Электрические и оптические свойства субмикронных пленок фуллеренов C60

• Автор: Нащекин, Алексей Викторович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2004
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 202 с.

Глава 1.

Получение, структура и свойства фуллеренов

1.1. Методы синтеза фуллеренов

1.2. Выделение и очистка фуллеренов

1.3. Растворимость фуллеренов Сбо

1.4. Структурные свойства фуллеренов

1.5. Электронные свойства фуллеренов.

1.5.1. Электронная структура замкнутой молекулы Сбо

1.5.2. Электронные свойства молекулярного кристалла Сво

1.5.3. Электронная структура аморфных пленок фуллеренов Сбо

1.6. Полимеризация фуллеренов.

1.6.1. Полимеризованные состояния фуллеренов Сбо
1.6.2. Способы полимеризации фуллеренов
1.6.3. Электронолитография с использованием фуллеренов
1.7. Фотонные кристаллы
1.8. Постановка задачи
Глава 2.
Методика эксперимента.
2.1. Технология нанесения пленок в квазизамкнутом
объёме (КЗО)
2.2. Методика нанесения пленок фуллеренов Сбо с помощью сверхзвукового молекулярного пучка
2.3. Изготовление Ті/Аи-злектродов.
2.3.1. Проектирование маски
2.3.2. Процесс фотолитографии
2.4. Методика электрических измерений.
2.4.1. Вольт-амперные характеристики (ВАХ)
2.4.2. Температурные зависимости тока
2.4.3. Измерения ВАХ после предварительного облучения светом
различного спектрального диапазона

2.5. Методика получения фотонных кристаллов
2.6. Методика синтеза композитных фуллереновых пленок с содержанием
С(1Те
2.7. Использование методики мультифрактальной параметризации для
исследования структуры фуллереновых композитных
пленок
2.8. Использование фуллеренов Сво в качестве маски для плазмохимического травления ОаАв, ві и віОг
Глава 3.
Электрические свойства субмикронных пленок фуллеренов С603.1. Вольт-амперные характеристики (ВАХ) субмикронных фуллереновых пленок фуллеренов Сбо
3.2. Влияние полимеризации электронным лучом на процессы транспорта носителей тока в молекулярных цепочках Сбо
3.3. Влияние облучения немонохроматическим светом с широким спектром на процессы протекания тока в исходных и полимеризованных пленках фуллеренов С6о
3.4. Кулоновская блокада.
3.4.1. Искусственные атомы
3.4.2. Квантование заряда
3.4.3. Размерное квантование
3.5. Модель наноостровка в молекулярной цепочке фуллеренов Сбо
Глава 4.
Фотостимулированные спинозависимые реакции перезарядки точечных дефектов в твердых телах.
4.1. Концепция отрицательной корреляционной энергии электронов на дефекте
4.2. Фазовая диаграмма модели локализованного биполярона:
модель Андерсона
4.3. Отрицательная корреляционная энергия в туннельной системе центров типа «узел-междоузлие»
4.4. Гамильтониан амфотерного дефекта с зависящей от поля
локальной отрицательной корреляционной энергией
4.5. Исследование persistent проводимости
4.6. Температурные зависимости проводимости пленок фуллеренов Сбо
Глава 5.
Оптические свойства пленок фуллеренов Сво и структур на их основе.
5.1. Фотолюминесценция исходных и полимеризованных пленок
фуллеренов Сбо
5.2. Оптические свойства периодических сетчатых структур на основе, полученных на основе пленок фуллеренов СбО5.2.1. Спектры отражения
5.2.2. Спектры пропускания
5.2.3. Модуляция отражения сетки фуллеренов Сво с помощью лазерного
излучения
5.3. Структурные свойства композитных фуллереновых пленок с
содержанием CdTe.
5.3.1. Мультифрактальная параметризация
5.3.2. Термостабильность
5.4. Перспективы использования фуллеренов Сбо для получения фотонных
структур
Заключение
Литература
Список публикаций автора по теме
света в кристалле получаем выражение:
A.(wi) = 2tt/Qi = 2d (1-4)
которое является условием брэгговского рассеяния фотонов на решетке с периодом d. Из рис. 6 видно, что на краях следующих зон Бриллюэна Q„ = птг/d также образуются запрещенные зоны спектра с центрами на частотах w„ = nnc/ds'7’. Запрещенную зону для выделенного направления в кристалле, которое можно задать вектором обратной решетки Ь, обычно называют стоп- зоной (stop-band). Очевидно, что стоп- зоны отсутствуют при ei = ё2, могут возникать при с] ф 82, а их ширина должна расти с увеличением разности |si- ег|. Хорошо известно, что каждый вектор b перпендикулярен некоторому множеству плоскостей прямой решетки, а его величина |6| обратно пропорциональна расстоянию между этими плоскостями. К чему это приводит, видно из левой части (рис. 6), где дисперсионные ветви, соответствующие двум разным направлениям в пространстве (условно говоря, направлениям в точки L и X зоны Бриллюэна), приведены к одной оси квазиволнового вектора. Коль скоро разным векторам b соответствуют различные межплоскостные расстояния в прямой решетке, при заданном законе дисперсии (1.1) положения и ширины стоп-зон могут существенно зависеть от направления. Очевидно, что наличие стоп- зон является необходимым, но не достаточным условием существования полной запрещенной зоны. Последняя может возникнуть, если только стоп- зоны для всех без исключения направлений в кристалле перекрываются, при этом ширина запрещенной зоны равна ширине спектральной области перекрытия всех стоп-зон. Сразу после работ [John S., 1997 и Yablonovitch Е., 1997], вдохновившись простой аналогией с электронной зонной структурой, теоретики попытались "взять вершину" зонной теории фотонных кристаллов с ходу, однако столкнулись с проблемами, ясное понимание которых заняло годы. Не вдаваясь в драматические детали, сформулируем "сухой остаток" этой деятельности. Во-первых, в сравнении со скалярной (в пренебрежении спином) электронной задачей векторная электромагнитная задача приводит к существенно большим ограничениям в образовании запрещенных спектральных зон. Во-вторых, анализ показал, что фотонная запрещенная зона образуется не для всех типов решеток, но ее