Рост и легирование GaAs(001) при низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии
- Автор:
Семягин, Борис Рэмович
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2002
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
208 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электрофизические параметры экспериментальных моделей биологических жидкостей | Добрынина, Ольга Сергеевна | 2013 |
| Спектры локализованных возбуждений в кристаллах при учете взаимодействия между примесями | Иванов, Михаил Алексеевич | 1984 |
| Закономерности и механизмы диффузий в бинарных тонкопленочных системах ГЦК металлов, образующих непрерывный ряд твердых растворов | Васильев, Алексей Дмитриевич | 1999 |