = CI.4.3)
где ß - коэффициент, зависящий от структуры. Множитель введен для удобства в последующих расчетах.
Используя соотношения (1.4.3) и (1.4.2) получаем общую формулу для вычисления коэффициента заполнения молекулярного объема жесткими шарами:

о “ Р с/3 (1.4.4)
выражение (1.4.4) преобразуем используя обозначение
оС = t/fl+Fi) (1.4.5)
тогда у" — у5 £ (i -otf* -f х.ог.3] (1.4,6)
заметим, что otmin 0.5*
Введем в рассмотрение так называемую критическую решетку -tsfl ( оС - 0,5).
Вычислим коэффициент заполнения молекулы решеткой, отвечающей критическому отношению:
<1.4.7)
следовательно
% (1.4.8)