Динамические эффекты когерентного и диффузного рассеяния рентгеновских лучей в Лауэ-геометрии дефектными монокристаллами кремния

• Автор: Карпей, Анатолий Леонидович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1985
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 159 c. : ил

Глава I. РАССЕЯНИЕ РЕНТГЕНОВСКИХ ЛУЧЕЙ СОВЕРШЕННЫМИ И ~ ИСКАЖЕННЫМИ КРИСТАЛЛАМИ (литературный обзор)
1.1. Особенности когерентного рассеяния рентгеновских лучей совершенными и дефектными кристаллами в геометрии Лауэ
1.2. Толщинные осцилляции интенсивности при диф -ракции рентгеновских лучей в совершенных и искаженных кристаллах

1.3. Аномальное прохождение рентгеновских лучей в искаженных кристаллах

1.4. Когерентное и диффузное рассеяние в искаженных кристаллах

1.5. Экстинкция и поляризация рентгеновских лучей, рассеянных реальными кристаллами
Глава 2. АППАРАТУРА И МЕТОДИКИ ИССЛЕДОВАНИЯ ТОЛЩШНОЙ ЗАВИСИМОСТИ ХАРАКТЕРИСТИК ЛАУЭ-ДШРАКЦИИ РЕНТГЕНОВСКИХ ЛУЧЕЙ
2.1. Методика измерения толщинных зависимостей интегральной интенсивности и поляризационного отношения
2.2. Методика определения периода толщинных осцилляций интегральной интенсивности и статического фактора Дебая-Валлера для слабо искаженных кристаллов
2.3. Методика исследования толщинных осцилляций интегральной интенсивности при различных темпе -ратурах

2.4. Измерения коэффициента поляризации в геометрии Лауэ

2.5. Приготовление образцов различной степени совершенства

Глава 3. ТОЛЩИННЫЕ ЗАВИСИМОСТИ ХАРАКТЕРИСТИК ЛАУЭ-ДШРАК-ЦЙИ ДЛЯ ДЕФЕКТНЫХ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ (экспери -ментальные данные)
3.1. Толщинные осцилляции интегральной интенсивности
для кристаллов с малой плотностью дислокаций
3.2. Определение характеристической температуры Дебая из исследований толщинных осцилляций интегральной интенсивности при различных температурах
3.3. Интегральная интенсивность, поляризационное отношение и коэффициент поляризации для кристаллов с большой плотностью дислокаций
3.4. Толщинная зависимость интегральной интенсивности рассеяния для кристаллов с дефектами кластерного типа
Глава 4. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ДЕФЕКТНОСТИ СЛАБО ШКАЖЕН
НЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ ПО ТОЛЩИННОЙ ЗАВИСИ -МОСТИ ИНТЕГРАЛЬНОЙ ШТЕНСИЕНОСТИ
4.1. Толщинные осцилляции интегральной интенсивности и статический фактор Дебая-Валлера для бездисло-кационных кислородосодержащих кристаллов кремния
4.2. Статический фактор Дебая-Валлера для дислокационных кристаллов
4.3. Коэффициент поглощения когерентных волн за счет диффузного рассеяния в слабо искаженных кристаллах
4.4. Определение типа и параметров дефектов в кислород осодержащих кристаллах кремния
Глава 5. АНАЛИЗ ТОЛЩИННОЙ ЗАВИСИМОСТИ ХАРАКТЕРИСТИК
ДИФРАКЦИИ ДЛЯ ДЕФЕКТНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ
5.1. Анализ экспериментальных данных по статистической теории динамического рассеяния
5.2. Анализ дифракционных характеристик сильно искаженных кристаллов по теории экстинкции

5.3. Интенсивности когерентной и диффузной компонент
рассеяния для слабо искаженных кристаллов
5.3.1. Определение диффузной компоненты интенсивности рассеяния для кристаллов с дефектами кластерного типа
5.3.2. Эффект аномального прохождения для диффузного рассеяния
5.3.3. Диффузная компонента рассеяния для кристаллов
с малой плотностью дислокаций
5.4. Анализ дифракционных характеристик для кристаллов
с большой плотностью дислокаций
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
ЛИТЕРАТУРА

2.3. Методика исследования толщинных осцилляций интегральной интенсивности при различных температурах
Период толщинной осцилляции интегральной интенсивности зависит от температуры образца. Как видно из формулы (2.4) эта зависимость обусловлена изменением с температурой структурного фактора //">/ за счет динамического фактора Дебая-Валлера-ехр(-М). Исследование зависимости периода осцилляции от температуры дает возможность прецизионного определения характеристической температуры Дебая для реальных кристаллов /157/.
С этой целью проводились измерения периода толщинной зависимости интегральной интенсивности при разных температурах образца. Исследования проводились в низкотемпературной рентгеновской камере в потоке жидкого азота с использованием МоК^ непо-ляризованного излучения. Измерялась интегральная интенсивность
рассеяния плоскопараллельной пластинкой кремния толщиной 420 мкм

с плотностью дислокаций 1-10 мм . Так как угловая расходимость первичного пучка была много больше полуширины кривой отражения, интегральная интенсивность измерялась при неподвижном образце, установленном в отражающее положение. Она определялась количеством импульсов, сосчитываемых за данный интервал времени. Камера имела устройство, обеспечивающее установку угла наклона образца с точностью 0,015°. Образец крепился на платформе из монокристалла кремния для уменьшения температурного градиента. Температура образца поддерживалась с точностью 0,5-1° и могла варииро-ваться от 100 до 300 К.