+
Действующая цена700 499 руб.
Товаров:
На сумму:

Электронная библиотека диссертаций

Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО

Расширенный поиск

Тонкая структура и динамика спиновых состояний в самоорганизованных InP квантовых точках

Тонкая структура и динамика спиновых состояний в самоорганизованных InP квантовых точках
  • Автор:

    Югова, Ирина Анатольевна

  • Шифр специальности:

    01.04.07

  • Научная степень:

    Кандидатская

  • Год защиты:

    2002

  • Место защиты:

    Санкт-Петербург

  • Количество страниц:

    100 с. : ил

  • Стоимость:

    700 р.

    499 руб.

до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
"
Глава 1. Тонкая структура и спиновая динамика экситонных 
состояний в полупроводниковых гетероструктурах.(Обзор литературы.)


Оглавление
Введение

Глава 1. Тонкая структура и спиновая динамика экситонных

состояний в полупроводниковых гетероструктурах.(Обзор литературы.)

1.1 Теория тонкой структуры экситонов.

1.2 Экспериментальные методы исследования тонкой


структуры

1.3 Исследование состояний тонкой структуры квантовых

точек с помощью метода квантовых биений.

1.4 Заряженные квантовые точки.

Глава 2. Условия эксперимента.


2.1 Образец.
2.2 Экспериментальная установка и методы исследования.
Глава 3. Тонкая структура экситонных состояний.
3.1 Результаты экспериментов.
3.1.1 Зависимость от электрического смещения.
3.1.2 Зависимость от Стоксова сдвига.
3.1.3 Поляризационные характеристики.
3.1.4 Зависимость осцилляций от величины и направления магнитного поля.
3.2 Модель тонкой структуры. Спин-Гамильтониан.
3.3 Квантовые биения и тонкая структура.
3.3.1 Биения между светлыми и темными подуровнями
3.3.2 Расщепление светлого дублета.
3.4 Выводы
Глава 4. Спиновая динамика нейтральных и заряженных
1пР квантовых точек.
4.1 Квантовые биения. Амплитуда осцилляций.
4.2 Спиновая релаксация в нейтральных квантовых точках.
4.2.1 Затухание биений в линейной поляризации.
4.2.2 Кинетика степени циркулярной поляризации.
4.3 Спиновая релаксация в заряженных квантовых точках.
4.3.1 Релаксация в отсутствии магнитного поля.
4.3.2 Спиновая динамика заряженных точек в магнитном поле.
4.3.3 Влияние температуры на спиновую динамику.
4.4 Выводы
Заключение
Литература
Введение.
В последнее время резко возрос интерес к спиновой динамике носителей и экситонов в полупроводниковых гетероструктурах. Активно обсуждаются перспективы создания элементов спиновой памяти [1] и спиновых транзисторов [2] на таких структурах. Рассматривается также возможность использования спиновой когерентности для производства квантовых вычислений [3]. К настоящему моменту имеется большое количество публикаций [4-9], посвященных теоретическому и экспериментальному исследованию процессов спиновой релаксации в квазидвумерных гетероструктурах -квантовых ямах и сверхрешетках. В то же время спиновая динамика квазинульмерных структур - квантовых точек, являющихся одним из наиболее перспективных объектов для приборных применений изучена явно недостаточно. Известно, что спиновые состояния в квантовых точках отличаются рекордно высокой стабильностью, поскольку в них ряд механизмов релаксации, существующих в объемном материале, оказывается неэффективным [10]. Отсюда совершенно очевидной становится актуальность исследования спиновой динамики в квантовых точках.
Среди различных типов квантовых точек одними из наиболее активно исследуемых являются самоорганизованные 1пР квантовые точки [11-13]. Структуры с этими квантовыми точками выращиваются методами молекулярно-пучковой эпитаксии и характеризуются высоким кристаллическим совершенством. В связи с этим 1пР точки

time (ps)
Рис. 4 (а) Кинетика ФЛ при различных смещениях на поверхности образца, указанных у каждой кривой. В=2 Т, 0=40°, ALVWfa,v=44.5 meV. Пунктиром показана подгонка плавно меняющейся подставки функцией (3.3) с параметрами тг =2.8 ps, ти, = 456.6 ps.
(b) Осіщллирующая часть сигнала PL, нормированная на (зашумленная кривая) и ее подгонка формулой (3.2) (толстая кривая).

Рекомендуемые диссертации данного раздела

Время генерации: 0.136, запросов: 967