Неравновесные электронно-дырочные процессы в кристаллических диэлектриках с ионным типом связи

• Автор: Ягов, Геннадий Васильевич
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Ленинград
• Количество страниц: 205 c. : ил

, ОГЛАВЛЕНИЕ
I. НЕРАВНОВЕСНЫЕ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЕ ПРОЦЕССЫ
В ИОННЫХ КРИСТАЛЛАХ
1.1 Создание элементарных возбуждений при воздействии
на диэлектрик высокоэнергетического излучения
1.2 Механизмы собственной рентгенолшинесценции
ионных кристаллов
1.3 Механизмы возбуждения примесного свечения
1.4 Проводимость ионных диэлектриков
1.4.1 Неравновесная проводимость диэлектриков при высокоэнергетическом возбуждении
1.4.2 Подвижность свободных носителей в диэлектрических кристаллах
1.4.3 Свойства р елак сированных и нерелаксированных носителей в ЩПС
1.5 Радиационное детектообразование в системах е автолокализующимися и неавтолокализутащимися экситонами
1.6 Физические свойства исследованных соединений
1.6.1 Электронные свойства КВ/~
1.6.2 Оптические свойства МдО
1.6.3 Электропроводность М30
1.6.4 Люминесценция и электропроводность чистых и
. активированных редкоземельными ионами монокристаллов су А
1.6.5 Фотопроводимость и люминесценция Р 1.7 Постановка задачи

2 . МЕТОДИКА. ЭКСПЕРИШНТА
2.1 Способы регистрации неравновесной проводимости
2.2 Экспериментальная установка для исследования неравновесной проводимости и люминесценции широкозонных материалов при импульсном рентгеновском возбуждении . 5&
2.2.1 Генератор рентгеновских импульсов прямоугольной
формы
2.2.2 Азотньш криостат и вакуумная система
2.2.3 Схема регистрации спектров и кинетики люминесценции
2.2.4 Регистрация рентгенопроводимости
2.3 Методика определения параметров неравновесных
носителей
2.3.1 Расчет числа генерированных носителей
3. ВЛИЯНИЕ СОБСТВЕННЫХ И ПР1ШЕСНЫХ ДЕФЕКТОВ НА РЕНТГЕНОпроводимость ионных кристаллов
3.1 Исследование РП монокристаллов Mg h и щік
3.1.1 Создание и разрушение объемного заряда в
под действием рентгеновского излучения
3.1.2 Неравновесная проводимость щелочно-галоидных кристаллов при рентгеновском возбуждении
3.2 Рентгенопроводимость при импульсном
воздействии
3.3 Обсуждение результатов
3.3.1 Параметры неравновесных носителей в ЩІК
3.3.2 Параметры неравновесных носителей в MgQ
3.3.3 Рентгенопроводимость в кристаллах с различными механизмами радиационного дефектообразования
3.3.4 Особенности накопления объемного заряда в Mcj^j

И MgO при рентгеновском облучении
4. ВЗАИМОСВЯЗЬ ШШЕСЦЕШЩ И НЕРАВНОВЕСНОЙ ПРОВОДИМОСТИ
В МОНОКРИСТАЛЛАХ CdFz И PW0O4
4.1 Исследование люминесценции и электропроводности чистых и активированных РЗЭ монокристаллов CdFz
4.1Л Рентгенолгамине сценция CdFz и Cdf,:TR3!
4.1.2 Спектры поглощения CdF2-W*
4.1.3 Стационарная проводимость Сс/Рг:Егъ+
4.1.4 Проводимость фтористого кадмия при импульсном рентгеновском воздействии
4.2 Оптические свойства молибдата свинца
4.2.1 Еото- и рентгенолюминесценция PSM0O4
4.2.2 Тегшературная зависимость Еыхода РЛ Р8М0О4
4.2.3 Поляризация люминесценции при рентгеновском возбуждении
4.2.4 Влияние тершческой обработки на оптические свойства
4.3 Неравновесная проводимость Р£Мо04 при рентгеновском импульсном возбуждении
4.3.1 Кинетика неравновесной проводимости
4.3.2 Анизотропия свойств неравновесной проводимости монокристаллов Р&М0О4
4.4 Исследование спектров люминесценции монокристаллов CaW04 при рентгеновском возбуждении .
4.5 Обсуждение результатов
4.5.1 Активаторная люминесценция CulFj :TR при возбуждении рентгеновскими импульсами
4.5.2 Взаимосвязь процессов электропереноса и люминесценции в монокристаллах CJFz'TR*

пературы.
В работе [l] исследована фотопроводимость системы CdFz:TR*+ данные о неравновесной проводимости монокристаллов CJF^ при высокоэнергетическом возбуждении в литературе отсутствуют.
1.6.5 Фотопроводимость и люминесценция Р8МоО<
Монокристаллы вульфенита ( Р8Мо 0^ ) относятся к структурам с шеелитоподобной кристаллической решеткой. Теоретически электронное строение этого типа структур изучено слабо, что объясняется их сложностью. Основные экспериментальные результаты при исследовании люминесценции и проводимости РЖ0О4 получены с помощью фотовозбуждения.
Беспримесные кристаллы
Р№о04 обычно бесцветны, однако могут приобрести желтую окраску после отжига [112,115] , иногда эта окраска появляется в процессе выращивания [77,150] . Положение края собственного поглощения Рзависит от температуры, и располагается в районе 3604-370 нм [l5l] . Желтоокрашен-ные образцы, кроме того имеют широкую полосу поглощения с максимумом в районе 435 нм [77,115,150] . В работе [ИЗ] проведено исследование зависимости края собственного поглощения P$Moty от стехиометрии кристалла, а также измерены спектры поглощения в области 300*1500 нм для кристаллов, окрашенных при 77 К. Относительно природы желтой окраски высказываются различные
предположения, так в [150] она связывается с наличием кислородных вакансий, захвативших один или два электрона; в работе [115] она связывается с образованием ионов Pêz а в [II2] предполагается образование агрегатных центров, состоящих из ионов Mni+, замещающих Р£г+в регулярных узлах решетки и расположенной рядом вакансии. Другие полосы поглощения, исследованные в [115] иден-тифицируются следующим образом: 380 и 575 нм как поглощение ио-