Исследование методом ЯКР эффектов неоднородного распределения зарядов в соединениях YBa2 Cu3 O7-y с уровнем допирования вблизи оптимального

• Автор: Сахратов, Юрий Азатович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2002
• Место защиты: Казань
• Количество страниц: 139 с. : ил

Содержание
Введение
ГЛАВА 1. Аппаратура и методика эксперимента. Образцы
1.1. Импульсный ЯМР/ЯКР спектрометр с цифровым управлением..
1.2. Криогенное оборудование. Термометрия
1.3. Методика измерения спектров ЯКР, времен спин-решеточной и поперечной релаксации
1.4. Образцы
ГЛАВА 2. Исследования спектров ЯКР Си(2) в соединениях УВагСиз07, ТтВа2Си307 и ТтВагСщОв. Анализ формы линии спектров в рамках модели “сужения благодаря движению”
2.1. Проблема формы линии в ВТСП
2.2. Теоретическое описание сужения спектральных линий, обусловленного движением
2.3. Спектры ЯКР Си(2) в У^Р^ВагСизО? (х = 0, 0.1): разложение на компоненты и получение неискаженных спектров
2.4. Спектр ЯКР Си(2) в УодРголВагСизСЬ при Т = 100 К: пробное описание в модели движущихся полос
2.5. Форма линии ЯКР Си(2) в соединениях УВа2Сиз07, ТтВагСизО? и ТтВа2Си

ГЛАВА 3. Исследования спектров ЯКР Си(2) и Си(1) в соединениях УВагСизОу-у: Температурная зависимость ширины линии ЯКР
3.1. Проблема дополнительного уширения линий ЯКР Си(2) и Си(1) в ВТСП со структурой 1237и 1248 ниже Тс
3.2. Спектры ЯКР Си(2) и Си(1) в УВа2Си307_у
3.3. О влиянии поверхности кристаллитов на ширину линии ЯКР меди
3.4. Псевдощелевое состояние ВТСП
3.5. Расчет температурной зависимости ширины линии ЯКР Си(2) в УВа2Си307-у
ГЛАВА 4. Исследования продольной и поперечной релаксации ядер Си(2) и Си(1) в УВагСизОг-у. Фазовая диаграмма УВагСизОг-у при Т < Тс
4.1. Аномалии в поперечной релаксации ядер Си(2) в УВа2Си307_у: обзор литературных данных
4.2. Теория поперечной релаксации ядер Си(2) в УВаСиО
4.3. Поперечная релаксация ядер Си(2) в УВа2Сиз07_у
4.4. Поперечная релаксация ядер Си(1) в УВа2Сиз07_у
4.5. Продольная релаксация ядер Си(2) и Си(1) в УВа2Сиз07_у
4.6. Анализ экспериментальных результатов. Фазовая диаграмма УВа2Си307_у при Т < Тс
Заключение
Литература

Введение
Изучение высокотемпературной сверхпроводимости (ВТСП) в купратах, открытой Мюллером и Беднорцем в 1986 году [1], остается одним из центральных направлений физики конденсированного состояния. Несмотря на большие усилия как экспериментаторов, так и теоретиков, природа этого явления остается не вполне выясненной. Хорошо известно, что исходным соединением купратного ВТСП является антиферромагнитный диэлектрик. Допирование дырками плоскостей СиСЬ приводит к тому, что соединение становится металлическим и при температуре ниже критической - сверхпроводящим. При этом дальний антиферромагнитный порядок разрушается, однако сильные антиферромагнитные корреляции спинов продолжают существовать. Вопрос о роли такого “динамического” антиферромагнетизма в явлении сверхпроводимости купратов (в частности, в механизме спаривания) активно дискутируется до сих пор. Другая проблема связана с так называемым электронным фазовым расслоением в ВТСП-системах. Дело в том, что целый ряд экспериментальных данных и теоретических соображений указывает на возможность расслоения фаз в ряде ВТСП, особенно в области недодопированных составов. Это расслоение происходит на микроскопических масштабах, так что система разбивается на металлические (сверхпроводящие) и диэлектрические (антиферромагнитные) домены с характерными размерами порядка нескольких межатомных расстояний. Эти домены имеют форму полос и в англоязычной литературе именуются как stripe domains или, просто, stripes. Вопрос о том, каким образом происходит фазовое расслоение и в какой связи с явлением сверхпроводимости оно находится, также является предметом оживленных споров. Решающую роль в исследовании одномерных корреляций зарядов и спинов в ВТСП-купратах сыграли

. / // XX
,а) / аУХХХХ X ®>Т ХФхХХХХгУХ I
ХфУХУхХХхХ 0УХ®У/0УХ /

/д/х/жхжх^
хххххухфхх
ФХ@Х®ХхХ@Хт ХхУ X. УХУ X У/ I,,
х V/ ^~х ЧУ' у-х V/ /XX V/ /Ьс 3 /?|
Ж у У у У у У у У у

Рис. 5. Две возможные структуры зарядовых полос в плоскостях СиСД для оптимального уровня допирования (1/6 дырки на ячейку СиСД). Стрелками показаны спины меди, стрелками с кружками - спины дырок, “компенсирующие” спины меди. Из работы [36].