Низкоэнергетичные электронные переходы и оптические фононы в полупроводниковых фазах La2 CuO4+x и фуллерите C60

• Автор: Фурсова, Татьяна Николаевна
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2002
• Место защиты: Черноголовка
• Количество страниц: 127 с. : ил

ОГЛАВЛЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА I. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

1.1. Структура и оптические свойства La2Cu

1.1 Л. Кристаллическая структура Ьа2Си

1.1.2. Электронная структура La2CuOj

1.1.3. Магнитная структура La2CuÛ

1.1.4. Спектры оптических фононов

1.1.5. Электронные переходы

1.1.6. Заключение и постановка задачи
1.2. Фуллерен и его оптические свойства
1.2.1. Структура молекулы Сбо и кристаллическая структура фуллерита
1.2.2. Колебательные спектры Сбо и материалов на его основе_
1.2.3. Электронные свойства С во
1.2.4. Заключение и постановка задачи
ГЛАВА II. ДИПОЛЬНО-АКТИВНЫЕ ОПТИЧЕСКИЕ ФОНОНЫ
В La2Cu04+x
2.1. Методика экспериментов
2.2. Анизотропия спектров отражения LaiCuC^*
2.3. Спектр фононов La2Cu04+x
2.4. Анализ влияния стехиометрии и степени орторомбичности монокристаллов на фононные спектры
2.5. Заключение
ГЛАВА III. НИЗКОЭНЕРГЕТИЧНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ ПЕРЕХОДЫ

В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ФАЗАХЬа2Си04+х
3.1. Исследование ИК-снектров отражения и оптической проводимости в полупроводниковой антиферромагнитной фазе монокристаллов ЬагСиО+ц
3.1.1. Методика экспериментов
3.1.2. Влияние содержания кислорода на спектры отражения и оптической проводимости Ьа2Си04+х
3.1.3. Влияние температуры на спектры отражения и оптическую проводимость Ьа2Си04+х
3.1.4 Электронный континуум
3.1.5. Проводимость по постоянному току
3.1.6. Модель спин-поляр оное и их многочастичных комплексов
3.2. Заключение
ГЛАВА IV. ДИПОЛЬНО-АКТИВНЫЕ ОПТИЧЕСКИЕ ФОНОНЫ И НИЗКОЭНЕРГЕТИЧНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ ПЕРЕХОДЫ В ФУЛЛЕРИТАХ Сщ/ТФА, С6(/ТМПД
4.1. Спектры оптических фононов монокристаллов комплексов фуллерена С60/ТМПД и Сво/ТФА
4.1.1. Методика экспериментов
4.1.2. ИК-спектры хлорбензола, ТФА и ТМПД в кристаллах С60/ХБ, С,,/ ТФА и С60/ТМПД
4.1.3. Влияние взагшодействия аминов ТМПД и ТФА с молекулами Сьо на колебательные моды фуллерена
1183 и 1428см'
4.2. Низкоэнергетичные электронные переходы в монокристаллах фуллеритов Сб(/ТФА и Сбо/ТМПД
4.2.1. Спектры пропускания монокристаллов С6о/ТФА и
С,.,/ТМПД в области 0,2+2,2 эВ

4.2.2. Перенос заряда с амина на С во в монокристаллах
фуллеритов Сб(/ТФА и СДТМПД
4.3. Заключение
ГЛАВА V ФОТОИНДУЦИРОВАННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ
ПЕРЕХОДЫ В ПЛЕНКАХ С6№
5.1. Методика эксперимента
5.2. Фотоиндуцированное поглощение в пленках С
в диапазоне 0,08^-4,0 эВ при температурах 15-г-ЗООК.
5.2.1. Спектры при высоком уровне возбуждения
5.2.2. Спектры при низком уровне возбуждения
5.2.3. Длинновременная эволюция фотоиндуцированного поглощения света в пленках Сво
5.3. Обсуждение экспериментальных результатов
5.3.1. Высокий уровень импульсного возбуждения
5.3.2. Низкий уровень непрерывного возбуждения
5.3.3. Исследование рекомбинационных параметров
5.4. Заключение
ВЫВОДЫ
ЛИТЕРАТУРА

1.2.4. Заключение и постановка задачи
В связи с увеличением температуры сверхпроводящего перехода в фуллерите Соо, легированном щелочными металлами, представлялось интересным выяснить свойства монокристаллов, состоящих из фуллерита и органических молекул, проявляющих донорные свойства, например, ТМПД и ТФА. Свойства таких кристаллов практически не исследовались.
Фуллериты относятся к сильно коррелированным системам, также как и полупроводниковые фазы купратных ВТСП. В купратах перестройка энергетического спектра кристалла при введении носителей не может быть описана в рамках традиционной модели жестких зон, а переход металл-диэлектрик осуществляется в результате радикальной перестройки зонного спектра. В купратах фотоинжекция неравновесных носителей приводит к таким же изменениям спектра электронных состояний, что и легирование примесью. В фуллерите не удается проследить за изменением электронного спектра при малом уровне легирования примесью вследствие фазового расслоения. В этом случае перспективно применение метода фотоиндуцированного поглощения, позволяющего ввести небольшую концентрацию фотовозбуждений однородно по объему кристалла. В период начала наших исследований не было устоявшегося мнения относительно природы фотовозбуждений в фуллерите (До, их рекомбинационных свойств, не сложилось ясного представления об изменении энергетического спектра фуллерита при введении в него носителей.
В связи с вышеизложенным целью второй части работы является:
1. Изучение спектра оптических фононов и электронных переходов в монокристаллах Сбо/амин с существенно различными донорными свойствами аминов.