Исследование электронной структуры некоторых кубических фаз внедрения 4 альфа-переходных металлов

• Автор: Иващенко, Владимир Иванович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Киев
• Количество страниц: 178 c. : ил

Глава I. Электронная структура и химическая связь в

кар(йидах и нитридах переходных металлов

Ш-1У.групп со структурой /JctC6 и в их

. . карбонитридных фазах

§ 1.1. Кристаллохимия. и. структура. кубических фаз

. . внедрения

§ 1.2. Теоретическое исследование электронного

спектра и химической связи стехиометрических

. . кристаллов

§ 1.3. Расчеты.зонной структуры дефектных по.метал-

. . лу. фаз '

§ 1.4. Сопоставление теоретических.результатов,с.
. . экспериментальными данными
§ 1.5. Влияние особенностей электронного .строения
на фононный спектр, и, сверхпроводящие
, свойства, соединений
Глава II. Метод линейной комбинации атомных орбиталей
. , когерентного, потенциала /ЛКАО-КП
§ 2.1. Обзор расчетных схем для получения электрон-
, , ного спектра неупорядоченных систем
§ 2*2. Основные уравнения метода. ЛКАО-КП
§ 2.3. Описание.вычислительной процедуры метода
. . ЛКАО-КП
§ 2.4. Реализация ЛКАО. - интерполяционной схемы
Глава III. Электронная структура и. химическая связь. в
кубических карбидах иттрия и циркония
- з - . .
§ 3.1. Методика вычислений
§ 3.2. Структура энергетических зон и химическая связь
. в комплектных соединениях У И ІГ
§ 3.3. Электронный энергетический спектр и характер
межатомного взаимодействия в дефектных по-неметаллу карбидах и нитридах иттрии и цирко
. . ния
§ 3.4. Сопоставление расчитанных данных с экспериментальными результатами
Глава ІУ.Расчет зонной. структуры. карбонитридных фаз . ,
циркония
§ 4.1. Детали вычислений
§ 4.2. Зонная структурами химическая связь в стехио-
. метрических карбонитридах
§ 4.3.Результаты расчета электронного спектра.суб-
. . стехиометрических карбонитридных фаз
§ 4.4. Сопоставление полученных данных с эксперимен-г
, тальными результатами . . . ..
Глава V. Сверхпроводящие свойства, решеточная неустойчивость и природа фононных аномалий в.
и . 2гА/к
§ 5.1. Постановка задачи
§ 5.2. Механизм размягчения фононных мод и сверхпроводимость в комплектных соединениях циркония
§ 5.3. Топологические особенности поверхности Ферми
фаз 2гСх и
§ 5.4. Исследование влияния.неметаллических вакансий
на фононный спектр, сверхпроводимость и устойчивость кристаллической решетки карбида и нитрида циркония

§ 5.5. Оценка влияния вакансий в подрешетке неметалла
на Тс соединений 2гС и ZrN
Заключение
Литература

п Ч'
В этих соотношениях I - единичная матрица, г - матрица с
элементами Р**' (0202 ) , <1, п> - Э ,1,4,1. Уравнение /2.8
получено из /2Л/1 исходя из того факта, что Р = + оО
Эффективные параметры определяются из условия равенства нулю конфигурационно усредненной Ь - матрицы среды [151].
<Т? = Х1° + уЬЫ+ /2.9
Уравнение /2.9/ необходимо решать итерационным путем, так как в является функцией эффективных параметров.
Из приведенных выше формул следует, что эффективный гамильтониан системы будет периодическим и, следовательно, для наГТхождения элементов Ь можно выполнить Фурье преобразова-
* п
ние матричных элементов Р (п1т])
Р> —»
V/ С К) = е 1 . .й
С учетом этого.уравнения матричные элементы эффективного гамильтониана /2.3/ можно записать в виде
+ + .. /2-п
Матричные элементы, функции Грина /2.4/ определяются согласно
/2.5/ путем обращения матрицы 2 - И и усреднения по зоне Бриллюэна
Плотность электронных состоянии системы выражается через функцию Грина
А/(Е) = - — Дл? 1т Тг5(2), /2Л2
ГГ 2 -*Е* . .
Парциальные локальные плотности состояний на данном узле могут быть получены из соотношения
Ы%(Е) - -~?Гт 1т Тг 0,^(1) , /2.13
0>ъ) - 6С2) £(2) I ^г) д>(.Ъ) . /2.14/