Влияние легирования на электронную структуру сверхпроводящих соединений типа А15 на основе ванадия

• Автор: Соу, Бобо
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Ростов-на-Дону
• Количество страниц: 114 c. : ил

1. ВВЕДЕНИЕ

2. ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СВЕРХПРОВОДНИКОВ СО СТРУКТУРОЙ

AI5 И РЕНТГЕНОСПЕКТРАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ ИХ ИССЛЕДОВАНИЯ

2.1. Физические свойства сверхпроводников со структурой

2.1.1. Кристаллическая структура, AI5

2.1.2. Сверхпроводимость и свойства, металла в нормальном состоянии

2.1.3. Магнитные свойства сверхпроводников

2.1.4. Электронная структура сверхпроводников типа AI5

2.2. Рентгеноспектральные методы исследования

сверхпроводников типа AI5

2.2.1. Рентгеноспектральный метод определения зарядов
на. атомах
2.2.2. Рентгеноспектральный метод оценок электронной восприимчивости соединений
2.2.3. Рентгеноспектральный метод исследования спинового состояния переходных атомов по рентгеновским
Кэд' - линиям
3. МЕТОДИКА РЕНТГЕНОСПЕКТРАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАН®!
3.1. Вакуумный двукристальный рентгеновский спектрометр
3.2. Приготовление образцов исследованных соединений и сплавов
3.3. Методика получения рентгеновских эмиссионных полос кремния и ванадия

3.4. Методика, определения энергетических сдвигов
и - спектров кремния и ванадия
в соединениях
3.5. Методика обработки V*. ^ - спектров
4. РЕНТГЕНОВСКИЕ СПЕКТРЫ И ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА
СПЛАВОВ ТИПА А15 НА ОСНОВЕ ВАНАДИЯ
4.1. Рентгеновские эмиссионные полосы кремния и ванадия и электронная энергетическая структура,
сплавов А15
4.1.1. Рентгеновские эмиссионные К-полосы кремния и ванадия в сплавах Мъ (,50 - й«,) и V, (.&«. - Се )
4.1.2. Электронная энергетическая структура сплавов
5>С. 6е ) И Х/^ (.Са _ Се )
4.2. Энергетические сдвиги К С* - линий кремния и
ванадия и заряда на, этих атомах в сплавах А15
4.2.1. Энергетические сдвиги К®1 - линий ванадия и кремния в сплавах Х/ДбС-бе) , Чз1С°-- Се) и ^1А-Се)
4.2.2. Заряды на атомах кремния и ванадия в сплавах V3CsC.Ce) . V3Ua.Ce) и V3lM.Ce)
4.3. Рентгеновские эмиссионные VKpip; - спектры и
спиновое состояние атомов ванадия в сплавах А15
5. ХАРАКТЕРИСТИКИ ЭЛЕКТРОННОЙ ПОДСИСТЕМЫ И ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СПЛАВОВ ТИПА А15 НА ОСНОВЕ ВАНАДИЯ
5.1. Влияние легирования на электронную восприимчивость
соединений А15

5.2. Характеристики электронной подсистемы и физические свойства сплавов Уз 15; - См )
5.3. Характеристики электронных подсистем и физические свойства сплавов V», (. АІ- Ье ) , V», (.С«- - Се ) и
Уз (.Ы - Лм.)
6. ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
7. ЛИТЕРАТУРА

тезированы Б.Н.Кодессом в НИИ ЯФ МГУ.
Образцы системы [Ь'ц.*- Ge*) выплавлены в индукционной печи в атмосфере аргона из чистых ванадия ( >99,9%), кремния (> 99,99%) и германия (> 99,99%) [80]. После выплавки слитки отжигали при температуре 950°С в течение 250 ча.сов в атмосфере аргона. Фазовый состав и параметры решетки определяли рентгенографически на, порошковых образцах. Все сплавы после термической обработки имели однофазную структуру типа, AI5.
Обра.зцы системы Jj(Gaготовили сплавлением ванадия (99,95%) с германием и галлием (содержание примесей менее 0,01%) [81] в индукционной печи в тиглях из МА . Слитки отжигали в кварцевых ампулах при температуре 1000°С в течение 100 часов. Образец V3[Ga0^- Geo.s) оказался двухфазным (обе фазы со структурой AI5: одна, на основе , другая
V3Ge ).
Сплавы V5 lAV* Ge* ) готовились бестигелъным способом плавкой высокочастотным электромагнитным полем во взвешенном состоянии, что обеспечило высокую однородность слитков [5]. Давление инертного газа в камере было не менее I а.тм., что обеспечило угар компонент не более 0,1% от веса, шихты и позволяло определить состав с высокой точностью. Пентгеновский и металлографический фазовые анализы показали, что образцы с содержанием VjAl в V3Ge до 30% практически однофазны (структура AI5).
Для всех образцов TQ измерено (см.рис.5.1 и 5.2) индуктивным методом.