Делокализованные и локализованные состояния позитронов и позитрония в щелочногалоидных кристаллах и полупроводниках

• Автор: Кузнецов, Павел Викторович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1983
• Место защиты: Томск
• Количество страниц: 222 c. : ил

189. Fische F.,Gümmer G. Quantennousbeute fur den Photochemischen Ahhou fon 0 -Zentren in KCl.- Zeitschrift fur Physik, 1966, b.189, h.97-112.
190. ITiminen R.H.,Männinen M. Positrons in Imperfect Solids : Theorija.- inj Positrons in Solids/ed.P.Hautojarvi.-Heidelhergj Springer, 1979, p. 197-243.

ОГЛАВЛЕНИЕ Введение *
Глава I. Обзор экспериментальных и теоретических работ по исследованию аннигиляции позитронов в щелочногалобидных кристаллах и полупроводниках
1.1. Аннигиляция позитронов и позитрония в веществе и её характеристики
1.2. Аннигиляционные характеристики позитронов в щелочно-галоидных кристаллах и полупроводниках с низкой концентрацией дефектов
1.2.1. Щелочногалоидные кристаллы с низкой концентрацией дефектов
1.2.2. Полупроводниковые кристаллы с низкой концентрацией дефектов
1.3. Модели позитронных состояний в идеальных щелочногалоидных и полупроводниковых кристаллах
1.3.1. Позитронные состояния в щелочногалоидных кристаллах
1.3.2. Позитронные состояния в полупроводниках
1.4. Аннигиляция позитронов в кристаллах с высокой концентрацией дефектов. Аннигиляционные центры
Глава 2. Описание экспериментальной аппаратуры, методики
эксперимента и обработки экспериментальных данных
2.1. Установка для измерения углового распределения анни-гиляционных фотонов
2.1.1. Механическая часть установки
2.1.2. Электромагнит
2.1.3. Вакуумная аннигиляционная камера
2.Х.4« Коллиматоры
2.1.5. Система отработки угла поворота подвижного плеча

2.1.6. Детекторы
2.1.7. Электронно-регистрирупщее устройство "Кедр"
2.1.8. Блоки питания
2.1.9. Погрешность измерений
2.2. Измерение спектров времени жизни позитронов
2.3. Измерение вероятности 3 - аннигиляции позитронов
2.4. Математическая обработка результатов.экспериментов
2.4.1. Обработка кривых УРА§
2.4.2. Обработка спектров времени жизни
2.5. Приготовление образцов и источников позитронов . . III
Глава 3. Делокализованные и локализованные позитрониевые
состояния в ЩГК
3.1. Обнаружение и исследование "высокотемпературных" делокализованннх позитрониевых состояний в кристаллах А/аСе повышенной чистоты
3.1.1. Обнаружение "высокотемпературного" делокализованного Рз в А/аС£ повышенной чистоты
3.1.2. Исследование позитрониевых состояний в кристаллах А/аСе (пвч)
3.2. Аннигиляция позитронов в щелочногалоидных кристал-
. лах легированных примесями
3.2.1. Исследование влияния электроно-акцепторных примесей на образование позитрониевых состояний в щелочногалоидных кристаллах
3.2.2. Аннигиляция позитронов в кристаллах , активированных ионами лития
Глава 4. Исследование аннигиляции позитронов в полупроводниках
4.1. Поиск и исследование позитрониевых состояний в полу-

Рассмотренная модель не объясняет высоких значений вероятности 3^ -аннигиляции позитронов в ЩІК, но позволяет объяснить величину короткоживущей компоненты спектра времени жизни
ментальными величинами которых модель дает удовлетворительное количественное согласие.
Эта модель позволяет также объяснить наличие в кривых УРАФ узкой компоненты с шириной /^ 3-5 мрад, которая явно выделяется при сравнении данных, полученных без и при помещении образца в статическое магнитное поле.
1.3.2. Позитронные состояния в полупроводниках
В исследованиях позитронных состояний в полупроводниках хорошее согласие расчетных и экспериментальных характеристик получено в рамках модели квазисвободных позитронов 49—537 .
Покажем, следуя [28] , что удовлетворительное описание экспериментальных результатов (УРАФ) для Вв можно получить,если рассматривать валентные электроны как игаз Ферми", к которому "подмешан" позитрон.
Измеряемая в эксперименте кривая является распределением % - компоненты импульса Л4 (Рг) »которая связана с распределением самого импульса ["1,27 !
Вблизи нулевой температуры модель "газа Ферми",как известно,
позитронов и фактора магнитного тушения орто- Р$ , с экспериІ.2І.
[і] ,дает:
1.22.