Переключение сверхтонких сегнетоэлектрических пленок Ленгмюра-Блоджетт

• Автор: Виздрик, Геннадий Михайлович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2003
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 110 с. : ил

ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение
Глава 1. Сверхтонкие сегнетоэлектрические пленки на основе сополимера винилиденфторида с трифторэтиленом (П(ВДФ-ТрФЭ))

1.1. Полимерные сегнетоэлектрики: сополимеры поливинилиденфторида

1.2. Сегнетоэлектрические пленки Ленгмюра-Блоджетт (ЛБ)

на основе сополимера П(ВДФ-ТрФЭ)

1.3. Двумерные сегнетоэлектрические пленки Ленгмюра-Блоджетт

Глава 2. Кинетика переключения сверхтонких

сегнетоэлектрических пленок Ленгмюра-Блоджетт

2.1. Методики исследования процесса переключения сверхтонких сегнетоэлектрических пленок
2.2. О механизме собственного и несобственного переключения сегнетоэлектриков
2.3. Особенности полевых и температурных зависимостей времени переключения поляризации и сравнение экспериментальных результатов с теорией
Ландау-Г инзбурга
Глава 3. Переключение комбинированных ультратонких ЛБ пленок
сегнетоэлектрический полимер-фотопроводник

3.1. Получение комбинированных пленок по технологии Ленгмюра-Блоджетт и исследование
сегнетоэлектрического переключения
3.2. Влияние освещения на процессы переключения в
пленках сегнетоэлектрик-фотопроводник
3.3. Влияние поверхностных слоев на диэлектрические свойства ЛБ пленок
Выводы
Литература

ВВЕДЕНИЕ
Переключение спонтанной поляризации является наиболее характерным (и важным для применения) свойством сегнетоэлектрических кристаллов и пленок. С момента открытия сегнетоэлектричества Валашеком в 1920 г [1] переключение сегнетоэлектрических кристаллов и пленок было обусловлено процессами зародышеобразования и движения доменов. После 1949 года, когда феноменологическая теория сегнетоэлектричества, развитая Ландау и Гинзбургом (ЛГ) была завершена, обратили внимание на то, что теоретическое значение коэрцитивного поля на много порядков превышает его экспериментальное значение. Таким образом, теория ЛГ, объяснившая температурные зависимости спонтанной поляризации и диэлектрической проницаемости, по какой-то причине не давала правильной количественной оценки для наиболее важной характеристики сегнетоэлектриков, а именно величины коэрцитивного ПОЛЯ.
В середине пятидесятых годов в Институте кристаллографии М.А. Чернышевой были открыты домены в сегнетовой соли, что положило начало исследованию доменной структуры сегнетоэлектриков и ее влияния на сегнетоэлектрические свойства. Вскоре исследователи пришли к заключению о том, что расхождения между теорией и экспериментом в отношении коэрцитивного поля обусловлено наличием доменов, которые феноменология ЛГ не рассматривала. Было показано, что особенности переключения сегнетоэлектрических кристаллов могут быть поняты только

Триглицинсуль фат (ТГС) 43 0.028 0.011 74 0.00
кг>2ро4 43 0.062 0.34 163 0.0
PZro.25Tio.75O3 (ргт) юо нм 200 0.38 10 215 0.
ПВДФ И 0.065 55 667 0.
П(ВДФ-ТрФЭ) (65:35) 9.3 0.080 45 972 0.
П(ВДФ-ТрФЭ) (75:25), 60 нм 10 0.1 125 1129 0.
П(ВДФ-ТрФЭ) (70:30), < 15 нм 8 0.1 480 1412 0.
Возникает вопрос, почему механизм переключения, зависящий от зародышеобразования и характеризующийся несобственным значением коэрцитивного поля, при Ь < 10 нм переходит в другой механизм, не зависящий от зародышеобразования и характеризующийся собственным коэрцитивным полем? Даже в самых тонких объемных пленках толщиной Ь = 60 нм коэрцитивное поле Ес ~ 0,1 ГВ м'1 [19] значительно ниже собственного значения 0,5 ГВ м'1, вычисленного из (3). В интервале 10 нм < Ь < 60 нм коэрцитивное поле пленок ЛБ обнаруживает размерный