+
Действующая цена700 499 руб.
Товаров:
На сумму:

Электронная библиотека диссертаций

Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО

Расширенный поиск

Динамическая теория рентгеновской и электронной кристаллооптики

Динамическая теория рентгеновской и электронной кристаллооптики
  • Автор:

    Чуховский, Феликс Николаевич

  • Шифр специальности:

    01.04.07

  • Научная степень:

    Докторская

  • Год защиты:

    1984

  • Место защиты:

    Москва

  • Количество страниц:

    391 c. : ил

  • Стоимость:

    700 р.

    499 руб.

до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
"
Глава I. ОСНОВНЫЕ УРАВНЕНИЯ ТЕОРИИ 
§ 1.1. Когерентное упругое рассеяние рентгеновских лучей


ВВЕДЕН]®

ОСНОВНЫЕ ЗАДАЧИ ДИССЕРТАЦИИ

Глава I. ОСНОВНЫЕ УРАВНЕНИЯ ТЕОРИИ

§ 1.1. Когерентное упругое рассеяние рентгеновских лучей

и быстрых электронов в кристалле

§ 1.2. Двухволновое приближение.Идеальный кристалл

§ 1.3. Уравнения Такаги-Топэна.Уравнения Хови-Уэлана


§ 1.4. Матричная формулировка теории многоволнового рассеяния быстрых электронов в кристалле

§ 1.5. Теория Каули-Муди

§ 1.6. Симметрия изображений в электронной и рентгеновской оптике

§ 1.7. Краткие выводы к главе I


Глава II.РАСПРОСТРАНЕНИЕ ВОЛНОВЫХ ПАКЕТОВ В ИДЕАЛЬНЫХ
КРИСТАЛЛАХ
§ 2.1. Функции влияния
§ 2.2. Дифракционное изображение щели и экрана
§ 2.3. Дифракционное изображение кристалла с плоскими
дефектами, перпендикулярными поверхности
§ 2.4. Матричный метод расчета дифракционных изображений
§ 2.5. Краткие выводы к главе II
Глава III.ДИНАМИЧЕСКОЕ РАССЕЯНИЕ РЕНТГЕНОВСКИХ ЛУЧЕЙ И

БЫСТРЫХ ЭЛЕКТРОНОВ В КРИСТАЛЛЕ С ПОСТОЯННЫМ
ГРАДИЕНТОМ ДЕФОРМАЦИИ. ТОЧНЫЕ РЕШЕНИЯ
§ 3.1. Дифракция плосковолнового излучения в кристалле с
эквидистантно изогнутыми отражающими плоскостями
§ 3.2. Дифракция в кристалле, изогнутом в плоскости волнового фронта падающего излучения
§ 3.3. Динамическое рассеяние рентгеновских лучей в
кристалле с постоянным градиентом деформации.Общий случай
§ 3.4. Брэгговское отражение рентгеновских лучей от
кристалла с постоянным градиентом деформации
§ 3,5. Краткие выводы к главе III
Глава 1У.ЕЛОХОВСКИЕ ВОЛНЫ В ИСКАЖЕННЫХ КРИСТАЛЛАХ
§ 4.1. Асимптотическое решение основных уравнений дифракционной оптики искаженных кристаллов
§ 4.2. Рассеяние блоховских волн на дальнем поле дислокаций
§ 4.3. Межветвевое рассеяние блоховских волн в искаженных кристаллах в приближении постоянного градиента деформации.Обобщенная эйкональная теория
§ 4.4. Сравнение обобщенной эйкональной теориии с теорией Пеннинга-Полдера-Като
§ 4.5. Краткие выводы к главе 1У
' Глава V. ДИНАМИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ ПРИ ДИФРАКЦИОННОМ РАССЕЯНИИ
РЕНТГЕНОВСКИХ ЛУЧЕЙ В УПРУГО ИЗОГНУТЫХ КРИСТАЛЛАХ

§ 5.1. Динамическая фокусировка рентгеновских лучей.
Дифракция Лауэ
§ 5.1.1.Фокусировка в кристалле
§ 5.1.2.Фокусировка в вакууме
§ 5.2. Фокусировка рентгеновских лучей.Случай дифракции
Брэгга
§ 5.3. Коллимация рентгеновских пучков при брэгговском
отражении от упруго изогнутого кристалла
§ 5.4. Результаты экспериментальных исследований динамических эффектов при дифракционном рассеянии и отражении рентгеновских лучей на упруго изогнутых кристаллах
§ 5.5. Краткие выводы к главе У
Глава V1.ДВУХВОЛНОВАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ ОПТИКА
§ 6.1. Матрица рассеяния
§ 6.2. Теория возмущений.Квазиклассическое приближение
§ 6.3. Теория возмущений.Антиклассическое приближение
§ 6.4. Применение теории к расчету светлопольных и темнопольных изображений дислокаций в просвечивающей электронной микроскопии
§ 6.5. Краткие выводы к главе У1
Глава VН.МНОГОВОЛНОВАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ КРИСТАЛЛООПТИКА
§ 7.1. Моделирование электронномикроскопических изображений проекций кристаллических решеток на ЭВМ
§ 7.2. Теоретико-групповая классификация блоховских
волн в кристалле

Здесь функция п*1 есть фурье-образ фазовой функции кристаллического слоя толщиной - Я/г
Ц,п.н(/м)=Т1мр(£П^<1я/им) '-Ьк ] , (1.98)
Я/г
р(Ак)~ функция распространения электронов Рш(кк)-$Щ(т(р, 1„,г2лу,Щ = еяр(2пА2к (1-99)
где ~^(Ьк)~ опшбка возбуждения рефлекса (А^О ), равная
■$(кк) (/10. *>кгд(1-юо)
(формула (1.100) справедлива для ортогональной двумерной обратной решетки).
Описанная выше процедура последовательного определения ампли-туд ^ [Ак) "со слоя на слой" в литературе носит название многослоевого метода Каули-Муди. Для непоглощающего кристалла амплитуды УпСАк) должны удовлетворять условию унитарности (ср.
11К^1 *>к (1.101)
§ 1.6. Симметрия изображений в электронной и рентгеновской двухволновой оптике
Общие свойства симметрии дифракционных изображений дефектов могут быть установлены при рассмотрении задач электронной и рентгеновской оптики во взаимно-связанных геометриях дифракции, а имен-

Рекомендуемые диссертации данного раздела

Время генерации: 0.181, запросов: 969