Механизмы твердофазного гетеровалентного замещения в системах Ga2Se3-GaAs и In2Se3-InAs
- Автор:
Татохина, Яна Александровна
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2003
- Место защиты:
Воронеж
- Количество страниц:
105 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Магнитоэлектрический эффект в слоистых структурах в области электромеханического резонанса | Галичян, Тигран Александрович | 2015 |
| Электростатическое и ван-дер-ваальсово взаимодействие зондов атомно-силового микроскопа с поверхностями | Канаметов, Анзор Азреталиевич | 2010 |
| Теория дифракции рентгеновских лучей на неидеальных сверхрешетках | Нестерец, Яков Иванович | 1998 |