Радиационное создание Сl-3-центров и катионных дефектов в кристаллах КСl, легированных катионами-гомологами

• Автор: Щункеев, Куанышбек Щункеевич
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Тарту
• Количество страниц: 254 c. : ил

1. ВВЕДЕНИЕ

2. РАДИАЦИОННОЕ СОЗДАНИЕ АНИОННЫХ И КАТИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В ШГК (Литературный обзор)

2.1. Электронные возбуждения и их распад с рождением анионных френкелевских дефектов

2.2. Радиационное создание катионных

дефектов в ЩГК

2.3. Радиационные дефекты в ЩГК с примесью катионов-гомологов

2.4. Хд”-центры в ЩГК

2.5. Нерешенные проблемы и задачи настоящей

работы

3. ОБЪЕКТЫ И МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЯ

3.1. Объекты исследования

3.2. Техника эксперимента
4. ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ И ОПТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
KCl-Nci И KCl-Ll
4.1. Особенности твердых растворов KCl“NaCl
И KCl-LlCl
4.2. Электронные возбуждения и люминесценция кристаллов KCl-Na и KCL-LL
при 4,2 К
4.3. Рентгенолюминесценция кристаллов KCI,
KCl-Na и KCI-LL
5. ИОННАЯ ПРОВОДИМОСТЬ ОБЛУЧЕННЫХ КРИСТАЛЛОВ
HDI, KCL-Sl"» KCl-Na И KCl-Ll
5.1. Методика измерения ионной проводимости
кристаллов

5.2. Характеристика ионной проводимости

5.3. Влияние Х-облучения на ионную проводимость кристаллов KCI, KCl-St", KCl'Nci
и KCL-LI
6. CI3 - ЦЕНТРЫ И КАТИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ В KCI, KCl-Li.
И KCl-Sl
6.1. Спектры поглощения и термостимулированная люминесценция облученных кристаллов KCI
6.2. Примесные С1дд -центры в KCI-LL и
механизм их образования
6.3. Примесные CL -центры в KCl“Si" и мехаО А,
низм их образования
6.4. Модели примесных CI3 -центров в KCL-LL и
KCl-Sr » образующихся при взаимодействии
подвижных Н-центров с Нд и [-^-центрами
7. СОЗДАНИЕ АНИОННЫХ И КАТИОННЫХ ДЕФЕКТОВ
В Х-ОБЛУЧЕННЫХ КРИСТАЛЛАХ Кй~№
7.1. Спектры поглощения Х-облученных
кристаллов КС1-Ма
7.2. Термостимулированная люминесценция Х-облу-ченных кристаллов КС1~Ыс1
7.3. Структура С1д“-центров в КСИЧа
7.4. Обсуждение механизмов создания Х-облу-чением С1д——центров и катионных дефектов
В КС1^а. • • V
8. СОЗДАНИЕ АНИОННЫХ И КАТИОННЫХ ДЕФЕКТОВ ПРИ
РАСПАДЕ ОКОЛОНАТРИЕВЫХ ЭКСИТОНОВ В КСЫа
8.1. Селективное создание ВУФ-радиацией Рд,Н-
-пар

8.2. Создание ВУФ-радиацией f- и других
пиков ТСЛ
8.3. О распаде околонатриевых экситонов с излучением и с рождением френкелевских дефектов
8.4. 0 возможных механизмах распада околонатриевых экситонов с рождением катионных френкелевских дефектов
9. ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

ров в KBr [l7l] » KCL [ЗЗ] и R8Bf-[33], кроме Н-центров,возникают также Хр(Х2]°"аи частично ^-центры.
На рис. 7 приведены результаты экспериментов по изучению продуктов фотодиссоциации Хд“-центров в KCL по данным [33]. После облучения KCl при 80 К кристалл нагревался до 350 К (чтобы разрушить все центры, кроме CL~(V2j-центров, которые разрушаются в районе 400 К), а затем охлаждался до 80 К и подвергался воздействию УФ-радиации, соответствующей поглощению Clj-центров. После этого измерялась кривая ТСЛ и были обнаружены пики при 125 К (Нд), 205 К ( VK )и 235 К ( Vp ), что соответствует наличию в продуктах фоторазрушения Х3”-центров Н 7 VF(Cl~)lca и VK-центров. Это свидетельствует о вхождении V~ и V , а также Н-центров
С К
в состав Хд“-центров.
5. В работе Цунга, А.Лущика и Халдре [2l] вхождение Ч--центров в состав С13-центров, создаваемых Х-облучением в кристаллах KCl_N(^, доказано,тем, что в продуктах фоторазрушения этих центров V -центры обнаружены методом ЭПР.
Все эти факты (1-5) согласуются с тем, что Vz и ^ --центры представляют собой Хд”-молекулы, расположенные в двух анионных и одном катионном узлах решетки - (Х3]^са--центр. Эта модель для V^-центров была предложена и обоснована в работе Яансон , Гиндиной и Ч.Лущика [19] и подтверждена в последние годы большим экспериментальным материалом, обобщенным в обзоре [II].
В работе[19] для J^-ußüTра в КЬг была предложена модель (*-) • Однако эксперименты показали, что в продуктах фотодиссоциации ^-центров в КЪг присутсвуют Н VK~ и / -центры [23] и Хд“-молекула в -центрах также расположена в двух анионных и одном катионном узлах решетки.