Эффект слабых магнитных полей в фазовых превращениях диамагнитных материалов

• Автор: Постников, Валерий Валентинович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2003
• Место защиты: Воронеж
• Количество страниц: 355 с.

СОДЕРЖАНИЕ

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

ГЛАВА I
МОДИФИКАЦИЯ СВОЙСТВ МАТЕРИАЛОВ ВОЗДЕЙСТВИЕМ СЛАБЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ (Аналитический обзор)

1.1. Феноменология фазовых переходов I и II рода

1.2. Модифицирование свойств магнитных материалов слабыми импульсными магнитными полями

1.3. Магнитопластический эффект в диамагнитных кристаллах

1.4. Влияние слабых магнитных полей на электрофизические параметры полупроводниковых структур

1.5. Воздействие магнитных полей на сегнетоэлектрические кристаллы

1.6. Магнитная обработка полимеров

ГЛАВА II
СТРУКТУРНЫЕ ПРЕВРАЩЕНИЯ В ЭЛЕМЕНТАРНЫХ
ПОЛУПРОВОДНИКАХ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЯХ,
ИНИЦИИРУЕМЫЕ СЛАБЫМИ ИМПУЛЬСНЫМИ МАГНИТНЫМИ
ПОЛЯМИ
2.1. Распад пересыщенного твердого раствора кислорода в кристаллах кремния в результате воздействия импульсных магнитных полей
2.2. Совместное воздействие постоянного и импульсного магнитных полей на кристаллы Сг-Б1
2.3. Влияние импульсных магнитных полей на микроволновые спектры кристаллов кремния
2.4. Внутреннее геттерирование в кремнии при комбинированном воздействии радиации и импульсных магнитных полей
2.5. Структурные превращения в твердых растворах БЬ-Ав и БЬ-Аэ-Ое после воздействия слабых импульсных магнитных полей
2.6. Воздействие импульсного магнитного поля на реальную структуру и температуру плавления арсенида индия

ГЛАВА III
ВОЗДЕЙСТВИЕ СЛАБЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ НА ФАЗОВЫЕ
ПРЕВРАЩЕНИЯ В КРИСТАЛЛИЗУЮЩИХСЯ ПОЛИМЕРАХ
3.1. О обенности кристаллизации полимеров
3.2. Фазовые превращения в органосилоксанах
3.3. Влияние слабых импульсных магнитных полей на фазовые превращения в модифицированном полидиметилсилоксане
3.4. Магнито-кристаллизационный эффект в полимерах группы полиэтиленоксидов
3.5. Селективное воздействие слабого постоянного магнитного поля на фазовые переходы в полиэтиленоксиде
ГЛАВА IV
ВОЗДЕЙСТВИЕ СЛАБЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ НА ФАЗОВЫЕ
ПЕРЕХОДЫ В ВОДОРОДСОДЕРЖАЩИХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ
КРИСТАЛЛАХ
4.1. Сегнетоэлектрические фазовые переходы II рода типа смещения и порядок-беспорядок
4.2. Водородсодержащие сегнетоэлектрические кристаллы с фазовым переходом типа порядок - беспорядок
4.3. Воздействие слабого импульсного магнитного поля на сегнетоэлектрические и диэлектрические характеристики номинально чистых кристаллов триглицинсульфата
4.4. Селективное воздействие слабых постоянных магнитных полей на физические свойства вблизи сегнетоэлектрического фазового перехода номинально чистых кристаллов триглицинсульфата
4.5. Селективное воздействие слабых постоянных магнитных полей на физические свойства вблизи сегнетоэлектрического фазового перехода номинально чистых кристаллов дигидрофосфата калия

ГЛАВА V
ВОЗДЕЙСТВИЕ СЛАБЫХ ИМПУЛЬСНЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО СВЕРХПРОВОДНИКА ВБЛИЗИ ФАЗОВОГО ПЕРЕХОДА.
5.1. Решеточная нестабильность и электрон-фононное взаимодействие в сверхпроводниках
5.2 Сверхпроводимость тонких пленок чистых металлов
5.3 Сверхпроводящие структуры, легированные ионами легких элементов
как системы со смягченным фононным спектром
5.4. Сверхпроводники со структурой типа А
5.5. Металлооксидные высокотемпературные сверхпроводники
5.6. Воздействие импульсных магнитных полей на характер температурной зависимости электрического сопротивления ВТСП керамики YBa2Cu307.x вблизи сверхпроводящего фазового перехода
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ПРИЛОЖЕНИЯ
П.1. Генератор импульсных магнитных полей
П.2. Установка для измерения СВЧ-спектров кремниевых кристаллов
П.З. Установка для измерения поляризационных токов в полимерах
П.4. Автоматизированный измерительный комплекс для исследования
релаксационных процессов в полимерах
П.5. Устройство для автоматической регулировки и стабилизации
температуры расплава полимера в постоянном магнитном поле
П.6. Установка для комплексного исследования низкочастотных диэлектрических и поляризационных свойств сегнетоэлектрических кристаллов
ЛИТЕРАТУРА

Рис. 1.8. Долговременные затухающие колебания при температуре 300 К предпробивного напряжения МДП-структур после ОИМП [84]
Рис. 1.9. Временные зависимости внутреннего трения в кремнии после ОИМП для различных температур (7 - 300 К, 2 - 375 К, 3 - 400 К, 4- 425 К) [89]