Электронные свойства неупорядоченных систем на основе n-Ge и YBaCuO-керамики, компенсированных облучением быстрыми нейтронами реактора

• Автор: Назаркин, Игорь Владимирович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2003
• Место защиты: Гатчина
• Количество страниц: 165 с. : ил.

РАЗДЕЛ I
ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА НЕУПОРЯДОЧЕННЫХ СИСТЕМ НА ОСНОВЕ п-Се, КОМПЕНСИРОВАННОГО ОБЛУЧЕНИЕМ БЫСТРЫМИ НЕЙТРОНАМИ РЕАКТОРА

Глава I. ОБЛАСТИ РАЗУПОРЯДОЧЕНИЯ В ГЕРМАНИИ. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

1 Л.Модели разупорядоченных областей в полупроводниках, облученных ядерными частицами высоких энергий
1.2. Стадии образования РО в германии при облучении ядерными частицами высоких энергий

2. Модели электронных свойств полупроводников с РО

2.1 Примесная проводимость на постоянном токе.

Слабое легирование

2.2. Примесная проводимость на постоянном токе.

Сильное легирование

Глава II. МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЯ ГЕРМАНИЯ,

ОБЛУЧЕННОГО БЫСТРЫМИ НЕЙТРОНАМИ РЕАКТОРА З
2. Методика измерения образцов
2.1. Измерение проводимости
2.2 Измерение коэффициента Холла образцов Ое
2.4 Методика облучение образцов в вертикальных каналах
реактора ВВР-М
Глава III. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ СВОЙСТВ п-Ое, КОМПЕНСИРОВАННОГО ОБЛУЧЕНИЕМ БЫСТРЫМИ НЕЙТРОНАМИ РЕАКТОРА
3.1. Характер прыжковой проводимости п-Ое<БЬ>, облученного

быстрыми нейтронами реактора в области слабого легирования
3.2. Влияние флуктуационных уровней на характер прыжковой проводимости п-Ое с разупорядоченными областями
3.3. Характер прыжковой п-Се<8Ь>, облученного быстрыми нейтронами реактора проводимости в области сильного легирования
3.4. Характер прыжковой проводимости Се<8Ь>, конвертированного облучением в р
3.5 Модель прыжковой проводимости в Се, конвертированном облучением в р-тип
3.6 Концентрационная зависимость параметров прыжковой проводимости Се, легированного сурьмой, компенсированного облучением быстрыми нейтронами реактора
3.6.1. Влияние деформации, созданной разупорядоченными областями на характер концентрационной зависимости прыжковой проводимости п-Се
3.7 Особенности влияния разупорядоченных областей
на температурную зависимость коэффициента Холла в п- Се<8Ь>, компенсированном облучением быстрыми нейтронами реактора Выводы к главе III раздела I РАЗДЕЛ II
ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА НЕУПОРЯДОЧЕННЫХ СИСТЕМ НА ОСНОВЕ УВаСиО -КЕРАМИКИ, КОМПЕНСИРОВАННОЙ ОБЛУЧЕНИЕМ БЫСТРЫМИ НЕЙТРОНАМИ РЕАКТОРА
Глава I ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
Глава II МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЯ ВТСГІ ПРИ
ОБЛУЧЕНИИ БЫСТРЫМИ НЕЙТРОНАМИ РЕАКТОРА

2 Методика измерения образцов
2.1 Измерение магнитной восприимчивости и критического тока ВТСП - керамики
2.2. Методика измерения характеристик упругости и внутреннего трения
3. Методика облучения образцов. Облучение образцов в низкотемпературной гелиевой петле реактора ВВР-М ПИЯФ РАН.
4 Методика отжига
5 Программное обеспечение для проведения исследований Глава III ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ УСЛОВИЙ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО ОТЖИГА НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА УВа2Си307.6 КЕРАМИКИ, ОБЛУЧЕННОЙ БЫСТРЫМИ НЕЙТРОНАМИ РЕАКТОРА
1. Режимы отжига образцов УВа2Сиз07_б керамики
1.1. Исследование влияния отжига на температурную зависимость удельного сопротивления образцов ВТСП - керамики в несверхпроводящей фазе
1.2 Влияние условий отжига на концентрацию кислорода ВТСП - керамики
1.3 Термогравиметрическое исследование особенностей деградации образцов керамики состава УВа2Си307.й
в результате отжига и облучения быстрыми нейтронами реактора
1.4. Влияние кислорода на характер изменения массы образцов УВа2Си307_8 -керамики в результате отжига. Качественный анализ
1.5. Модель кинетики заселенности кислородных позиций элементарной ячейки керамики состава УВа2Сиз07.8 в зависимости от условий отжига
соответствии с соотношением
е]=Е0+С^/(1-КГ13шЕ0+£з
(3.2)
где Е„ — энергия основного состояния примесного центра; С г коэффициент порядка единицы.
Как видно из рис.3.2, экспериментально определенные значения энергии активации е3 прыжковой проводимости не совпадают с результатами расчета в рамках модели Шкловского — Эфроса, разработанной для случая слабо легированных компенсированных точечными дефектами кристаллических полупроводников [6]. Такое значительное количественное расхождение подтверждает правомерность сделанного предположения о некорректности использования модельной концепции Шкловского - Эфроса для объяснения электронных свойств кристаллических полупроводников с РО.
Вместе с тем, следует отметить удовлетворительное количественное совпадение компенсационной зависимости энергии активации е3 прыжковой проводимости, полученной в эксперименте и рассчитанной теоретически в рамках модели [32] для случая слабой компенсации (К«[) (рис.3.2). Расчет выполнялся в соответствии с выражением:
диэлектрическая проницаемость, К -степень компенсации.
Величина энергии активации прыжковой проводимости, вычисленная по формуле (3.3), довольно сильно отличается от значений, полученных в соответствии с выражением (3.4), полученным Шкловским и Эфросом для случая К<< 1 в предположении, что при этом амплитуда крупномасштабного потенциального рельефа мала по сравнению с энергией Ферми [6]:
(3.3)
где е,1 = ((4л/3|)Лу1/3е2/%, N,1 - концентрация донорной примеси, х