Исследование эволюции дислокационных структур щелочногалоидных монокристаллов в условиях высокотемпературного отжига

• Автор: Назаренко, Владимир Григорьевич
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Харьков
• Количество страниц: 195 c. : ил

ГЛАВА I. ВЛИЯНИЕ ИЗОТЕРМИЧЕСКОГО ОТЖИГА НА ДИСЛОКАЦИОННУЮ СТРУКТУРУ МОНОКРИСТАЛЛОВ
1.1. Уменьшение плотности одиночных дислокаций в результате высокотемпературного отжига
в "объеме" образца
1.1.1. Аннигиляция дислокаций
1.1.2. Действие сил линейного натяжения
1.1.3. Реакции между дислокациями
1.1.4. Экспериментальные результаты, свидетельствующие об уменьшении плотности одиночных дислокаций при высокотемпературном отжиге
1.1.4.1. Металлические кристаллы
1.1.4.2. Ионные кристаллы
1.2. Поведение дислокационных границ при высокотемпературном отжиге кристаллов
1.2.1. Полигонизация в кристаллах
1.2.2. Экспериментальное наблюдение
процесса полигонизации
1.2.3. Поля напряжений и энергия простых наклонных границ с малым углом разориентации
1.2.3.1. Граница бесконечных размеров
1.2.3.2. Границаконечных размеров
1.2.3.3. Взаимодействие одиночных дислокаций
с дислокационными стенками
1.2.4. Россыпь неустойчивых дислокационных
границ

1.3. Поведение дислокационной подсистемы кристаллов в области пред плавильных температур
1.4. Изменение дислокационной структуры в приповерхностных слоях монокристаллов при изотермическом отжиге
ГЛАВА 2. АНАЛИЗ ХАРАКТЕРНЫХ ВРЕМЕН РЕЛАКСАЦИОННЫХ ПРОЦЕССОВ В НЕУПОРЯДОЧЕННЫХ АНСАМБЛЯХ ДИСЛОКАЦИЙ И ПОСТРОЕНИЕ КИНЕТИЧЕСКИХ УРАВНЕНИЙ, ОПИСЫВАЮЩИХ ИЗМЕНЕНИЕ СО ВРЕМЕНЕМ ОСНОВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ДИСЛОКАЦИОННОЙ СТРУКТУРЫ
2.1. Постановка задачи
2.2. Аннигиляция дислокаций с противоположно направленными векторами Бюргероа
2.3. Захват одиночной дислокации свободным концом незавершенной границы
2.4. Россыпь незавершенных границ на одиночные дислокации
2.5. Пристыковка-присоединение незавершенной
границы к целой
2.6. Отстыковка - образование незавершенных
границ
2.7. Сравнение характерных времен релаксационных процессов
2.8. Кинетические уравнения, описывающие изменение со временем основных элементов дислокационной структуры
Выводы
ГЛАВА 3. ЭВОЛЮЦИЯ ДИСЛОКАЦИОННОЙ СТРУКТУРЫ ПРЕДВАРИТЕЛЬНО ДЕФОРМИРОВАННЫХ ЩЕЛОЧНОГАЛОИДНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ В РЕЖИМЕ ИЗОТЕРМИЧЕСКОГО ОТЖИГА

3.1. Постановка задачи
3.2. Экспериментальные результаты
3.3. Оценки вкладов различных релаксационных процессов в эволюцию дислокационной структуры
3.4. Определение коэффициента самодиффузии Ц) и напряжения сопротивления консервативному движению дислокаций по результатам проведенных экспериментов
Выводы
ГЛАВА 4. ОСОБЕННОСТИ ЭВОЛЮЦИИ ДИСЛОКАЦИОННОЙ СТРУКТУРЫ ПРИ ПРЕД ПЛАВИЛЬНЫХ ТЕМПЕРАТУРАХ
4.1. Методика пред плав иль но г о отжига щелочногалоидных монокристаллов
4.1.1. Условия, лежащие в основе разработки схемы установки для предплавильного
отжига монокристаллов
4.1.2. Конструкция установки для предплавильного отжига кристаллов
4.1.3. Выбор режимов работы и терморегулирования установки для предплавильного
отжига
4.2. Поведение дислокационной структуры щелочногалоидных кристаллов при предплавильной температуре
4.2.1. Объекты и методика исследования
4.2.2. Результаты и обсуждение
4.3. Анализ кинетики превращения конца незавершенной границы в россыпь хаотических
дислокаций
Выводы

скольжения, что и одна из дислокаций стенки, го она всегда будет отталкиваться стенкой. Если же плоскость скольжения одиночной дислокации смещена относительно плоскости скольжения дислокации стенки, то существуют области притяжения одиночной дислоСледуег, однако, иметь в виду, что дислокационные стенки могут служить не только стоками, но и источниками одиночных дислокаций. в литературе не имеется четкой теории такого процесса, но имеются отдельные работы, посвященные этому вопросу. Мышля-ев [чз] теоретически исследовал случай термоакгивированного выхода дислокаций из простой границы наклона под действием напряжения. Как известно, бесконечная дислокационная стенка устойчива и чтобы вырвать из нее отдельную дислокацию необходимо приложить критическое напряжение Гкр. - бЬ/2гг({-^)к . Однако, если
действующее напряжение меньше критического, дислокация
также может выйти из стенки под воздействием термических флуктуаций, преодолев некоторый энергетический барьер, обусловленный противодействием ее движению со стороны оставшихся в стенке дислокаций, в чем ей помогает приложенное напряжение, на основании анализа выражения для силы, действующей на единицу длины дислокации со стороны стенки:
вызываемому рассматриваемой бесконечной стенкой в плоскости скольжения, а второе - соответствует касательному напряжению от единичной дислокации стенки в той же плоскости), было установлено,
кации стенкой, которые зависят от величины координаты £/ . При ^=/1/2 область притяжения наибольшая и имеет размеры ххк.
где £> = 6&{2тГ({~1>) (первое слагаемое соответствует напряжению,