Формирование дефектной структуры и свойства арсенида галлия, облученного ионами аргона низких энергий

• Автор: Алалыкин, Александр Сергеевич
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2004
• Место защиты: Ижевск
• Количество страниц: 182 с. : ил.

ГЛАВА 1. ВЛИЯНИЕ ОБРАБОТКИ ИОНАМИ РАЗЛИЧНЫХ ЭНЕРГИЙ НА ЭЛЕМЕНТНЫЙ СОСТАВ, СТРУКТУРУ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА

ПОЛУПРОВОДНИКОВ

1.1 Основные процессы, происходящие в твердом теле под действием ионов

1.1.1 Взаимодействие ионов с твердым телом, радиационные

дефекты

1.1.2 Пробеги ионов в твердых телах

1.1.3 Распыление

1.1.4 Ионная имплантация и перемешивание под действием

ионной бомбардировки

1.2 Топология поверхности и структура облученного GaAs

1.2.1 Перераспределение дислокаций в GaAs при облучении

ионами
1.3 Влияние облучения на оптические и электрофизические свойства облученного GaAs
1.3.1 Энергетический спектр облученного GaAs
1.3.2 Электрические свойства
1.3.3 Оптические свойства
1.3.4 Фотоэлектрические свойства
1.4 Эффекты дальнодействия
1.4.1 Экспериментальные результаты обнаружения эффекта
дальнодействия
1.4.2 Диффузионная модель эффекта дальнодействия
1.4.3 Модель упругих волн
1.4.4 Модель волны переключения
1.4.5 Модель переноса энергии
1.4.6 Другие механизмы
Выводы к первой главе и постановка задачи
ГЛАВА 2. МЕТОДЫ ПРОВЕДЕНИЯ ОБРАБОТКИ И ИССЛЕДОВАНИЙ
2.1 Подготовка и обработка образцов
2.2 Методы исследований
2.2.1 Оже - электронная спектроскопия
2.2.2 Метод определения коэффициента отражения в ближней
ИК и видимой области
2.2.3 Эллипсометрия
2.2.4 Бесконтактный ВЧ-емкостной метод измерения спектральной зависимости фотопроводимости
2.2.5 Структурно-аналитическая теория прочности
ГЛАВА 3. ЭЛЕМЕНТНЫЙ СОСТАВ, СТРУКТУРА,
ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ, ОБЛУЧЕННОГО ИОНАМИ АРГОНА НИЗКИХ ЭНЕРГИЙ
3.1 Перераспределение основных компонент ОаАв после облучения. Распределение дефектов по глубине
3.2 Эллипсометрические, оптические и фотоэлектрические свойства облученного арсенида галлия
Выводы к третьей главе
ГЛАВА 4. ДИФФУЗИОННАЯ КИНЕТИКА ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ
4.1 Кинетические коэффициенты упругого взаимодействия
точечных дефектов
4.1.1 Упругое взаимодействие точечных дефектов
4.1.2 Упругое взаимодействие точечных дефектов с дислокацией
4.1.3 Эффективные сечения и скорость образования дивакансий и тривакансий. Сечения и скорость захвата вакансий и дивакансий дислокациями
4.2 Нелинейные уравнения диффузионной кинетики точечных дефектов. Устойчивость
4.3 Волновые решения диффузионной кинетики
Выводы к четвертой главе
ГЛАВА 5. КИНЕТИКА ДИСЛОКАЦИЙ В ДЕФОРМИРУЕМЫХ
ОБЛУЧЕННЫХ МАТЕРИАЛАХ
5.1 Расчет термоупругих и внутренних напряжений
5.2 Уравнения структурно-аналитической теории прочности расчета пластической деформации в облученных
материалах. Плотность дислокаций. Численные расчеты
Выводы к пятой главе
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА
ПРИЛОЖЕНИЕ

- вид рассматриваемой функции определяется, в первую очередь, требованиями симметрии и может быть как знакопеременной, так и четной функцией параметра порядка.
Так, например, в теории фазовых переходов первого и второго рода широко используются функции р((р) [88]
^) = >2-^г^2+^е>2"+2, (1.13)
2 т + 2 2т +
где а,. - постоянные, т - произвольное число.
При сделанных предположениях решение уравнения (1.12) может иметь вид волны переключения с фронтом волны
<Р = & т. (1Л4)
(] + ехр(- ту (у - То )))«
где У = X - VI, V - скорость волны, <р- корни уравнения — = 0 с функцией р(<р),
(1<р
определяемой выражением (1.13), у = ±JaJm + ï, у0 - постоянная
интегрирования.
Выражение (1.14) описывает волну переключения системы из одного стационарного состояния в другое [89, 90]. Кинетические запреты на переход системы из любого стационарного состояния в любое другое отсутствуют, независимо от того, является ли оно термодинамически стабильным или нет. При соответствующем изменении граничных условий система может оказаться в любом из доступных стационарных состояний. Согласно [89,90], такой фазовый переход может определяться концентрационной волной переключения точечных дефектов радиационного происхождения.
В этом случае распространение точечных дефектов будет описываться уравнением диффузии:
(1.15)
Разлагая скорость захвата точечных дефектов дислокациями r(n) по степеням N до второго порядка, получим уравнение со степенным источником третьего порядка, решение которого имеет вид [89]