Рост и легирование GaAs(001) при низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии
- Автор:
Семягин, Борис Рэмович
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2002
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
208 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Проблемы теории взаимодействующих квазичастиц в квантовых кристаллах | Варданян, Гагик Агаронович | 1984 |
| Зернограничная сегрегация в бинарных системах с ограниченной растворимостью | Смирнов, Андрей Николаевич | 2006 |
| ЭПР исследования фазовых переходов и эффекта Яна-Теллера в перовскитоподобных соединениях | Усачев, Александр Евгеньевич | 1999 |