Механизмы твердофазного гетеровалентного замещения в системах Ga2Se3-GaAs и In2Se3-InAs
- Автор:
Татохина, Яна Александровна
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2003
- Место защиты:
Воронеж
- Количество страниц:
105 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Особенности структуры и фазовых превращений в сплавах Fe-Mn и Fe-Ni, приготовленных механосплавлением | Пустов, Леонид Юрьевич | 2004 |
| Исследование параметров процесса ионного обмена при формировании микролинзовых элементов в стеклах | Шевченко, Александр Владимирович | 2002 |
| Электронная структура и транспортные свойства смешанного состояния мезоскопических сверхпроводников | Силаев, Михаил Андреевич | 2008 |