Физические основы формирования кристаллов с дисклинационными дефектами и пентагональной симметрией в процессе электрокристаллизации меди

• Автор: Воленко, Александр Павлович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2004
• Место защиты: Тольятти
• Количество страниц: 289 с. : ил.

Глава 1. Состояние вопроса и постановка задачи исследования

1.1 Дефекты кристаллического строения, формирующиеся при электрокристаллизации, и механизмы их образования

1.2 Дефекты дисклинационного типа

1.3 Диссипативные структуры и их самоорганизация

1.4 Постановка задачи исследования

Глава 2. Экспериментальные методы исследования структуры и свойств электроосажденных материалов

2.1. Современные методы исследования структуры и свойств металлов.

2.1.1. Просвечивающая и сканирующая электронная микроскопия.

2.1.2. Электронография и металлография.

2.1.3. Рентгеновские методы исследования

2.1.4. Метод акустической эмиссии

2.1.5. Методы измерения внутренних напряжений
2.2. Выбор объектов исследования и методика их получения.
Глава 3. Начальный этап формирования электродного осадка на индифферентной подложке.
3.1. Некоторые особенности зародышеобразования при электрокристаллизации (обзор).
3.2. Экспериментальные результаты исследования начального этапа электрокристаллизации меди на индифферентной подложке, и их обсуждение.
3.3. Кинетика зародышеобразования при малых плотностях тока
(математическая модель)
3.4. Теоретические основы управления структурой и свойствами электроосажденных материалов
3.5. Выводы
Глава 4. Пентагональные кристаллы меди, формирующиеся при электрокристаллизации, и механизмы их образования.
4.1. Пентагональная симметрия и дисклинации в малых частицах. Механизмы релаксации внутренних полей упругих напряжений в них (обзор).
4.2 Существующие модели образования и роста кристаллов с

пентагональнои симметрией при электрокристаллизации, и их недостатки
4.3. Многообразие форм роста пентагональных кристаллов при электрокристаллизации меди. Их классификация.
4.4. Дисклинационная модель формирования кристаллов с пятерной симметрией из двумерных зародышей
4.5 Кластерно-дисклинационная модель формирования пентагональных кристаллов из трехмерных зародышей.
^ 4.6. Выводы.
Глава 5. Сферолитная форма роста электролитических осадков ГЦК металлов
5.1. Сферолитная форма роста кристаллов низших сингоний (обзор).
5.2. Экспериментальные исследования сферолитной формы роста
5.3. Влияние в условиях электролиза, добавок ПАВ и природы индифферентных субстратов на формирование сферолитов. Схема образования сферолитов.
Ф 5.4. Двойникование на начальных этапах электрокристаллизации

меди.
5.5. Выводы
Глава 6. Дислокационно - дискликационные структуры, формирующиеся при электрокристаллизации ГЦК — металлов. Механизмы их формирования и самоорганизации.
6.1 Экспериментальное исследование дефектов дисклинационного типа и их полей напряжений.
6.2 Границы раздела субструктурных элементов, формирующиеся при электрокристаллизации, и механизмы образования ростовых дефектов дисклинационного типа
6.3. Термодинамические аспекты самоорганизации структуры при электрокристаллизации ГЦК-металлов
6.4. Выводы
Основные результаты и выводы работы.
Список использованной литературы.
Приложения.

вторых, вызывают вокруг себя плавное изменение кристаллографической ориентации, которое при обходе по замкнутому контуру дает отличный от нуля результирующий поворот. Линейные дефекты, обладающие указанными свойствами, называются дисклинациями [3-5].
Удельная упругая энергия оборванной границы кручения описывается выражением подобным выражению для энергии клиновой дисклинации. Представление оборванной границы в виде клиновой дисклинации справедливо лишь для границ наклона [73]. В других случаях, когда оборванные границы не являются границами наклона, описание создаваемых ими полей усложняется, однако всегда линия обрыва может быть интерпретирована как линейный дефект-носитель разворота и источник дальнодействующих напряжений [3].
Оборванные дислокационные границы могут создавать замкнутые (петлеобразные) конфигурации. Такие образования возникают уже на самых первых стадиях деформации (£-0,05). С увеличением е петли становятся четче, а соответствующие им разориентировки растут. Встречаются также границы оборванные с обоих концов и оборванные ветвящиеся границы (рис.1.23,а) [5]. Ветвящиеся оборванные дислокационные границы это наиболее типичные структурные элементы, появляющиеся при деформации начиная с (е~0,01). Обычно они образуются в стыках зерен или на изломах межзеренных большеугловых границ зерен.
Как правило, оборванные границы группируются парами. Границы, объединенные в пары, вызывают примерно одинаковые, но противоположно направленные развороты прилегающей областей, в следствие чего на больших расстояниях от такой пары ориентация кристалла остается неизменной. Подобные конфигурации называются диполями (рис. 1.23,б). Обычно дипольные конфигурации начинаются от межзеренных границ.
Часто по зерну распространяется сразу несколько параллельных диполей. Оборванные границы в подобных случаях располагаются приблизительно эквидистантно, на расстоянии 0,2-0,5 мкм одна от другой, и