Исследование вторичного свечения в CdS в условиях акустической неустойчивости

• Автор: Акатов, Леонид Леонидович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Ленинград
• Количество страниц: 192 c. : ил

В В Е Д Е Н И Е

Глава 1 - УСИЛЕНИЕ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛН ДРЕЙФОМ НОСИТЕЛЕЙ В ПЬЕЗОПОЛУПРОВОДНИКАХ И ВЛИЯНИЕ УЛЬТРАЗВУКА

НА ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ

§ 1 - Линейный режим акустоэлектронного усиления

§ 2 - Нелинейный режим акустоэлектронного усиления

§ 3 - Акустическая неустойчивость

§ 4 - Рассеяние Манделынтама-Бриллюэна

§ 5 - Экситоны и эффекты сильного оптического возбуждения в полупроводниках

Глава II - МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА

§ 1 - Установка для исследования акустоэлектронных и электронных свойств полупроводников оптическими методами

1.1 - Общее описание установки

1.2 - Криостат
1.3 - Оптические схемы освещения образца и сбора
вторичного свечения
1.4 - Двойной монохроматор
1.5 - Регистрирующая система
1.6 - Генератор высоковольтных импульсов
§ 2 - Методика приготовления и характеристики образцов
Глава III - ИССЛЕДОВАНИЕ ОПТИЧЕСКИМИ МЕТОДАМИ АКУСТОЭЛЕКТРОННОГО УСИЛЕНИЯ ПРОДОЛЬНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ
ВОЛН В ДИАПАЗОНЕ 50 ГГЦ В СДЗ
§ 1 - Оценка возможности усиления акустических
волн в диапазоне 50 ГГц и особенности экспе-

римента
§ 2 - Спектры рассеяния Мандельштама-Бриллюэна.... - 69 § 3 - Исследование линейного участка акустоэлектронного усиления продольных АВ с частотой
42 ГГц
§ 4 - Исследование нелинейного режима акустоэлектронного усиления продольных АВ с частотами
42 ГГц
§ 5 - Оценка абсолютной интенсивности акустических волн, усиленных дрейфом носителей в Сс(.£ при
62° К
Глава IV- ИВДУЦИРОВАННОЕ ЭФФЕКТОМ ФРАНЦА-КЕЛДЫША АКУС-ТОЭЛЕКТРОННОЕ УСИЛЕНИЕ И ВТОРИЧНОЕ СВЕЧЕНИЕ
В СЫ$
§ 1 - Экспериментальные результаты
§ 2 - Модель акустоэлектронного усиления с учетом
эффекта Франца-Келдыша
§ 3 - Образование ЭДП в условиях акустической неустойчивости и_ насыщение индуцированного эффектом Франца-Келдыша акустоэлектронного усиления
Глава V - КОНТРОЛИРУЕМОЕ СТОЛКНОВЕНИЯМИ РАССЕЯНИЕ СВЕТА СВОБОДНЫМИ ЭЛЕКТРОНАМИ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ. -148 § 1 - Рассеяние света полупроводниковой плазмой
(обзор)
1.1 - Рассеяние света полупроводниковой плазмой в
бесстолкновительном режиме
1.2 - Рассеяние света свободными носителями в полупроводниках с учетом частых столкновений
1.3 - Рассеяние света генерационно-рекомбинацион-

ным шумом в плазме полупроводника
§ 2 - Экспериментальное исследование контролируемого столкновениями рассеяния света свободными электронами в полупроводниках и влияние на него внешнего электрического поля
§ 3 - Рассеяние света на генерационно-рекомбинационном шуме. Эксперимент
ЗА К Л Ю Ч Е Н И Е
Л И Т Е Р А Т У Р А

исследуемый временной интервал на заданное число частей от 1 до 1000 и обеспечивает управление моментом включения строба от ЭВМ. В наших экспериментах исследуемый временной интервал разбивается на 250 частей. В последовательно расположенных участках памяти ЭВМ хранится информация об амплитуде исследуемого импульса в последовательные интервалы времени длительностью 4 не. В зависимости от шумового характера исследуемого импульса производилось многократное сканирование с накоплением в соответствующих положению строба участках памяти ЭВМ. Максимальное временное разрешение системы ФЭУ-79 и В9-5 продемонстрировано на рис 11 (стр. 47). Нестабильность передних фронтов импульсов электрического поля и излучения лазера в наших экспериментах составляла около 10 не. Поэтому для реализации высокой разрешающей способности запуск преобразователя В9-5 осуществлялся от переднего фронта импульса поля при исследовании ote. и о4L , то есть переходных процессов при включении (выключении) поля, когда передний (или задний) фронт поля находился внутри импульса света (см. например рис. 22-25). Так как длительность импульса лазера много больше этой нестабильности, то незначительные смещения пологой части фронта света относительно крутого фронта поля не вносили больших погрешностей' в результаты эксперимента. В остальных опытах, где импульс излучения лазера был расположен внутри широкого импульса поля, синхронизация В9-5 проводилась от импульса света. В этом случае малые смещения почти плоской вершины . импульса поля также не вносили погрешностей в результаты эксперимента.
Решение второй задачи проводилось с помощью интегрирующего преобразователя импульсного напряжения в постоянное.