Теория магнитоиндуцированных явлений в сегнетоэлектриках типа смещения

• Автор: Эрд, Теэт Аугустович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Тарту
• Количество страниц: 211 c. : ил

Глава I. Литературный обзор

§ I. Вибронная теория структурных

фазовых переходов

§ 2. Влияние внешнего магнитного поля

на свойства сегнетоэлектриков

Глава II. Зависимости характеристик сегнето-электрика-полупроводника от внешнего

магнитного поля

§ 3. Гамильтониан и перенормированные вибронным

взаимодействием электронные спектры в

магнитном поле

§ 4. Характеристики вибронных СЭ фазовых

переходов типа смещения во внешнем
магнитном поле
§ 5. Случай узких электронных зон
§ 6. О принципиальной возможности возникновения
СЭ фазового перехода первого рода в
сильном магнитном поле
§ 7. Случай полупроводников с изотропными
параболическими энергетическими спектрами валентной зоны и зоны проводимости

§ 8. Магнитоиндуцированные сдвиги частоты
мягкой моды и Тс в многодолинных системах
§ 9. Учет дисперсии вибронной константы
§ 10.Влияние магнитного поля на СЭ фазовые
переходы первого рода
§ П.Магнитогистерезисный эффект
Глава III. Влияние примесных носителей на зависимости сегнетоэлектрических характеристик полупроводников от магнитного поля
§ 12.Свободная энергия и частота мягкой моды . .109 § 13. Случай вырожденных сегнетоэлектриковполупроводников
§ 14.Случай невырожденных сегнетоэлектриковполупроводников
Глава ІУ. Влияние внешнего магнитного поля на сегнетоэлектрические фазовые переходы в системах типа
§ 15.Гамильтониан, затравочные электронные спектры и константы вибронного взаимодействия во внешнем магнитном поле
§ 16.Случай смешивания и РАи - электронных
состояний - колебанием
§ 17.Частота мягкой моды в параэлектрической фазе

В.кГс
Рис.20. Зависимость точки Кюри невырожденного сегнето-электрика-полупроводника от индукции магнитного поля при 'Мр'М* , • Параметры: ^ =40; А =0,6 эВ;
X =0,1 X"2; У =2 эвХ-1; Е0 =18 эВ; =290 К. Кривая I - V) =0; 2 - у[| =3-Ю-5; 3 - У)/Н = 5*Ю"5; 4 -^/М =7-КГ5.

(5.8)

о(Т>
Мч(т)^
(5.9)
Для квадрата частоты мягкой моды в высокосимметричной фазе (4.12) с учетом (5.1) в случае узких зон получаем выражение

(5.10)
Здесь
^ть.уг/лм-).
(5.II)
Из уравнения (5.8) следует, что
/ (°>^У А [Ес(>УЕ4>% а ^ Ц, (5'12)