Взаимодействие радиационных дефектов с неравновесными носителями заряда в ковалентных полупроводниках
- Автор:
Мизрухин, Леонид Вениаминович
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1985
- Место защиты:
Киев
- Количество страниц:
165 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Методы построения колебательных потенциальных функций молекул и кристаллических решеток | Смирнов, Михаил Борисович | 1984 |
| Свойства ионных кристаллов при высоких плотностях ионизации | Вайсбурд, Давид Израйлевич | 1983 |
| Экситонная спектроскопия суперионных кристаллов типа AgI | Акопян, Ирина Хачатуровна | 1998 |