Магнитооптическое исследование пленок ферритов-гранатов с компенсационными поверхностями сложного профиля

• Автор: Арзамасцева, Галина Васильевна
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1985
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 226 c. : ил

- 2 ~

Глава I. ОНЦИЕ СВЕДЕНИЯ ОБ ОБЪЕМНЫХ МОНОКРИСТАЛЛАХ
И ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНКАХ ФЕРРИТОВ-ГРАНАТОВ
1.1. Объемные монокристаллы ферритов-зтранатов
1.2. Эпитаксиальные пленки ферритов-гранатов
1.3. Свойства пленок ферритов-гранатов в окрестности точки магнитной компенсации
1.4. Анизотропия эпитаксиальных пленок ферритов--гранатов
1.5. Влияние высокотемпературного отжига на ани-зотроцию и структуру пленок
1.6. Неоднородность пленок ферритов-гранатов по
• толщине
1.7. Несквозные магнитные домены
Глава 2. ТИПЫ КОМПЕНСАЦИОННЫХ ПОВЕРХНОСТЕЙ И ПАРАМЕТРЫ ТОНКИХ ВИСМУТСОДЕРЖАЩИХ ПЛЕНОК ФЕРРИТОВ--ГРАНАТОВ
2.1. Возможные типы компенсационных поверхностей
в пленках
2.2. Измерение намагниченности и констант анизотропии
2.3. Изменение свойств многослойных пленок висмутсодержащих ферритов-гранатов под действием высокотемпературного отжига
2.4. Выводы
Глава 3. ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ НАМАГНИЧИВАНИЯ ОДНООСНЫХ ПЛЕНОК МАГНИТНЫХ ГРАНАТОВ С НАКЛОННОЙ КОМПЕНСА-ЦИОННСЙ ПОВЕРХНОСТЬЮ
3.1. Теория процессов намагничивания одноосных пленок магнитных гранатов с наклонной плоской компенсационнои поверхностью

3.2. Экспериментальное исследование одноосных пленок ферритов-гранатов с наклонными компенсационными поверхностями
3.3. Перемагничивание пленок с наклонными компенсационными поверхностями и широкой областью магнитной компенсации
3.4. Изменение характера перемагничивания пленок со сложным профилем компенсационной поверхности цри уменьшении толщины
3.5. Выводы
Глава 4. НЕСКВОЗНЫЕ И ВНУТРИОБЪЕМНЫЕ ДОМЕНЫ В ШЕНКАХ
ФЕРРИТОВ-ГРАНАТОВ СО СЛОЖНЫМ ПРОФИЛЕМ КОМПЕНСАЦИОННОЙ ПОВЕРХНОСТИ
4.1. Процессы перемагничивания пленок с компенсационной поверхностью с одним минимумом
4.2. Взаимодействие несквозных и внутриобъемных доменов различного типа в пленках, обладающих компенсационной поверхностью с двумя минимумами
4.3. Влияние толщины пленок на интервал устойчивости несквозных и внутриобъемных доменов
4.4. Перемагничивание многослойных пленок, полученных методом многократной эпитаксии
4.5. Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

Повышенный интерес к изучению ферритов-гранатов в значительной степени обусловлен тем, что материалы этого семейства нашли широкое применение в технике СВЧ, магнитооптике, вычислительной технике и акустике. В связи с этим интенсивно исследуются магнитные, оптические и резонансные свойства ферритов-гранатов, разрабатываются методы контроля их параметров. Диапазон сферы применения массивных монокристаллов и эпитаксиальных пленок ферритов-гранатов непрерывно расширяется.
Одним из наиболее впечатляющих примеров является использование эпитаксиальных пленок смешанных редкоземельных ферритов--гранатов в качестве рабочей среды для запоминающих устройств (ЗУ) вычислительной техники на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД). С целью повышения плотности записи в таких ЗУ в настоящее время осуществляется переход к ЦМД малого диаметра (менее микрона) , которые существуют в пленках субмикронной толщины. Это, в свою очередь, предъявляет особые требования к степени однородности пленок вдоль нормали к развитой поверхности. Однако, если отказаться от использования сквозных (по толщине) доменов, то неоднородность пленок можно использовать для создания градиента магнитных параметров, обеспечивающего устойчивое существование несквозных (приповерхностных или внутриобъемных) доменов, обладающих рядом преимуществ перед сквозными ЦМД. В частности, неоднородные пленки, в которых несквозные домены локализуются на различной глубине, могут служить основой для создания многоуровневых ЗУ с повышенной плотностью записи информации.
Для физических исследований удобным объектом являются эпитаксиальные пленки висмутсодержащих ферритов-гранатов, обладающие огромным фарадеевским вращением (Ю^град'см“1 и более), по-

щине Тс(г) в пленках со сложным црофилем КП также оказывает большое влияние на область стабильности и свойства несквозных доменов. Распределение Тс(г) в этих пленках находили, используя зависимость Тс(Тр) (рис.2.3.). И в этом случае измеренные максимальные значения Гс мах в пленках со сложным профилем КП неплохо совпали с ожидаемыми значениями Тс мах, полученными на основании зависимости Тс(Тр)
Наблюдалось хорошее согласие измеренных и ожидаемых (из зависимости Тк( Гр)) экстремальных значений температур компенсации Тк (в пределах 10%) в пленках со сложным црофилем КП.
Все это позволяет утверждать, что использование результатов измерений параметров тонких квазиоднородных пленок для качественного анализа процессов перемагничивания пленок со сложным црофилем КП является вполне допустимым.
Обменную константу А в тонких квазиоднородных пленках определяли из результатов измерений температуры Кюри Тс по приближенной формуле [1773:
А = А » (2.2)
жиг Т ~Т
'С ЖИГ
где Т - комнатная температура, А жиг" обменная константа для
—7 —Т
чистого ЖИГ цри комнатной температуре, равная 4,15*10 эрг*см х, ТсжиГ температура Кюри ЖИГ, равная 560 К.
Обменная константа А в исследованных пленках изменялась от 1,6*10~’7эрг*см'’1 до 2,9*ПГ?эрг*см~1.
В следующем параграфе описаны методики и результаты измерений параметров М0 , К^ , Кр , Кс и в тонких квазиоднородных пленках.