Парамагнитные радиационные дефекты в галогенидах алкиламмония

• Автор: Мардухаев, Валерий Рувимович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Баку
• Количество страниц: 160 c. : ил

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

ГЛАВА I. РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ В ИОННЫХ КРИСТАЛЛАХ.

1.1. Центры окраски в щелочно-галоидных кристаллах

1.2. Центры окраски в аммонийно-галоидных кристаллах

1.3. Галогениды алкиламмония-органические аналоги

ЩГК и АГК .

1.4. Радиационные дефекты в галогенидах алкиламмония

1.5. Радиационное дефектообразование в органических молекулярных кристаллах

Глава II. ПОДГОТОВКА ОБРАЗЦОВ И МЕТОДИКИ ЭКСПЕРИМЕНТА.

П.1. Синтез,очистка и выращивание монокристаллов ГАА

П.2. Методика и аппаратура эксперимента

Глава III. РАДИАЦИОННОЕ ДЕФЕКТ00БРА30ВАН|Щ^ВАЛ0ГЕНИДАХ АЛКИЛАММОНИЯ.
Ш.1. Радиационное окрашивание ГАА
Ш.2. Парамагнитные радиационные дефекты в ГАА
Ш.2.1. Галогениды моноалкиламмония
Ш.2.2. Галогениды диалкиламмония
Ш.2.3. Галогениды триалкиламмония
Ш.2.4. Галогениды тетраалкиламмония
Ш.З. Механизм образования радиационных дефектов в ГАА
Заключение к главе Ш
Глава IV.РЕКОМБИНАЦИОННЫЕ ПРОЦЕССЫ В ^-ОБЛУЧЕННЫХ ГАА
Заключение к главе 1У
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
ЛИТЕРАТУРА

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ.
Актуальность темы. Одной из актуальных промблем в современной физике твердого тела, является проблема радиационной стойкости и радиационной чувствительности различного рода материалов. С одной стороны, развитие ядерной энергетики, лазерной, космической и некоторых других областей техники требует прогнозирования поведения конструкционных материалов в полях ионизирующих излучений высокой мощности. С другой стороны, создание детекторов ионизирующих излучений и активных сред оптических и электронно-лучевых запоминающих устройств для записи информации требует разработки новых соединений, радиационная чувствительность которых выше, чем у существующих материалов. Решение этих задач должно опираться на ясное понимание механизма процессов создания и стабилизации радиационных дефектов, и естественно, что в первую очередь исследования столь сложных процессов проводились на простейших модельных системах, в частности, на щелочногалоидных и аммонийногалоидных кристаллах (ЩГК и АГК). Однако ЩГК и АГК имеют узкий диапазон изменения физико-химических характеристик, затрудняющий прямую экстраполяцию закономерностей в радиационных процессах на более сложные по соетаву и структуре ионные кристаллы. Тем не менее значительный экспериментальный и теоретический опыт, накопленный при исследовании модельных соединений, позволяет перейти к изучению бодее сложных кристаллических структур, в состав которых входят органические фрагменты.
В качестве таких объектов исследования в данной работе выбраны галогенида алкиламмония (ГАА), имеющие общую формулу [МЩ-и] X (где И -алкильный радикал -СНз , С2Н5 , С3Н7 и

-С^Нд» И -степень замещения аммонийного иона и =1*4, Л -атом галогена). Данные соединения являются ближайшими органическими аналогами ЩГК и АГК, поскольку состав их анионных подрешеток одинаков, а комплексный катион [ЙпМН^-и]* выполняет в этих соединениях роль иона щелочного металла или аммония, имея при этом большие ионный радиус и поляризуемость. ГАА, благодаря разнообразию алкильных групп Й , различной степени замещения п и вариации иона галогена X , образуют обширный класс соединений, являющийся как бы переходным от типичных неорганических (ЩГК и АГК) к органическим кристаллам, радиационные процессы в которых изучены достаточно полно. В то же время систематическое исследование радиационных процессов в ГАА на сегодняшний день практически отсутствует.
Цель работы. Целью работы являлось изучение природы и закономерностей в образовании, стабилизации и рекомбинации парамагнитных радиационных дефектов, возникающих в ГАА под действием ионизирующего излучения, а также механизма их создания.
Научная новизна работы. В широком классе ионных кристаллов, ГАА изучены процессы радиационного дефектообразования. Выяснена природа и структура парамагнитных радиационных дефектов, возникающих в них под действием ионизирующих излучений. Идентифицировано большое количество радикалов катионного происхождения (Н°,СН3 ,йпчМ+На-цЙ » и др.), анион-радикалов Х2"
(типа Ми -центров окраски в ЩГК), а также в некоторых соединениях радикалов смешанного (анион-катионного) происхождения Й5М)( . Установлена связь между эффективностью образования
парамагнитных дефектов и молекулярной и кристаллической структурой исследованных соединений. Изучена рекомбинация обнаруженных парамагнитных дефектов, которая в некоторых случаях сопро-

Рис.З. Термостатирующая установка для выращивания монокристаллов из раствора.
I.Стеклянный стакан (4-5л.),2.Ампула с раствором кристаллизуемой соли,3.Мешалка,4.Мотор мешалки,
5.Нагреватель,6.Контрольный термометр,7.Контактный термометр, 8.Эл.мотор с редуктором установки скорости изменения температуры,9.Блок регулирования температуры.