Свойства электронной эмиссии, стимулированной мягким рентгеновским излучением, из сегнетоэлектриков-электретов

• Автор: Новиков, Игорь Владимирович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2003
• Место защиты: Ростов-на-Дону
• Количество страниц: 205 с. : ил.

Оглавление.
Введение
Глава 1. Эмиссия медленных электронов из твердых тел
1.1. Экзоэлектронная эмиссия
1.2. Эмиссия электронов, усиленная полем
1.2.1. Эмиссия Малтера
1.2.2. Эмиссия в пористом диэлектрике, структуры металл-диэлектрик-металл и полупроводник-металл
1.2.3. Усиление эмиссии медленных электронов при рентгеновском облучении линейных диэлектриков
1.3. Эмиссия электронов из сегнетоэлектриков
1.3.1. Термостимулированная электронная экзоэмиссия
1.3.2. Вторично-электронная эмиссия из сегнетоэлектриков 33.
1.3.3. Фотоэмиссия электронов из сегнетоэлектриков
1.3.4. Электронная эмиссия при переключении в
сегнетоэлектриках
1.4 Выводы
Глава 2. Экспериментальное исследование электронной эмиссии из сегнетоэлектриков- электретов, стимулированной мягким рентгеновским излучением
2.1. Методика эксперимента
2.1.1. Методика получение спектра аномальной электронной эмиссии
2.1.2. Подготовка образцов
2.2. Электронная эмиссия из линейных диэлектриков
2.3. Свойства электронной эмиссии из монокристаллов
сегнетоэлектриков-электретов
2.3.1. Магнониобат свинца

2.3.2. Свойства электронной эмиссии с поверхности ниобата и танталата лития
2.3.2.1. Исследование электронной эмиссии из одноосных сегнетоэлектриков ЫЫЬОз и ЫТаОз (от граней (1010) и (1014)), в поверхность которых не инжектировались

электроны
2.3.2.2. АЭЭ с поверхности ниобата и танталата лития 73.
2.3.3. Природные материалы и пленки состава Аб28з
2.3.4. АЭЭ с поверхности сегнетоэлектрических пленок состава РЬТЮз и РЬ(гг,Т0Оз
2.4. Свойства электронной эмиссии из поверхности керамики
2.4.1. ПКР-70
2.4.2. ?LZT
2.4.3. Зависимость электронной эмиссии от наличия и формы электродов на поверхности сегнетоэлектрических образцов, а
также размеров образца
2.5. Модель электронной эмиссии из отрицательной поверхности сегнетоэлектриков-электретов
2.6. Результаты и выводы
Глава 3. Теоретические и экспериментальные основы
интерпретации спектров АЭЭ
3.1. Сравнение экспериментально обнаруженных свойств с
результатами теоретического моделирования изучаемых 106.
процессов
3.1.1. Время жизни эффекта АЭЭ
3.1.2. Электронная эмиссия при переполяризации сегнетоэлек-трика- электрета. Связь АЭЭ с электронной эмиссией при переполяризации

3.1.3. Интенсивность аномальной электронной эмиссии
3.1.4. Связь формы спектра с распределением потенциала по поверхности образца
3.2. Основы обработки и интерпретации спектров АЭЭ
il* 3.2.1. Описание компьютерной программы синтеза (разложения )
Анализ корректности процедуры
3.2.2. Особенности спектров электронной эмиссии из заряженных поверхностей керамик ПКР-70 по данным компьютерной обработки
3.2.3. Экспериментальные и модельные спектры АЭЭ с поверхности магнониобата свинца
3.2.4. Экспериментальные и модельные спектры с поверхности ниобата лития
3.2.5. Синтез спектров АЭЭ с поверхности керамик
PLZT-2, 8,9,12
3.2.6. Особенности формирования спектров АЭЭ с поверхности минерала аурипигмента на основе AS2S3 по данным моделирования
3.2.7. Информационное содержание спектров АЭЭ
3.2.8. Вычисление функции п(ср)
3.2.9. Форма функции п(ф) и распределение потенциала по поверхности реальных образцов
3.2.10. Синтез экспериментального спектра электронной эмиссии сегнетоэлектрического «холодного» катода
3.3. Результаты и выводы
Литература
Приложение
изменит условия экранирования, одновременно изменяя величину и распределение внутреннего поля. Такие изменения могут отражаться на эмиссионных свойствах образцов [53-55].
В работах [51-55] исследовалось влияние спонтанной поляризации сегне-тоэлектрических кристаллов триглицинсульфата и легированного железом нио-бата лития на их фотоэмиссионные характеристики. Было зафиксировано изменение интенсивности выхода фотостимулированной эмиссии с поверхности образцов в зависимости от направления поляризации образца (см. рис. 1.10). Как видно из рис. 1.106, фотостимулированная эмиссия с отрицательно заряженной поверхности поляризованного кристалла резко возрастает (рис. 1.106, кривая 1). По сравнению с ней, эмиссия с положительно заряженной поверхности очень мала (рис. 1.106, кривая 2). Такое различие объясняется авторами [51-55] изменением работы выхода электронов из-за ориентации доменов в кристалле.
Следует заметить, что в описанных экспериментах по эмиссии спектры-т.е. зависимость интенсивности эмиссии от энергии электронов- не были получены. Фактически, речь идет о временных или температурных зависимостях тока эмиссии- исследовались интегральные характеристики; только в [48] был снят энергетический спектр с помощью дисперсионного анализатора.
1.3.4 Электронная эмиссия при переключении в сегнетоэлектриках
Впервые связь униполярной эмиссии электронов со 180°-й доменной переориентацией в сегнетоэлектриках была описана авторами [46]. Во время пе-реполяризации сегнетоэлектриков высоковольтными импульсами наносекунд-ной длительности ток эмиссии может достигать значительной плотности (до 103 A/cm2), что вызывает большой интерес при разработке импульсных катодов [46,