Рост и легирование GaAs(001) при низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии
- Автор:
Семягин, Борис Рэмович
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2002
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
208 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Рост и легирование GaAs(001) при низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии», автор — Семягин, Борис Рэмович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.07. Работа подготовлена в городе Новосибирск в 2002 году. Объем работы: 208 с.. Внутренний код товара: 01002338558. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Микроконтактная спектроскопия низкоразмерных соединений с волной зарядовой плотности | Синченко, Александр Андреевич | 2010 |
| Кинетические явления в тонкопленочных структурах n-InSb, In1-xGaxSb, n-InSb-SiO2-p-Si | Никольский, Юрий Анатольевич | 2001 |
| Теория зеркального отражения рентгеновских лучей от неидеальных многослойных наноструктур и ее применение в рефлектометрии сверхрешеток Fe/Cr | Багрец, Надежда Владимировна | 2002 |