Фазовые переходы в кристаллах гафната свинца и гафната-титаната свинца

• Автор: Балюнис, Любовь Евгеньевна
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Ростов-на-Дону
• Количество страниц: 176 c. : ил

1. СТРУКТУРА И СВОЙСТВА ГАШАТА СВИНЦА И ЦИРКОНАТА СВИНЦА
1.1. Структура
1.2. Влияние внешних воздействий
1.3. Твердые растворы на основе РЬНГО} и РЬ И г 0
1.4. Диэлектрические исследования
1.5. Возможные типы двойникования в РЬНТОз
1.6. Выводы
2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.'
2.1. Выращивание кристаллов
2.2. Подготовка образцов к измерениям
2.3. Методы оптических исследований
2.4. Оптическая камера для температурных исследований
2.5. Методы электрических исследований
2.6. Выводы
3. КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ АНТИСЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ФАЗЫ (АСЭ I) ГАФНАТА СВИНЦА
Определение ориентации оптической индикатрисы . . . Сопоставление результатов кристаллооптических и
рентгеноструктурных исследований
90°-ное двойникование

3.4. 60°-ное двойникование
3.5. Клиновидные границы
3.6. Сравнение оптических свойств и двойникования
РЬН-Г0з и РЬ2г03при комнатной температуре
3.7. Выводы
4. КРИСТАЛЛООПТИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОЙ АНТИСЕГНЕТОЭЛЕКГРИЧЕСКОЙ ФАЗЫ (АСЭ П) И ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДОВ В ГАФНАТЕ СВИНЦА
4.1. Идентификация фазы АСЭ П
4.2. Ориентация оптической индикатрисы
4.3. Двойникование
4.4. Фазовые переходы
4.5. Выводы
5. ГАФНАТ СВИНЦА В СИЛЬНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЯХ
5.1. Фазовые переходы АСЭ I СЭ П
5.2. Фазовые переходы АСЭ I =^АСЭ П ^=СЗ П
5.3. Сравнение фазовых Т,Е-диаграмм РЬН-ПЗ^и РЬ2г03
5.4. Выводы
6. ОПТИЧЕСКИЕ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ГАФНАТА-ТИТАНАТА СВИНЦА
6.1. Фазовая Т,х-диаграмма кристаллов РЬН^.д"Пх
6.2. Оптические свойства и идентификация фаз
6.3. Двойникование
6.4. Фазовые переходы
6.5. Диэлектрические исследования

6.6, Сравнение свойств кристаллов гафната-титаната свинца и цирконата-титаната.свинца при хсОД
6.7. Выводы
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
ЛИТЕРАТУРА

эта плоскость, в свою очередь, перпендикулярна плоскости кристалла с симметричным погасанием, можно сделать вывод о том, что последняя является плоскостью оптических осей индикатрисы. Как известно, в плоскости оптических осей лежат наибольшая и наименьшая Пр оси индикатрисы. Исходя из того, что в двуосных кристаллах оптическая индикатриса является трехосным эллипсоидом, и плоскости кристалла с симметричным и параллельным погасанием взаимоперпендикулярны, следует, что средняя по величине ось оптической индикатрисы Пт перпендикулярна плоскости с симметричным погасанием и лежит в плоскости кристалла с параллельным погасанием.
Оптический знак кристалла можно определить по коноскопической фигуре, имеющей выход оптической оси /120-121/. Исходя из того, что отрезки лемнискат внутри ветвей гиперболы на коноскопической фигуре ГС смещаются при введении кварцевого клина к центру, а вне ветвей гиперболы - к переферии, и что выход оптической оси смещен в сторону наименьшей оси оптической индикатрисы Пр , следует, что ГС при комнатной температуре является оптически отрицательным, как и ЦС /51-52,103/.
Итак, ориентация оптической индикатрисы относительно огранки в кристаллах ГС и ЦС одинакова, рис.3.2. В произвольно выбранном кристалле ГС ориентацию осей оптической индикатрисы относительно огранки можно определить следующим образом: в кристаллах с симметричным погасанием оси Пр и Пс| - при помощи кварцевого клина или четвертьволновой пластинки, а в кристаллах с параллельным погасанием ось П т - по коноскопической фигуре, учитывая, что Пт>8, гдеВ= ПрПдх/ТДПр + Пс)2)^-- короткая полуось сечения индикатрисы плоскостью кристалла.