Взаимодействие радиационных дефектов с неравновесными носителями заряда в ковалентных полупроводниках

• Автор: Мизрухин, Леонид Вениаминович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1985
• Место защиты: Киев
• Количество страниц: 165 c. : ил

С ОДЕРЖАНИЕ

СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ
ГЛАВА I. ОБРАЗОВАНИЕ И ОТЖИГ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ ПРИ ВОЗБУЖДЕНИИ ЭЛЕКТРОННОЙ ПОДСИСТЕМЫ (обзор литературных данных)
§ 1.1. Возбуждение электронной подсистемы высокоэнергетическими частицами,инжекцией и лазерным излучением
1.1.1. Гамма-кванты
1.1.2. Быстрые электроны
1.1.3. Ионизация электронами допороговых энергий
1.1.4. Инжекция и лазерное излучение
§ 1.2. Кинетика накопления радиационных дефектов и интенсивность потока высокоэнергетических электронов и гамма-квантов
1.2.1. Влияние интенсивности в модели барьера комплексообразования
1.2.2. Интенсивность облучения и скорость аннигиляции генетических компонентов пар Френкеля
1.2.3. Интенсивность облучения и мощность стоков радиационных дефектов
1.2.4. Стационарное облучение с "подсветкой"
§ 1.3. Ускорение отжига ионизацией
1.3.1. Микроскопические модели
1.3.2. Термодинамические теории
Выводы
ГЛАВА 2. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ РЕДАКСАДИИ НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕДЕЙ ЗАРЯДА В КОВАЛЕНТНЫХ ПОДУПРОВОДНИКАХ, ОБЛУЧЕННЫХ ЭЛЕКТРОНАМИ И ФОТОНАМИ
§2.1. Введение

§ 2.2. Рекомбинационные свойства кремния,облученного
мощными импульсами электронов
2.2.1. Физические основы метода облучения
2.2.2. Методика облучения мощными электронными импульсами
2.2.3. Экспериментальные результаты
§ 2.3. Процессы релаксации неравновесных носителей заряда
при облучении мощными оптическими импульсами
§ 2.4. Термически стимулированная излучательная
рекомбинация в облученных синтетических алмазах
2.4.1. Термолюминесценция природных и синтетических алмазов
2.4.2. Методика исследования термолюминесценции облученных синтетических алмазов
2.4.3. Влияние ионизирующих излучений на параметры термолюминесценции синтетических алмазов
2.4.4. Кинетика накопления и релаксации энергии при облучении р-алмаза
Выводы
ГЛАВА 3. КИНЕТИКА НАКОПЛЕНИЯ И ОТЖИГА РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ
ПРИ МАЛОМ УРОВНЕ ВОЗБУЖДЕНИЯ ЭЛЕКТРОННОЙ ПОДСИСТЕМЫ
§ 3.1. Введение
§ 3.2. Зависимость эффективности введения дефектов в п. -германий от интенсивности потока электронов и гамма-квантов
3.2.1. Интенсивность облучения и зарядовые состояния точечных дефектов
3.2.2. Экспериментальные результаты
§ 3.3. Образование и отжиг дефектов в п -германии при независимом от дефектообразующего излучения возбуждении электронной подсистемы
3.3.1. Инжекция неосновных носителей в процессе облучения
3.3.2. Отжиг радиационных дефектов, ускоренный возбуждением электронной подсистемы

§ 3.4. Некоторые теоретические подходы к описанию
взаимодействия неравновесных носителей заряда с радиационными дефектами
3.4.1. Влияние неравновесных носителей заряда на процесс аннигиляции-распада генетических пар Френкеля и эффективность введения дефектов при облучении
3.4.2. Термодинамическая теория ускорения отжига неравновесными носителями
Выводы
ГЛАВА 4. ОБРАЗОВАНИЕ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В ГЕРМАНИИ т -ТИПА ПОД ДЕЙСТВИЕМ МОЩНЫХ ИМПУЛЬСОВ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ ЭЛЕКТРОНОВ
§ 4.1. Введение
§ 4.2. Зависимость эффективности введения дефектов от
интенсивности облучения
4.2.1. Особенности облучения мощными импульсами электронов
4.2.2. Экспериментальные результаты
§ 4.3. Экранирование компонентов пар Френкеля
неравновесными носителями
§ 4.4. Распределение генетических пар Френкеля по
расстояниям между их компонентами в облученных кремнии и германии
4.4.1. Модель дефектообразования, основанная на концепции экранирования компонентов генетических пар Френкеля
4.4.2. Построение функции распределения
Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

выпрямителях, инжекционных лазерах с оптической и электронной •’накачкой" /2/.
С другой стороны, облучение мощными импульсами электронов является наиболее эффективным методом исследования рекомбинационных свойств полупроводников /84/. Параметры электронного пучка можно подобрать тан, что изменением структуры кристаллов за время одного импульса можно пренебречь. Поэтому процесс спада концентрации неравновесных электронно-дырочных пар не перекрывается с образованием, миграцией и перестройкой точечных дефектов и их комплексов. Кинетика переходных электронных процессов в полупроводниках при высоких уровнях возбуждения мощными импульсами исследована, например, в /86-88,20,23-25,94/. Высокий уровень возбуждения достигался оптической "накачкой", инжекцией через р-п переход или электронным низкоэнергетическим облучением. Существенным недостатком этих методов возбуждения является неоднородность распределения НИЗ по толщине образца. Это приводит к неоднозначности при интерпретации экспериментальных результатов. Возникают принципиальные трудности в разделении процессов, происходящих в приповерхностных слоях и в объеме кристаллов. Использование в качестве источника возбуждения мощных импульсов высокоэнергетических электронов позволяет достичь тех же уровней ионизации, но предпочтительнее тем, что равномерно возбуждает кристалл по толщине. Поэтов концентрационные и тепловые градиенты отсутствуют, что позволяет наблюдать в "чистом" виде нелинейную и линейную рекомбинацию, не искаженную вкладом процессов диффузии и теплопроводности в общую картину релаксации ННЗ.