Механизмы твердофазного гетеровалентного замещения в системах Ga2Se3-GaAs и In2Se3-InAs
- Автор:
Татохина, Яна Александровна
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2003
- Место защиты:
Воронеж
- Количество страниц:
105 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Механизмы твердофазного гетеровалентного замещения в системах Ga2Se3-GaAs и In2Se3-InAs», автор — Татохина, Яна Александровна, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.07. Работа подготовлена в городе Воронеж в 2003 году. Объем работы: 105 с. : ил.. Внутренний код товара: 01002620726. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Распределение элементов отложений на оболочках ТВЭЛОВ ядерных реакторов с водным теплоносителем после эксплуатации | Смирнова, Ирина Михайловна | 2011 |
| Влияние размерных эффектов на гальваномагнитные явления в тонких пленках висмута | Крушельницкий Артемий Николаевич | 2017 |
| Эффекты локализации и квантовый эффект Холла в гетероструктурах p-Ge/GeSi | Неверов, Владимир Николаевич | 1998 |