Атомная структура иттриевой керамики YBa2 Cu3 O х по данным рентгенографического компьютерного эксперимента

• Автор: Иванов, Андрей Александрович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Петрозаводск
• Количество страниц: 183 с. : ил

Оглавление:
Введение
Глава I. Обзор литературных данных по структуре и свойствам ВТСП керамики їВа2Си307.
Введение
Орторомбическая фаза УВа2Си307_
Тетрагональная фаза УВа2Си307.
Анизотропия тепловых колебаний атомов в УВа2Си307_
Зависимость структурных характеристик от нестехиометрии по кислороду
Зависимость структурных характеристик УВа2Си307.5 от температуры измерений
Упорядочение вакансий в УВа2Си307_б
Глава IX. Моделирование методом Монте-Карло диффузии кислорода в плоскости Си1-0 123 УВСО
Введение
Асимметричная модель Изинга для решеточного газа, с учетом ближайших и следующих за ближайшими соседей (АЗУЫШ1)
Учет граничных условий: периодическая граница (РВС)
Вычисление энергии
Алгоритм переноса иона О между позициями
Расчет коэффициента диффузии
Алгоритм суммирования энергии взаимодействия по (2)
Входные параметры
Отличительные особенности реализации данной модели

Результаты
Удельная энергия
Коэффициенты диффузии
Эволюция распределения кислорода на решетке
Модель с учетом прыжков в позиции следующие за ближайшими
Результаты моделирования с разрешенными ЫШ переходами
Распределение кислорода в базисной плоскости Си1-0 УВСО
Выводы
Приложение
1. Разворот решетки
2. Вычисление энергии до и после прыжка
Глава III. Элементы теории рассеяния сметанослойными кристаллами.
Введение
Вероятностные параметры, характеризующие способ чередования слоев разных типов в смешанослойных структурах
Смешанослойные структуры при 6=
Смешанослойные структуры при 5=
Расчет дифракционной картины от смешанослойной структуры
Общие положения
Смешанослойная структура
Чередования двух типов слоев: А и В
Усовершенствования в смешанослойной теории [3.1]
Заключение

Глава IV. Адаптация теории рассеяния смешанослойными кристаллами.

Введение
Рассеяние рентгеновских лучей произвольной атомной
плоскостью
Коэффициент отражения брэгговской плоскостью [4.2]
Коэффициент отражения произвольной плоскостью (hkl)
(компоненты V в (Гл.111,32))
Расчет фазовых множителей с учетом отклонений от угла
Брэгга [компоненты Ф в (Гл.111,32)]
Глава V. Алгоритм расчета углового распределения интенсивности рассеяния
в модели смэшанослайного кристалла
Блок-схема программы расчета интенсивности рассеяния
слоистыми материалами
Глава VI. Вычисление теоретического распределения интенсивности рассеяния рентгеновских лучей с учетом, в первом приближении, неоднородности •распределения кислорода в базисной плоскости Си1-0 ВТСП керамики УВСО
Введение
Обоснование применимости модели "смешанослойного кристалла" для описания керамики УВа2Си307_8 с различным содержанием кислорода 14
Входные данные
Результаты
Анализ влияния параметров "смешанослойной модели" на угловое распределение интенсивности рассеяния керамики УВа2Си307_

{вычисляется с учетом количества
С-5/8,
5=1-с=0.
Коэффициент заполнения кислорода в базальной плоскости атомов кислорода приходящихся на одну эл.яч.)с=1. 8=1-с=
с-7/8,
8=1-с=0.