+
Действующая цена700 499 руб.
Товаров:24
На сумму: 11.976 руб.

Электронная библиотека диссертаций

Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО

Расширенный поиск

Фазовые и структурные превращения в диамагнитных материалах после воздействия слабых магнитных полей

  • Автор:

    Постников, Валерий Валентинович

  • Шифр специальности:

    01.04.07

  • Научная степень:

    Докторская

  • Год защиты:

    2004

  • Место защиты:

    Воронеж

  • Количество страниц:

    338 с. : ил.

  • Стоимость:

    700 р.

    499 руб.

до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ
ГЛАВА I
МОДИФИКАЦИЯ СВОЙСТВ МАТЕРИАЛОВ ВОЗДЕЙСТВИЕМ СЛАБЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ (Аналитический обзор)
1.1. Феноменология фазовых переходов I и II рода
1.2. Модифицирование свойств магнитных материалов слабыми импульсными магнитными полями
1.3. Магнитопластический эффект в диамагнитных кристаллах
1.4. Влияние слабых магнитных полей на электрофизические параметры полупроводниковых структур
1.5. Воздействие магнитных полей на сегнетоэлектрические кристаллы
1.6. Магнитная обработка полимеров
ГЛАВА II
СТРУКТУРНЫЕ ПРЕВРАЩЕНИЯ В ЭЛЕМЕНТАРНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЯХ, ИНИЦИИРУЕМЫЕ СЛАБЫМИ ИМПУЛЬСНЫМИ МАГНИТНЫМИ ПОЛЯМИ
2.1. Распад пересыщенного твердого раствора кислорода в кристаллах кремния в результате воздействия импульсных магнитных полей
2.2. Совместное воздействие постоянного и импульсного магнитных полей на кристаллы Сг-Б1
2.3. Влияние импульсных магнитных полей на микроволновые спектры кристаллов кремния
2.4. Внутреннее геттерирование в кремнии при комбинированном воздействии радиации и импульсных магнитных полей
2.5. Структурные превращения в твердых растворах БЬ-Аб и БЬ-Аи-Сте после воздействия слабых импульсных магнитных полей
2.6. Воздействие импульсного магнитного поля на реальную структуру и температуру плавления арсенида индия

ш ГЛАВА III
ВОЗДЕЙСТВИЕ СЛАБЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ НА ФАЗОВЫЕ
ПРЕВРАЩЕНИЯ В КРИСТАЛЛИЗУЮЩИХСЯ ПОЛИМЕРАХ
ЗЛ. Особенности кристаллизации полимеров
3.2. Фазовые превращения в органосилоксанах
3.3. Влияние слабых импульсных магнитных полей на фазовые превращения в модифицированном полидиметилсилоксане
3.4. Магнито-кристаллизационный эффект в полимерах группы полиэтиленоксидов
3.5. Селективное воздействие слабого постоянного магнитного поля на фазовые переходы в полиэтиленоксиде
ГЛАВА IV
ВОЗДЕЙСТВИЕ СЛАБЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ НА ФАЗОВЫЕ
ПЕРЕХОДЫ В ВОДОРОДСОДЕРЖАЩИХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ
КРИСТАЛЛАХ
4.1. Сегнетоэлектрические фазовые переходы II рода типа смещения и порядок-беспорядок
4.2. Водородсодержащие сегнетоэлектрические кристаллы с фазовым переходом типа порядок - беспорядок
4.3. Воздействие слабого импульсного магнитного поля на сегнетоэлектрические и диэлектрические характеристики номинально чистых кристаллов триглицинсульфата
4.4. Селективное воздействие слабых постоянных магнитных полей на физические свойства вблизи сегнетоэлектрического фазового перехода номинально чистых кристаллов триглицинсульфата
4.5. Селективное воздействие слабых постоянных магнитных полей на физические свойства вблизи сегнетоэлектрического фазового перехода номинально чистых кристаллов дигидрофосфата калия

ГЛАВА V
ВОЗДЕЙСТВИЕ СЛАБЫХ ИМПУЛЬСНЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО СВЕРХПРОВОДНИКА ВБЛИЗИ ФАЗОВОГО ПЕРЕХОДА.
5.1. Метастабильность и сверхпроводимость в соединениях со структурой

5.2. Металлооксидные высокотемпературные сверхпроводники
5.3. Основные модификации металлооксидного высокотемпературного сверхпроводящего соединения УВазСизОу.з
5.4. Воздействие импульсных магнитных полей на фазовый переход высокотемпературного сверхпроводника
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ПРИЛОЖЕНИЯ
П.1. Генератор импульсных магнитных полей
П.2. Установка для измерения СВЧ-спектров кремниевых кристаллов
П.З. Установка для измерения поляризационных токов в полимерах
П.4. Автоматизированный измерительный комплекс для исследования
релаксационных процессов в полимерах
П. 5. Устройство для автоматической регулировки и стабилизации
температуры расплава полимера в постоянном магнитном поле
П.6. Установка для комплексного исследования низкочастотных диэлектрических и поляризационных свойств сегнетоэлектрических кристаллов
ЛИТЕРАТУРА
основной гармоники vH и одинаковой амплитудой импульсов, а также комбинированного воздействия постоянного магнитного ( В ~ 2 Тл) и переменного электрического полей с различными частотами vE (такая обработка также приводила к разупрочнению образцов) позволили авторам получить пороговые значения vB и vE, ниже которых эффект не наблюдался. Этот результат показал, что при ИМП-обработке существенная роль отводится возникающему при этом вихревому электрическому полю, которое, как полагают авторы [167], может инициировать вращение обладающих дипольным моментом боковых групп (метальных СНз в ПММА и фенильных СбН5 в ПС) полимеров. В пользу этого предположения свидетельствовало также отсутствие эффекта в ПВХ, у которого боковые группы имеют значительно меньшую подвижность по сравнению с ПММА и ПС. Отсутствие изменений в ИК-спектрах полимеров после ИМП-воздействия показало непричастность к исследованному авторами МПЭ внутримолекулярных валентных и деформационных колебаний кинетических единиц макромолекул.
В заключении главы необходимо напомнить, что энергетические соотношения 1ц-В«кТ, выполняющиеся практически для всех эффектов воздействия магнитных полей на конденсированные среды (исключая, может быть, поля с В>2 Тл), не позволяют ожидать сколько-нибудь существенных эффектов сдвига и расщепления электронных состояний или изменения потенциальных барьеров для движения дефектов среды.
Более вероятно, что первопричина рассмотренных эффектов воздействия слабых магнитных полей на физические свойства конденсированных систем имеет не энергетическую, а спиновую природу.
В основе спин-зависимых явлений лежит принцип спиновой селективности, согласно которому различного рода химические реакции разрешены только из определенных спиновых состояний [170]. Например, при столкновении двух парамагнитных частиц образуется радикальная пара

Рекомендуемые диссертации данного раздела

Время генерации: 0.212, запросов: 1350