Короткоживущие состояния электронной и ионной подсистем и радиационные процессы в щелочногалоидных кристаллах

• Автор: Чернов, Станислав Александрович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Саласпилс
• Количество страниц: 324 c. : ил

Список сокращений

1. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА. МЕТОД ИМПУЛЬСНОЙ АБСОРБЦИОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ НА БАЗЕ

ИМПУЛЬСНЫХ УСКОРИТЕЛЕЙ ЭЛЕКТРОНОВ

1.1. Экспериментальная техника МИАС

1.1.1. Генераторы импульсных пучков

электронов

1.1.2. Регулировка параметров ускорителя

1.2. Абсорбционная спектроскопия с двойным (каскадным) возбуждением

1.3. Методика абсорбционной спектроскопии

с временным разрешением (АСВР)

1.3.1. Установка на базе ЛУЭ

1.3.2. Установка "Импульс"
1.4. Выбор оптимального уровня сигнала
1.5. Анализ кинетики релаксации оптического поглощения
1.6. Возможности методики АСВР
2. ПРОЦЕССЫ ОБРАЗОВАНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ
В ЩЕЛОЧНОГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛАХ
2.1. Введение
2.2. Экситонные механизмы образования дефектов
2.2.1. Диссоциативные механизмы образования дефектов
2.2.2. Механизмы потенциального смещения

2.3. Распыление щелочногалоидных кристаллов фотонами и электронами

2.4. Влияние примесей гомологического аниона на процессы дефектообразования в ЩГК

2.5. Влияние гомологических катионных примесей на процессы образования стабильных и короткоживущих дефектов в ЩГК

2.6. Влияние температуры на процессы образования короткоживущих и стабильных пар в ЩГК
2.7. Некоторые соображения о механизмах
образования френкелевских дефектов в ЩГК
2.8. Экспериментальное наблвдение эффекта "радиационной тряски" в ЩГК
Основные результаты главы
3. ДВИЖЕНИЕ ЗОННЫХ И АВТОЛ0КАЖ30ВАННЫХ ДЫРОК
В ЩЕНОЧНОГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛАХ
3.1. Движение нерелаксированных дырок при

температурах ниже температуры
делокализации /^ -центров

3.2. Движение нерелаксированных дырок при
температурах выше температуры
делокализации Ч< -центров

3.3. Термически активированное движение дырок ( /^-центров) в щелочногалоидных кристаллах

3.4. Модель термически активированного движения дырок в ЩГК

Основные результаты главы

4. КОРОТКОЖИВУВДЕ СОСТОЯНИЯ ЭЛЕКТРОННОЙ И ИОННОЙ ПОДСИСТШЫ И СЦИНШШШЦИОННЫЙ ПРОЦЕСС в 1ЩОЧНОГАЛОИДНЫХ СЦИНТИЛЛЯТОРАХ
4.1. Энергетический выход радиолюминесценции
4.2. Влияние плотности возбуждения на сдинтилляционный процесс
4.3. Вклад различных механизмов передачи
энергии в сдинтилляционный импульс
4.3.1. Экситонный механизм передачи энергии
4.3.2. Электронно-дырочный механизм
передачи энергии
4.3.2.1. Электронная рекомбинационная люминесценция без промежуточного
захвата электрона (Д )
4.3.2.2. Дырочная рекомбинационная люминесценция (Д )
4.3.2.3. Электронная рекомбинационная люминесценция (Д )
4.3.3. Электронно-дырочный механизм передачи энергии. Сцинтилляторы на основе кристаллов со структурой CsCt
4.4. Роль короткоживущих состояний в сцин-тилляционном процессе и требования к
системе кристалл-активатор
Основные результаты главы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

ратурная область тушения триплетной экситонной люминесценции хорошо коррелирует с областью температурной зависимости эффективности образования Р -центров. Это дало основание Пуули предположить, что распад МАЛЭ на пару дефектов происходит с нижайшего триплетного состояния (канал I 5 по Лущику).
При безызлучательной аннигиляции МАЛЭ происходит переход экситона в основное состояние с восстановлением конфигурации регулярной решетки. Таким образом вся энергия экситона (эко-ло 5 эВ в КХ ) передается колебательным модам Х> молекулярного иона, ведущим к увеличению расстояния между атомами молекулярного иона. Происходит диссоциация молекулярного иона в экситоне с образованием двух ионов X . Если предположить, что энергия экситона распределяется неравномерно между ионами, то возможна ситуация, в которой ион X > получивший большую часть энергии, сталкиваясь по направлению <110^ с узельным ионом, может передать ему достаточную энергию для возникновения цепочки фокусированных соударений. В результате такой последовательности событий возникает анионная вакансия и между-узельный ион галоида (0< -I -пара дефектов).
Модель Пуули, как оказалось впоследствии, не отражает истинного положения вещей в процессе дефектообразования в ЩГК по следующим соображениям: I. как было показано в работах [*6, ббД первичными продуктами распада экситона являются Р - Н , а не - X -пары дефектов; 2. оказалось, что в ряде ЩГК, в которых эффективность окрашивания высока, не наблюдается антикорреляции в температурных зависимостях интенсивности люминесценции и эффективности образования дефектов [67^ . Более того, оказалось, что время образования Р -центров значительно коро-