Диэлектрические свойства монокристаллов ТГС, облученных сильноточным импульсным пучком электронов

• Автор: Клевцова, Екатерина Анатольевна
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2002
• Место защиты: Тверь
• Количество страниц: 159 с. : ил

СОДЕРЖАНИЕ
Введение
Г ЛАВА 1. Обзор литературы
1Л. Физические свойства кристаллов группы
триглицинсульфата
1Л Л. Рентгеноструктурные и нейтронографические
исследования
1Л.2. ИК-спектроскопические исследования ТГС
1Л .3. Физические свойства кристаллов ТГС и ДТГС
1Л .4. Диэлектрические свойства облученных и примесных
кристаллов ТГС и ДТГС
1.2. Процессы переполяризации в сегнетоэлектриках
1.3. Облучение и радиационные дефекты
1.3.1. Радиационные дефекты в твердых телах
1.3.2. Явления, наблюдаемые при электронной бомбардировке
твёрдых тел
1.3.3. Электронное воздействие на сегнетоэлектрические
кристаллы
1.4. Сильноточное импульсное электронное облучение
1.4.1. Импульсные сильноточные источники электронов
1.4.2. Применение ИСИЭИ в экспериментах по облучению и
модификации свойств твердых тел
Постановка задачи
Г ЛАВА 2. Экспериментальные установки и методики обработки
результатов
2.1. Экспериментальная установка для получения
электронных и ионных пучков

2.2. Методика исследования петель диэлектрического
гистерезиса сегнетоэлектриков по схеме Сойера-Тауэра
2.3. Методика исследования температурных зависимостей
диэлектрической проницаемости
2.4. Установка для исследования релаксации диэлектрической
проницаемости в кристаллах ТГС при коммутации внешнего электрического поля
2.5. Методика расчета функции распределения времен
релаксации
2.6. Установка для получения рентгеновских дифрактограмм..
2.7 Описание установки для получения ИК- спектров
отражения в широком оптическом диапазоне, методики их обработки и анализ
2.7.1. Описание эксперимента на фурье- спектрометре
2.7.2. Дисперсионные соотношения Крамерса-Кронига
2.8. Объекты исследований
2.9. Погрешности измерений
Г ЛАВА 3. Экспериментальные результаты исследования влияния облучения на переполяризационные, диэлектрические и релаксационные свойства кристаллов ТГС
3.1. Диэлектрические свойства и процессы переполяризации
облученных кристаллов ТГС
3.1.1. Исследование влияния СЭП на диэлектрические свойства
и процессы переполяризации кристаллов семейства ТГС..
3.1.2. Исследование влияния облучения СЭП на
диэлектрические свойства и процессы переполяризации кристаллов семейства ТГС при изменении температуры

3.1.3. Исследование влияния облучения СЭП кристаллов
семейства ТГС на поведение их диэлектрической проницаемости
3.1.4 Исследование влияния облучения кристаллов семейства
ТГС СЭП на тангенс угла диэлектрических потерь
3.1.5. Диэлектрические и переполяризационные свойства
кристаллов ДТГС, облученных СЭП
3.2. Релаксационные процессы
3.2.1. Релаксация диэлектрической проницаемости при
коммутации внешнего электрического поля в кристаллах ТГС, облученных СЭП
3.2.2. Результаты расчета функции распределения времен
релаксации
ГЛАВА 4. Исследование структуры и динамики кристаллической решётки ТГС до и после облучения СЭП различными дозами
4.1. Рентгеноструктурные исследования облученного
различными дозами порошка ТГС
4.2. ИК- спектроскопические измерения облученных
кристаллов ТГС
4.3. Обсуждение экспериментальных результатов
Выводы
Список литературы
ПРИЛОЖЕНИЕ 1. Программа для расчета спектров
времен релаксации (Пе1рЫ 5.0)
ПРИЛОЖЕНИЕ 2. Результаты обработки рентгеноструктурных данных, полученных с помощью АХЕ8-19ЬиО!СУОЕ

Рис. 1.8. Температурные зависимости спонтанной поляризованности чистого и допированного кристалла ТГС: О- чистый ТГС, +- ТГС+Си2+; х-ТГС+Со2+;
Д-ТГС+М2+; А-ТГС+Ре3+; •-ТГС+Сг3+ [51]
Полученные результаты авторы связывают с различным числом электронов на внешней электронной оболочке кристалла ТГС.
1.2.Процессы переполяризации в сегнетоэлектриках
Одним из наиболее замечательных свойств сегнетоэлектриков является возможность изменять направление спонтанной поляризации внешним, приложенным к образцу электрическим полем. Этот процесс называется переполяризацией. Под влиянием внешнего электрического поля в полидоменном кристалле происходит перестройка доменной структуры, при этом в некотором его объеме спонтанная поляризация меняет свое направление. Процесс реориентации спонтанной поляризации осуществляется путём движения доменных стенок, образования и прорастания зародышей новых доменов с направлением спонтанной поляризации, близким к направлению электрического поля. Использование теории доменов помогает рассматривать процесс переполяризации сегнетоэлектриков.