Механизмы твердофазного гетеровалентного замещения в системах Ga2Se3-GaAs и In2Se3-InAs
- Автор:
Татохина, Яна Александровна
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2003
- Место защиты:
Воронеж
- Количество страниц:
105 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Влияние макроструктуры высокотемпературного сверхпроводника Y-Ba-Cu-O на проникновение вихрей Абрикосова | Авдеев, Михаил Александрович | 2011 |
| Динамическая дифракция гамма-излучения в реальных монокристаллах | Соколов, Алексей Евгеньевич | 1998 |
| Магнитные и магниторезистивные свойства плотноупакованных нанодисков | Стеблий, Максим Евгеньевич | 2013 |