Дифракция рентгеновского излучения в одномерно разупорядоченных плотноупакованных кристаллах

• Автор: Пилянкевич, Евгений Александрович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1985
• Место защиты: Киев
• Количество страниц: 124 c. : ил

ГЛАВА I. Методы описания структуры шготноупакованных кристаллов и расчета их дифракционных картин (обзор литературы)

1.1. Описание структуры плотноупакованного кристалла

1.1.1. Идеальные плотноудакованные кристаллы

1.1.2. Одномерно разупорядоченные кристаллы

1.2. Дифракция рентгеновского излучения в плотноупакованном кристалле

1.3. Заключение

ГЛАВА 2. Теоретическое исследование дифракции рентгеновского излучения в одномерно разупорядоченных шготноупакованных кристаллах

2.1. Описание структуры кристалла и ее анализ

2.2. Дифракция рентгеновского излучения в одномерно разупорядоченных шготноупакованных кристаллах

2.3. Типы одномерного разупорядочения шготноупакованных кристаллов

2.3.1. Плотноудакованные кристаллы с однородным одномерным разупорядочением

2.3.1.1. Одномерное разупорядочение ГЦК кристаллов
2.3.1.2. Одномерное разупорядочение ГПУ кристаллов
2.3.1.3. Особенности одномерного разупорядочения длиннопериодических структур
2.3.2. Плотноупакованные кристаллы с неоднородным
одномерным разупорядочением
ГЛАВА 3. Анализ диффузного рассеяния рентгеновского излучения некоторыми реальными одномерно разупорядоченными шготноупако-ванными кристаллами

3.1. Исследование структуры одномерно разупорядоченного ^-мартенсита в сплаве кобальт-германий
3.2. Одномерно разуяорядоченные мартенситные структуры в
сплавах медь-кремний и медь-германий

3.3. Кристаллическая структура а,-мартенсита, образующегося при деформации в сплаве медь-алюминий-никель
3.4. Изменение характера одномерного разупорядочения
Л.-мартенсита в сплавах кобальт-тантал, кобальт-ниобий
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА
Фазовые превращения в твердом состоянии являются одной из важнейших областей физики твердого тела. Именно они представляют собой физическую основу многих технологических процессов, направленных на получение материалов с заданными свойствами. Это обусловлено тем, что фазовые превращения приводят к изменению структуры материала, определяющей его свойства. Последнее обстоятельство и определяет важность структурного аспекта фазовых превращений /I/.
Одним из важнейших результатов исследований структуры материалов явилось обнаружение зависимости многих их свойств не только от симметрии и параметров кристаллической решетки, но и от характера отклонений структуры от совершенной кристаллической решетки - дефектов кристаллической структуры /1-9/. Необходимость исследования дефектных структур привела к созданию многих методик определения реальной структуры кристаллов.
Наиболее информативными методами структурного анализа являются дифракционные /7,8/. Это, однако, косвенные методы, и получаемая с их помощью информация обязательно нуждается в математической обработке, с помощью которой по дифракционной картине восстанавливается структура исследуемого кристалла. В результате развитие дифракционных методов исследования структуры идет по двум направлениям - совершенствование аппаратуры, что позволяет все более точно зарегистрировать дифракционную картину, и разработка методов ее расшифровки. При этом если первый, аппаратурный, аспект носит универсальный характер, то второй, теоретический, требует индивидуального анализа дифракционных эффектов, вызываемых каждым типом дефектов кристаллической структуры /7,8/.
Важную роль в механизме ряда мартенситных превращений игра-

. _ г у ,)
— о// /Су*?; .С4-4^
Поскольку &*=■ *4 , ^ при *”< М.
При т = М наличие ДУ (вероятность чего равна ) равносильно отсутствию СУ (вероятность чего равна I - &м). Отсюда
(*М =
Это справедливо и для любого следующего слоя, поскольку перед ним можно выделить М слоев с начальной последовательностью положений. Поэтому
О-ъ = У-о/ дрИ *>-7 > М.
Сводя полученные формулы воедино, получаем общее описание структуры с хаотическим одномерным разупорядочением:
с/, т<М

4-01, М.
Проанализируем вопрос о том, может ли вследствие хаотического одномерного разупорядочения кристалла ((М—I)X) или ((М-1)1)3 образоваться ОРК, структура которого будет блике к какому-либо другому идеальному кристаллу, ((/1/-1)1) или ((/^-1)1)3 (^/М). Важность этого вопроса обусловлена наличием гипотезы о механизме фазовых переходов в плотноупакованных кристаллах за счет накопления в исходной структуре хаотических ДУ до такого количества, которое соответствует рассмотрению новой совершенной структуры как исходной с упорядоченно расположенными ДУ /68-70/.
Для ГЦК, как говорилось выше, этот вопрос решается путем сравнения плотностей ДУ.
Поскольку У(£)
/=/ №*4
Ближайшая к данному ОРК идеальная решетка будет отлична от ГЦК, таким образом, только при о/>0,5. Выявим ее путем сравнения