Структура примесных центров Gd3+ и Eu2+ во флюоритах и смешанных кристаллах на их основе

• Автор: Чернышев, Владимир Артурович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2003
• Место защиты: Екатеринбург
• Количество страниц: 161 с.

Содержание
Введение
Глава 1. Оболочсчная модель и приближение парных взаимодействий
1.1 Приближение парных взаимодействий. Модельное выражение для энергии кристаллической решетки
1.2 Расчет равновесной кристаллической структуры е учетом симметрии кристаллической решетки
1.3 Расчет колебательных частот кристаллической решетки
1.4 Определение параметров парных взаимодействий для кристаллов
МеР2(Ме=С а, ёг.Ва, Cd.Pl»
1.5. Расчет локальной кристаллической структуры допированных флюоритов..
Глава 2. Влияние гидростатического давления на кристаллическую структуру и динамические свойства фторидов Мер2(Ме=Са,Зг,Ва,РЬ,С<Г)..ЛЗ
2.1 Обзор экспериментальных данных
2.2 Расчет равновесной кристаллической структуры фторидов под воздействием гидростатического давления
2.3 Исследование структурного фазового перехода из кубической в орторомбическую фазу во фторидах МеГ'ЦМе-Са.Бг.Ла.РЬ)
2.4 Исследование локальных электрических нолей на ионах в равновесной кристаллической структуре фторидов
2.5 Исследование частот фундаментальных колебаний кристаллической
решетки под воздействием гидростатического сжатия
Основные результаты главы
Глава 3. Исследование примесного центра Ей2* в смешанных флюоритах
Mei.xMexF2(Me,Me=Ca,Sr,B(i)
3.1. Моделирование кристаллической структуры смешанных флюоритов
3.2. Расчет локальной кристаллической структуры примесного центра Ей + в смешанных флюоритах
3.3.Исследование влияния локального окружения примесного иона на спектры
люминесценции и поглощения в кристаллах Cai.xSrxF2:Ert2 > и Sri.xBaxF2:En2*..
Основные результаты главы
Глава 4. Исследование кристаллической структуры примесных центров Ей2* и Gtf* в кристалле C1IE2 и примесного центра Gif* с зарядокомпенсирующим ионом F во фторидах СаЕ2, SrF2, BaF
4.1 Исследование локальной кристаллической структуры примесных цент ров
Gif* и Ей2* в кристалле CdF
4.2. Исследование примесных центров Gif* с зарядокомпенсирующим ионом F
во флюоритах MeF2{Me=Ca,Sr,Ва)
Основные результаты главы
Заключение
Приложение
Литература

Введение
Фториды MeF2(A4e=Ca,Sr,Ba,Cd,Pb) привлекают внимание исследователей более четырех десятилетий f1,2,3,4,5]. В этих соединениях при температурах около 0.8 Т„, (Тт-температура плавления) проявляется аномально высокая ионная проводимость, обусловленная разупорядочением анионной подрешетки при сохранении катионов вблизи регулярных положений, что обусловливает их применение в качестве твердых электролитов [б,7] Некоторые фториды образуют твердые растворы Mej.Jbfe 'xF2(Me,Me ' Ca,Sr,Ba), что дает возможность получать кристаллы с требуемыми свойствами. С другой стороны, эти кристаллы, допированные редкоземельными (РЗМ) ионами, находят применение в качестве лазерных сред, детекторов ионизирующих излучений и СЦИНТШ1ЛЯЦИОННЫХ материалов [8,9,10]. В этих кристаллах образуются примесные центры многих редкоземельных ионов (Еи2+, Yb2+, Sni2+, (>cf' . Ег3+ и т.д.), что дает возможность исследовать влияние ряда гомологичных кристаллов-матриц на примесный ион. Повышенный интерес, проявляемый в последнее время к исследованиям спектров люминесценции и поглощения редкоземельных ионов, связан с использованием фторидов, допированных этими элементами, в качестве сцинтилляторов оптического диапазона, возбуждаемых рентгеновским излучением («х-ray storage phospors»). Такие свойства проявляются вследствие того, что энергетические уровни примесного иона находятся в запрещенной зоне кристалла-матрицы Облучение образца у-лучами приводит к образованию электронов и дырок, часть которых локализуется на уровнях примесного иона, и впоследствии, при облучении образца в более длинноволновом диапазоне, покидает ловушки и рекомбинирует. Этот процесс сопровождается люминесценцией, характерной
Рис. 1.4. Фрагмент структуры флюорита с примесным ионом, замещающим Ме2+.

© -Ме2+
О -примесный ион