Кинетические явления в тонкопленочных структурах n-InSb, In1-xGaxSb, n-InSb-SiO2-p-Si
- Автор:
Никольский, Юрий Анатольевич
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2001
- Место защиты:
Воронеж
- Количество страниц:
263 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Кинетические явления в тонкопленочных структурах n-InSb, In1-xGaxSb, n-InSb-SiO2-p-Si», автор — Никольский, Юрий Анатольевич, относится к типу: докторская диссертация по специальности 01.04.07. Работа подготовлена в городе Воронеж в 2001 году. Объем работы: 263 с. : ил. Внутренний код товара: 01002609413. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Применение ЯМР томографии для исследования межфазных границ в коллоидных и микрогетерогенных системах | Морозов, Евгений Владимирович | 2012 |
| Локальная атомная и электронная структура ряда соединений без дальнего порядка по данным синхротронного излучения рентгеновского диапазона | Яловега, Галина Эдуардовна | 2011 |
| Исследование локальной атомной структуры соединения ZnBr2 и его водных растворов при аномальных условиях методом рентгеновской спектроскопии поглощения | Каменский, Иван Юрьевич | 2008 |