Рост и легирование GaAs(001) при низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии
- Автор:
Семягин, Борис Рэмович
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2002
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
208 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Рост и легирование GaAs(001) при низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии», автор — Семягин, Борис Рэмович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.07. Работа подготовлена в городе Новосибирск в 2002 году. Объем работы: 208 с.. Внутренний код товара: 01002338558. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Особенности определения состава твердого тела с помощью масс-спектрометрии ионных сгустков на ранней стадии их разлета | Кузнецов, Григорий Борисович | 2003 |
| Массоперенос и фазово-структурные изменения в поверхностных слоях металлов при воздействии электрических разрядов | Пячин, Сергей Анатольевич | 2017 |
| Метод координатных генеалогических коэффициентов точечных групп и его применение в теории спектров молекул и комплексов | Крестников, Сергей Евгеньевич | 1984 |