Рост и легирование GaAs(001) при низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии
- Автор:
Семягин, Борис Рэмович
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2002
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
208 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Влияние термоупругих характеристик компонентов на физико-механические свойства неоднородных материалов сложной структуры и состава | Кириллов Дмитрий Андреевич | 2018 |
| Определение атомных парных корреляционных функций оксидных пленок никеля методом протяженных тонких структур спектров энергетических потерь электронов | Бакиева, Ольга Ринатовна | 2008 |
| Атомная и электронная структура композитов на основе многостенных углеродных нанотрубок и оксида олова, полученных с применением газофазного и ионно-плазменного методов | Несов Сергей Николаевич | 2018 |